MCM封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种MCM封装结构及其制作方法，MCM封装结构包括：第一类型裸片、第二类型裸片、塑封层、第一再布线层以及第二再布线层；第一类型裸片包括若干第一焊盘；第二类型裸片包括若干第二焊盘；塑封层包覆第一类型裸片与第二类型裸片，塑封层的正面暴露第一焊盘与第二焊盘；第一再布线层包括第一子再布线层与第二子再布线层，第一子再布线层随第一类型裸片的实际位置一并偏移，第二子再布线层随第二类型裸片的实际位置一并偏移；第二再布线层电连接第一子再布线层与第二子再布线层且基于第一类型裸片的理论位置与第二类型裸片的理论位置而确定。可以增大第一类型裸片与第二类型裸片的最大偏移量，保证各个类型裸片的焊盘之间的可靠电连接。间的可靠电连接。间的可靠电连接。

【技术实现步骤摘要】
MCM封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种MCM封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]在封装过程中，常常将具有不同功能的裸片封装在一个封装结构中，以形成特定作用，被称为多芯片组件(Multi
‑
Chip Module，MCM)，其具有体积小、可靠性高、高性能和多功能化等优势。
[0003]近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高集成度、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但影响产品的性能，而且还制约产品的小型化。
[0004]MCM封装结构中，一般通过再布线层提高产品的集成度。然而，MCM封装结构的可靠性测试中，发现封装产品的良率较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术的专利技术目的是提供一种MCM封装结构及其制作方法，以提高产品良率。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种MCM封装结构，包括：
[0007]第一类型裸片，包括若干第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一类型裸片的活性面；所述第一类型裸片具有第一实际位置与第一理论位置，所述第一实际位置相对于所述第一理论位置具有偏移量；
[0008]第二类型裸片，包括若干第二焊盘，所述第二焊盘位于所述第二类型裸片的活性面；所述第二类型裸片具有第二实际位置与第二理论位置，所述第二实际位置相对于所述第二理论位置具有偏移量；
[0009]塑封层，包覆所述第一类型裸片与所述第二类型裸片；所述塑封层包括相对的正面与背面，所述塑封层的正面暴露所述第一焊盘与所述第二焊盘；
[0010]第一再布线层，位于所述塑封层的正面一侧；所述第一再布线层包括第一子再布线层与第二子再布线层，所述第一子再布线层电连接所述第一焊盘且随所述第一实际位置一并偏移，所述第二子再布线层电连接所述第二焊盘且随所述第二实际位置一并偏移；
[0011]第一介电层，包埋所述第一再布线层；
[0012]第二再布线层，位于所述第一介电层上；所述第二再布线层电连接所述第一子再布线层与所述第二子再布线层，且所述第二再布线层基于所述第一类型裸片的所述第一理论位置与所述第二类型裸片的所述第二理论位置而确定。
[0013]可选地，在所述第一再布线层中，所述第一子再布线层与所述第二子再布线层电绝缘。
[0014]可选地，所述第一子再布线层与所述第二子再布线层分别包括一层金属图案层，或所述第一子再布线层与所述第二子再布线层分别包括两层及其以上数目的金属图案层。
[0015]可选地，所述第一子再布线层的每层所述金属图案层包括第一类型金属图案块，
所述第一类型金属图案块与所述第一焊盘一一对应设置且数量相等，至少一个所述第一类型金属图案块的面积大于对应的所述第一焊盘的面积；所述第二子再布线层的每层所述金属图案层包括第二类型金属图案块，所述第二类型金属图案块与所述第二焊盘一一对应设置且数量相等，至少一个所述第二类型金属图案块的面积大于对应的所述第二焊盘的面积。
[0016]可选地，所述MCM封装结构还包括：第M类型裸片，M为大于等于3且小于等于N的任一正整数；所述第M类型裸片包括若干第M焊盘，所述第M焊盘位于所述第M类型裸片的活性面；
[0017]且所述塑封层还包覆所述第M类型裸片，所述塑封层的正面暴露所述第N焊盘；所述第M类型裸片具有第M实际位置与第M理论位置，所述第M实际位置相对于所述第M理论位置具有偏移量；
[0018]所述第一再布线层还包括第M子再布线层，所述第M子再布线层电连接所述第M焊盘且随所述第M实际位置一并偏移；
[0019]所述第二再布线层还电连接所述第M子再布线层，且所述第二再布线层基于所述第一类型裸片的所述第一理论位置、所述第二类型裸片的所述第二理论位置、
……
以及所述第N类型裸片的第N理论位置而确定。
[0020]可选地，所述第一类型裸片与所述第二类型裸片相同或不同。
[0021]可选地，所述MCM封装结构还包括：
[0022]第二介电层，包埋所述第二再布线层；
[0023]导电凸块，位于所述第二介电层上；所述导电凸块电连接所述第二再布线层，所述导电凸块为所述MCM封装结构的对外连接端。
[0024]可选地，所述导电凸块上包覆有抗氧化层。
[0025]本专利技术的第二方面提供一种MCM封装结构的制作方法，包括：
[0026]提供载板与承载于所述载板的至少一组待塑封件，每组所述待塑封件至少包括：第一类型裸片与第二类型裸片；所述第一类型裸片包括若干第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一类型裸片的活性面；所述第二类型裸片包括若干第二焊盘，所述第二焊盘位于所述第二类型裸片的活性面；所述第一类型裸片的活性面与所述第二类型裸片的活性面朝向所述载板；
[0027]在所述载板的表面形成包埋各组所述待塑封件的塑封层；去除所述载板，暴露各个所述第一类型裸片的活性面、各个所述第二类型裸片的活性面以及所述塑封层的正面；每个所述第一类型裸片具有各自的第一实际位置与各自的第一理论位置，所述第一实际位置相对于所述第一理论位置具有偏移量；每个所述第二类型裸片具有各自的第二实际位置与各自的第二理论位置，所述第二实际位置相对于所述第二理论位置具有偏移量；
[0028]基于各个所述第一类型裸片的所述第一实际位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二实际位置，在所述塑封层的正面一侧形成第一再布线层；形成包埋所述第一再布线层的第一介电层；
[0029]基于各个所述第一类型裸片的所述第一理论位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二理论位置，在所述第一介电层上形成第二再布线层。
[0030]可选地，所述形成第二再布线层步骤后，还包括：切割形成MCM封装结构，每个所述
MCM封装结构包括一组所述待塑封件。
[0031]可选地，所述基于各个所述第一类型裸片的所述第一实际位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二实际位置，在所述塑封层的正面一侧形成第一再布线层的步骤包括：
[0032]基于各个所述第一类型裸片的所述第一实际位置，在所述塑封层的正面一侧形成第一子再布线层；基于各个所述第二类型裸片的所述第二实际位置，在所述塑封层的正面一侧形成在此步骤中与所述第一子再布线层电绝缘的第二子再布线层；所述第一子再布线层和所述第二子再布线层共同构成所述第一再布线层；
[0033]所述基于各个所述第一类型裸片的所述第一理论位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二理论位置，在所述第一介电层上形成第二再布线层的步骤包括：
[0034]基于各个所述第一类型裸片的所述第一理论位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二理论位置，在所述第一介电层上形成将组内的所述第一类型裸片对应的所述第一子再布线层与所述第二类型裸片对应的所述第二子再布线层电连接的第二再布线层。
[0035]可选地，所述第一子再布线层与所述第二子再布线层在同一工序中制作或在不同工序中先后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MCM封装结构，其特征在于，包括：第一类型裸片，包括若干第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一类型裸片的活性面；所述第一类型裸片具有第一实际位置与第一理论位置，所述第一实际位置相对于所述第一理论位置具有偏移量；第二类型裸片，包括若干第二焊盘，所述第二焊盘位于所述第二类型裸片的活性面；所述第二类型裸片具有第二实际位置与第二理论位置，所述第二实际位置相对于所述第二理论位置具有偏移量；塑封层，包覆所述第一类型裸片与所述第二类型裸片；所述塑封层包括相对的正面与背面，所述塑封层的正面暴露所述第一焊盘与所述第二焊盘；第一再布线层，位于所述塑封层的正面一侧；所述第一再布线层包括第一子再布线层与第二子再布线层，所述第一子再布线层电连接所述第一焊盘且随所述第一实际位置一并偏移，所述第二子再布线层电连接所述第二焊盘且随所述第二实际位置一并偏移；第一介电层，包埋所述第一再布线层；第二再布线层，位于所述第一介电层上；所述第二再布线层电连接所述第一子再布线层与所述第二子再布线层，且所述第二再布线层基于所述第一类型裸片的所述第一理论位置与所述第二类型裸片的所述第二理论位置而确定。2.根据权利要求1所述的MCM封装结构，其特征在于，在所述第一再布线层中，所述第一子再布线层与所述第二子再布线层电绝缘。3.根据权利要求1或2所述的MCM封装结构，其特征在于，所述第一子再布线层与所述第二子再布线层分别包括一层金属图案层，或所述第一子再布线层与所述第二子再布线层分别包括两层及其以上数目的金属图案层。4.根据权利要求3所述的MCM封装结构，其特征在于，所述第一子再布线层的每层所述金属图案层包括第一类型金属图案块，所述第一类型金属图案块与所述第一焊盘一一对应设置且数量相等，至少一个所述第一类型金属图案块的面积大于对应的所述第一焊盘的面积；所述第二子再布线层的每层所述金属图案层包括第二类型金属图案块，所述第二类型金属图案块与所述第二焊盘一一对应设置且数量相等，至少一个所述第二类型金属图案块的面积大于对应的所述第二焊盘的面积。5.根据权利要求1或2所述的MCM封装结构，其特征在于，所述MCM封装结构还包括：第M类型裸片，M为大于等于3且小于等于N的任一正整数；所述第M类型裸片包括若干第M焊盘，所述第M焊盘位于所述第M类型裸片的活性面；且所述塑封层还包覆所述第M类型裸片，所述塑封层的正面暴露所述第M焊盘；所述第M类型裸片具有第M实际位置与第M理论位置，所述第M实际位置相对于所述第M理论位置具有偏移量；所述第一再布线层还包括第M子再布线层，所述第M子再布线层电连接所述第M焊盘且随所述第M实际位置一并偏移；所述第二再布线层还电连接所述第M子再布线层，且所述第二再布线层基于所述第一类型裸片的所述第一理论位置、所述第二类型裸片的所述第二理论位置、
……
以及第N类型裸片的第N理论位置而确定。6.一种MCM封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供载板与承载于所述载板的至少一组待塑封件，每组所述待塑封件至少包括：第一类型裸片与第二类型裸片；所述第一类型裸片包括若干第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一类型裸片的活性面；所述第二类型裸片包括若干第二焊盘，所述第二焊盘位于所述第二类型裸片的活性面；所述第一类型裸片的活性面与所述第二类型裸片的活性面朝向所述载板；在所述载板的表面形成包埋各组所述待塑封件的塑封层；去除所述载板，暴露各个所述第一类型裸片的活性面、各个所述第二类型裸片的活性面以及所述塑封层的正面；每个所述第一类型裸片具有各自的第一实际位置与各自的第一理论位置，所述第一实际位置相对于所述第一理论位置具有偏移量；每个所述第二类型裸片具有各自的第二实际位置与各自的第二理论位置，所述第二实际位置相对于所述第二理论位置具有偏移量；基于各个所述第一类型裸片的所述第一实际位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二实际位置，在所述塑封层的正面一侧形成第一再布线层；形成包埋所述第一再布线层的第一介电层；基于各个所述第一类型裸片的所述第一理论位置以及各个所述第二类型裸片的所述第二理论位置，在所述第一介电层上形成第二再布线层。7.根据权利要求6所述的MCM封装结构的制作方法，其特征在于，所述形成第二再布线层步骤后，还包括：切割形成MCM封装结构，每个所述MCM封装结构包括一组所述待塑封件。8.根据权利要求6所述的MCM封装结构的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，王鑫璐，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：