本申请是关于半导体装置和半导体键合结构。在本申请的一些实施例中，本申请提供了一种半导体装置，其包括：衬底；电介质层；第一键合焊盘；及第二键合焊盘。衬底具有第一表面。电介质层邻近于衬底的第一表面设置。第一键合焊盘设置在电介质层中。第二键合焊盘设置在电介质层中，其中第一键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积大于第二键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积。本申请提供的半导体装置和半导体键合结构具有便于实现键合焊盘的对准和更好的键合强度的优点。更好的键合强度的优点。更好的键合强度的优点。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置和半导体键合结构
[0001]本申请涉及半导体领域，特别是涉及半导体装置和半导体键合结构。
技术介绍
[0002]通常，在具有第一裸片和第二裸片的混合键合封装结构中，第一裸片和第二裸片上设置有相同尺寸的键合焊盘。然而，在键合过程中，将第一裸片和第二裸片上的相同尺寸的键合焊盘准确地对准非常不容易。此外，对于具有较大的焊盘的裸片而言，其用于氧化物键合表面的表面积相对较小，因而在较大的焊盘的裸片上的氧化物和底层硅之间的键合强度会较弱。
[0003]鉴于上述问题，业界需要提供一种混合键合结构，其中不同裸片之间的焊盘可以很容易地彼此对准，且裸片上的氧化物和底层硅之间的键合强度可以更强。
技术实现思路
[0004]本申请的目的之一在于提供一种半导体键合结构，其通过将设置于第一裸片和第二裸片中的一者的较大的键合焊盘键合至设置于第一裸片和第二裸片中的另一者的较小的键合焊盘，以有利于在键合过程中键合焊盘之间的对准，且同时增加用于底层硅和氧化物之间的氧化物键合表面的表面积。
[0005]本申请的一实施例提供了一种半导体装置，其包括：衬底；电介质层；第一键合焊盘；及第二键合焊盘。衬底具有第一表面。电介质层邻近于衬底的第一表面设置。第一键合焊盘设置在电介质层中。第二键合焊盘设置在电介质层中，其中第一键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积大于第二键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积。
[0006]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘具有与所述衬底的第一表面相对的第一表面，所述第二键合焊盘具有与所述衬底的第一表面相对的第一表面，所述电介质层具有与所述衬底的第一表面相对的第一表面，且所述第一键合焊盘的第一表面和所述第二键合焊盘的第一表面与所述电介质层的第一表面实质上共面。
[0007]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘和所述第二键合焊盘交替设置。
[0008]本申请的另一实施例提供了一种半导体键合结构，其包括：第一衬底；第一电介质层；第一键合焊盘；第二键合焊盘；第二衬底；第三键合焊盘；及第四键合焊盘。第一衬底具有第一表面。第一电介质层邻近于所述第一衬底的第一表面设置。第一键合焊盘设置在所述第一电介质层中。第二键合焊盘设置在所述第一电介质层中。第二衬底对应于所述第一衬底且具有第一表面。第三键合焊盘邻近于所述第二衬底的第一表面设置且对应于所述第一键合焊盘。第四键合焊盘邻近于所述第二衬底的第一表面设置且对应于所述第二键合焊盘，其中所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第二键合焊盘、所述第三键合焊盘和所述第四键合焊盘中的至少一者在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。
[0009]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投
影面积大于所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积，且大于所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。
[0010]在本申请的一些实施例中，所述第四键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积与所述第四键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积实质上相同，且所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积与所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积实质上相同。
[0012]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积，且所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积小于所述第四键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积，且所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积与所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积实质上相同。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积与所述第四键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积实质上相同。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述第一键合焊盘具有与所述第一衬底的第一表面相对的第一表面，所述第二键合焊盘具有与所述第一衬底的第一表面相对的第一表面，所述第一电介质层具有与所述第一衬底的第一表面相对的第一表面，且所述第一键合焊盘的第一表面和所述第二键合焊盘的第一表面与所述第一电介质层的第一表面实质上共面。
[0017]在本申请的一些实施例中，所述第三键合焊盘具有与所述第二衬底的第一表面相对的第一表面，所述第四键合焊盘具有与所述第二衬底的第一表面相对的第一表面，第二电介质层邻近于所述第二衬底的第一表面设置且具有与所述第二衬底的第一表面相对的第一表面，且所述第三键合焊盘的第一表面和所述第四键合焊盘的第一表面与所述第二电介质层的第一表面实质上共面。
[0018]本申请提供的半导体装置和半导体键合结构通过设置不同尺寸的键合焊盘，以有利于在键合过程中键合焊盘之间的对准，且同时增加用于底层硅和氧化物之间的氧化物键合表面的表面积，从而有利于提升半导体装置和半导体键合结构的生产效率和产品质量。
附图说明
[0019]在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。
[0020]图1A是根据本申请一实施例的半导体键合结构的纵向截面示意图
[0021]图1B是根据本申请另一实施例的半导体键合结构的纵向截面示意图
[0022]图1C是根据本申请又一实施例的半导体键合结构的纵向截面示意图
[0023]图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G是根据本申请一实施例的制造半导体键合结构的流程示意图
[0024]图3是根据本申请的半导体封装结构的纵向截面示意图
具体实施方式
[0025]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应所述被解释为对本申请的限制。
[0026]如本文中所使用，术语“约”、“大体上”、“实质上”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形键合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：衬底，其具有第一表面；电介质层，其邻近于所述衬底的第一表面设置；第一键合焊盘，其设置在所述电介质层中；及第二键合焊盘，其设置在所述电介质层中，其中所述第一键合焊盘在所述衬底的第一表面上的投影面积大于所述第二键合焊盘在所述衬底的第一表面上的投影面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一键合焊盘具有与所述衬底的第一表面相对的第一表面，所述第二键合焊盘具有与所述衬底的第一表面相对的第一表面，所述电介质层具有与所述衬底的第一表面相对的第一表面，且所述第一键合焊盘的第一表面和所述第二键合焊盘的第一表面与所述电介质层的第一表面共面。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一键合焊盘和所述第二键合焊盘交替设置。4.一种半导体键合结构，其特征在于，所述半导体键合结构包括：第一衬底，其具有第一表面；第一电介质层，其邻近于所述第一衬底的第一表面设置；第一键合焊盘，其设置在所述第一电介质层中；第二键合焊盘，其设置在所述第一电介质层中；第二衬底，其对应于所述第一衬底且具有第一表面；第三键合焊盘，其邻近于所述第二衬底的第一表面设置且对应于所述第一键合焊盘；及第四键合焊盘，其邻近于所述第二衬底的第一表面设置且对应于所述第二键合焊盘，其中所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第二键合焊盘、所述第三键合焊盘和所述第四键合焊盘中的至少一者在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。5.根据权利要求4所述的半导体键合结构，其特征在于，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积，且大于所述第三键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。6.根据权利要求5所述的半导体键合结构，其特征在于，所述第四键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积大于所述第二键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积。7.根据权利要求6所述的半导体键合结构，其特征在于，所述第一键合焊盘在所述第一衬底的第一表面上的投影面积与所述第四...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾志翔，黄穗麒，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：
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