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本发明提供了一种半导体结构。通过设置倒L型接触结构，并使倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出，以及至少在倒L型接触结构远离主动区域的一侧设置有至少两层电介质层，该倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在倒L型的接...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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