本公开的实施例涉及包括类同轴电连接的装置及其制造方法。一种装置包括半导体芯片，其包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触部。该装置包括外部连接元件，其被配置为在装置与印刷电路板之间提供第一类同轴电连接，其中第一类同轴电连接包括在垂直于半导体芯片主表面的方向上延伸的部段。该装置还包括电再分配层，其布置在半导体芯片的主表面之上、并被配置为在半导体芯片的电接触部与外部连接元件之间提供第二类同轴电连接，其中第二类同轴电连接包括在平行于半导体芯片主表面的方向上延伸的部段。向上延伸的部段。向上延伸的部段。
【技术实现步骤摘要】
包括类同轴电连接的装置及其制造方法
[0001]本公开涉及包括类同轴电连接的装置。此外，本公开涉及用于制造这种装置的方法。
技术介绍
[0002]基于无线电的通信装置，例如MIMO(多输入多输出)系统，通常包括多个信道来发送和接收无线电信号。在此类装置的操作期间，相邻通信信道之间可能发生由电磁干扰而引起的不希望串扰。装置制造商一直在努力改进他们的产品。特别地，希望减少电磁干扰并因此减少相邻通信信道之间的串扰，从而提高装置的性能和可靠性。此外，希望提供制造这种改进装置的方法。
技术实现思路
[0003]本公开的一方面涉及一种装置。该装置包括半导体芯片，其包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触部。该装置还包括外部连接元件，其被配置为在装置与印刷电路板之间提供第一类同轴电连接，其中第一类同轴电连接包括在垂直于半导体芯片主表面的方向上延伸的部段。该装置还包括电再分配层，其布置在半导体芯片的主表面之上、并被配置为在半导体芯片的电接触部与外部连接元件之间提供第二类同轴电连接，其中第二类同轴电连接包括在平行于半导体芯片主表面的方向上延伸的部段。
[0004]本公开的一个方面涉及一种用于制造装置的方法。该方法包括生成半导体芯片，该半导体芯片包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触部。该方法还包括制造外部连接元件，该外部连接元件被配置为在装置与印刷电路板之间提供第一类同轴电连接，其中第一类同轴电连接包括在垂直于半导体芯片的主表面的方向上延伸的部段。该方法还包括制造电再分布层，该电再分布层布置在半导体芯片的主表面之上，并被配置为在半导体芯片的电接触部与外部连接元件之间提供第二类同轴电连接，其中第二类同轴电连接包括在平行于半导体芯片的主表面的方向上延伸的部段。
附图说明
[0005]所包含的附图旨在提供对各方面的进一步理解，并被纳入本说明书并构成本说明书的一部分。附图示出了各方面，并且与描述一起用于解释各方面的原理。通过参考以下详细描述，其他方面和方面的许多预期优点将易于理解。图中的元素不一定按比例绘制。相同的参考标记可以表示相应的相似部分。
[0006]图1示意性地示出了根据本公开的装置100的截面侧视图。
[0007]图2示意性地示出了根据本公开的装置200的俯视图。
[0008]图3示意性地示出了根据本公开的装置300的一部分的透视图。
[0009]图4示意性地示出了根据本公开的装置400的透视图。
[0010]图5示意性地示出了根据本公开的装置500的一部分的俯视图。
[0011]图6示意性地示出了根据本公开的装置600的一部分的顶视图。
[0012]图7示意性地示出了根据本公开的装置700的一部分的顶视图。
[0013]图8示意性地示出了根据本公开的装置800的一部分在高温下的膨胀的俯视图。
[0014]图9示意性地示出了根据本公开的装置900的一部分在低温下收缩的俯视图。
[0015]图10示意性地示出了根据本公开的装置1000的一部分的透视图。
[0016]图11示意性地示出了根据本公开的装置1100的一部分的透视图。
[0017]图12示意性地示出了根据本公开的屏蔽共面波导1200的截面侧视图。
[0018]图13示出了根据本公开的用于制造装置的方法的流程图。
具体实施方式
[0019]在下面的详细描述中，参考了附图，其中通过说明的方式示出了可以在其中实践本公开的特定方面。在这点上，可以参考所描述的图的取向来使用诸如“顶部”、“底部”、“前”、“后”等的方向术语。由于所描述的装置的部件可以以多个不同的方向定位，所以方向术语可以用于说明的目的并且决不是限制性的。在不脱离本公开的概念的情况下，可以利用其他方面并且可以进行结构或逻辑改变。因此，不应将以下详细描述理解为限制意义，并且本公开的概念由所附权利要求限定。
[0020]图1的装置100可以包括嵌入在封装材料4中的半导体芯片(其也可以被称为半导体管芯)2。电再分布层6可以布置在半导体芯片2和封装材料4之上。一个或多个外部连接元件8可以提供装置100与印刷电路板36之间的机械(或电流)连接和电连接。印刷电路板36可以被视为或不被视为装置100的一部分。
[0021]半导体芯片2(或半导体芯片2的电子电路)可以在高于约1GHz、在一些实施例中高于10GHz的频率范围内操作。半导体芯片2因此也可以被称为RF(“射频”)芯片或HF(“高频”)芯片。更具体地，半导体芯片2可以在高频范围或微波频率范围内操作，其范围可以从大约10GHz到大约300GHz。微波电路可以包括例如微波发射器、微波接收器、微波收发器、微波传感器、微波检测器等。根据本公开的装置可以用于雷达应用中，其中可以调制射频信号的频率。因此，半导体芯片2可以特别地对应于雷达芯片。雷达微波装置可以用于例如汽车或工业应用中的距离和速度测量系统。例如，自动车辆巡航控制系统或车辆防碰撞系统可以在微波频率范围内运行，例如在24GHz、76GHz或79GHz频带中运行。
[0022]半导体芯片2可以包括可以布置在半导体芯片2的主表面上的一个或多个电接触部10。例如，电接触部10可以由键合垫形成，键合垫可以由铝制成。此外，布置在半导体芯片2内部的内部电线12可以电连接至电接触部10。半导体芯片2的电路(未示出)可以通过电接触部10和内部电线12电访问。
[0023]半导体芯片2可以至少部分地嵌入封装材料4中。在图1的示例中，封装材料4可以覆盖半导体芯片2的一个或多个侧表面。在另外的示例中，封装材料4也可以覆盖半导体芯片2的上主表面。半导体芯片2的下主表面可以不被封装材料4覆盖。相反，封装材料4的下主表面和半导体芯片2的下主表面可以布置在公共平面中。封装材料4可以形成半导体芯片2的外壳(或封装)，使得装置100也可以被称为半导体封装。封装材料4可以包括以下材料中的至少一种：环氧树脂、填充环氧树脂、玻璃纤维填充环氧树脂、酰亚胺、热塑性塑料、热固性聚合物、聚合物混合物。特别地，封装材料4可以由模塑料形成。
[0024]电再分布层6可以具有金属层(或金属迹线)形式的一个或多个导电结构14，其可以基本上平行于半导体芯片2和封装材料4的主表面延伸。金属层14可以例如由铜或铜合金制成。一个或多个介电层16可以布置在金属层14之间，以将金属层14彼此电隔离。例如，介电层16可以由氧化物或氮化物中的至少一种制成。此外，布置在不同垂直高度上的金属层14可以通过一个或多个通孔连接18彼此电连接。内部电线12和/或电再分布层6可以被称为装置100的第一级互连。
[0025]电再分布层6可以至少部分地在封装材料4的下主表面之上延伸。因此，外部连接元件8中的至少一个可以布置在半导体芯片2的侧面。在这种情况下，装置100可以被称为扇出装置或扇出封装。在图1的示例中，装置100可以对应于晶片级封装，其可以通过eWLB(嵌入式晶片级球栅阵列)工艺制造。
[0026]装置100可以通过外部连接元本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：半导体芯片，包括布置在所述半导体芯片的主表面上的电接触部；外部连接元件，被配置为在所述装置与印刷电路板之间提供第一类同轴电连接，其中所述第一类同轴电连接包括在垂直于所述半导体芯片的主表面的方向上延伸的部段；以及电再分布层，布置在所述半导体芯片的主表面上，并且被配置为在所述半导体芯片的所述电接触部与外部连接元件之间提供第二类同轴电连接，其中所述第二类同轴电连接包括在平行于所述半导体芯片的主表面的方向上延伸的部段。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述外部连接元件被配置为在所述装置与所述印刷电路板之间提供机械连接。3.根据权利要求1或2所述的装置，还包括：封装材料，其中所述半导体芯片至少部分地嵌入所述封装材料中，其中所述半导体芯片的主表面和所述封装材料的主表面布置在公共平面中，其中所述电再分布层至少部分地在所述封装材料的主表面之上延伸，并且其中所述外部连接元件布置在所述半导体芯片的侧面。4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述装置包括嵌入式晶片级球栅阵列封装。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一类同轴电连接包括：第一导体结构，被配置为运载电信号；以及第二导体结构组，至少部分围绕所述第一导体结构并且连接到地电位或返回路径。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二导体结构组中的每个第二导体结构与所述第一导体结构具有相同的距离。7.根据权利要求5或6所述的装置，其中所述第二导体结构组具有四个或更少的元件。8.根据权利要求5至7中任一项所述的装置，其中所述第一导体结构和第二导体结构中的至少一个导体结构包括焊球、焊柱或硅通孔之一。9.根据权利要求5至8中任一项所述的装置，其中所述第一导体结构和所述第二导体结构组以十字形方式布置。10.根据权利要求5至8中任一项所述的装置，其中所述第二导体结构组以V形方式布置。11.根据权利要求5至8中任一项所述的装置，其中所述第二导体结构组以矩形形状围绕所述第一导体结构。12.根据权利要求5至8中任一项所述的装置，其中所述第二导体结构组以正多边形形状围绕所述第一导体结构。13.根据权利要求5至12中任一项所述的装置，其中：所述第一导体结构被配置为运载波长为λ的电信号，并且所述第二导体结构组的相邻导体结构之间的距离小于λ/5。14.根据权利要求5至13中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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