包括垂直金属触点的半导体器件模块及其制造方法技术

一种半导体器件模块(100)包括：封装载体(10)，包括开口(10A)，其中，在所述开口(10A)中设置半导体封装(20)，所述半导体封装包括：半导体管芯(22)、密封剂(23)和第一垂直触点(24)，其中，密封剂(23)至少部分地覆盖半导体管芯(22)，并且第一垂直触点(24)连接到半导体管芯(22)并且至少部分地延伸穿过密封剂(23)；以及第一外部金属接触层(40)，电连接到所述第一垂直触点(24)。一垂直触点(24)。一垂直触点(24)。

【技术实现步骤摘要】
包括垂直金属触点的半导体器件模块及其制造方法


[0001]本公开内容涉及一种半导体器件模块，其包括嵌入式半导体管芯和用于将半导体管芯的接触焊盘与外部金属接触层电连接的垂直金属触点。

技术介绍

[0002]在过去的几年中，已经进行了许多关于将无源部件和有源半导体管芯嵌入PCB或封装载体系统的活动。一些低压使用情况已经找到了它们的生产方式，因为嵌入提供了与模块或分立封装解决方案相比的附加价值，诸如紧凑性(功率密度)、导致低得多的寄生电感的短引线长度、良好的热管理和显著改进的功率循环能力。这些优点对于具有高达1200V的高电压的电源应用，且尤其是对于＞20kHz的快速开关应用也是有吸引力的。然而，当考虑到目前如何进行芯片嵌入时，必须首先解决一些现有的阻塞点，因为将来要考虑1700V、2000V或甚至更高的峰值电压。
[0003]当前的芯片嵌入工艺不满足高电压应用要求。目前用于芯片嵌入的PCB材料的击穿电压、卤素杂质水平和整体可靠性不适于600V器件。而且，芯片边缘和模块顶部上的布线层之间的隔离距离是有限的，且该距离通常最大为50
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件模块(100)，包括：
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封装载体(10)，包括开口(10A)，其中，在所述开口(10A)中设置半导体封装(20)，所述半导体封装(20)包括：半导体管芯(22)、密封剂(23)和第一垂直触点(24)，其中，所述密封剂(23)至少部分地覆盖所述半导体管芯(22)，并且所述第一垂直触点(24)连接到所述半导体管芯(22)；以及
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第一外部金属接触层(40)，电连接到所述第一垂直触点(24)。2.根据权利要求1所述的半导体器件模块(100)，其中，所述垂直触点(24)至少部分地延伸穿过所述密封剂(23)。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件模块(100)，还包括：
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管芯载体(21)，设置在所述封装载体(10)的开口(10A)中，所述半导体管芯(22)设置在所述管芯载体(21)上。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件模块(100)，其中，所述半导体管芯(22)包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述第一接触焊盘(22A)被设置在所述第一主面上，所述半导体管芯(22)还包括在所述第二主面上的第二接触焊盘(22B)。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件模块(100)，其中，所述半导体管芯(22)是功率半导体晶体管管芯。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件模块(100)，其中，所述垂直触点(24)具有垂直针或垂直导线的形式。7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体器件模块(100)，还包括：
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第二垂直触点(25)，与所述第二接触焊盘(22B)连接并且延伸穿过所述密封剂(23)。8.根据权利要求7所述的半导体器件模块(100)，还包括：
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第二外部金属接触层(41)，电连接到所述第二垂直触点(25)。9.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体器件模块(100)，其中，所述半导体管芯(22)是半导体晶体管管芯，并且所述第一接触焊盘(22A)是源极接触焊盘，并且所述第二接触焊盘(22B)是漏极接触焊盘。10.根据权利要求4至9中任一项所述的半导体器件模块(100)，所述半导体管芯(22)还包括设置在所述第一主面上的第三接触焊盘(22C)，所述第三接触焊盘(22C)是所述半导体晶体管管芯(22...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：