半导体结构及半导体封装制造技术

本申请实施例涉及半导体结构及半导体封装。根据一实施例的半导体结构，其包括：裸片，其具有第一表面；邻近所述第一表面的互连组件；以及钝化结构，其在所述第一表面上且围绕所述互连组件，其中所述钝化结构包括：第一介电体，其具有面向所述裸片的所述第一表面的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；以及第二介电体，其与所述第一介电体的所述第二侧接触。触。触。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体封装


[0001]本申请实施例涉及半导体领域，特别是涉及半导体结构及半导体封装。

技术介绍

[0002]裸片对裸片(die
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die)堆叠可以应用在在各种各样的的半导体封装产品中，这些半导体封装产品可以是如高宽带存储器(High Bandwidth Memory,HBM)、混合存储立方体(Hybrid Memory Cube,HMC)以及采用宽输入/输出(WideInput/Output,Wide I/O)技术的封装的三维集成电路(Three Dimensional IntegratedCircuit,3DIC)。在裸片堆叠结构中的裸片的背侧可以发现普遍的缺陷，具体地，在导电垫下方的钝化层由于异构界面(Heterogeneous Interface)之间的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)的失配，易于裂开。例如，背侧钝化层(例如，氧化物)与底部填充材料(Underfill)和导电垫交界，很可能会在热过程或压力(例如，热压接合、混合接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：裸片，其具有第一表面；邻近所述第一表面的互连组件；以及钝化结构，其在所述第一表面上且围绕所述互连组件，其中所述钝化结构包括：第一介电体，其具有面向所述裸片的所述第一表面的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；以及第二介电体，其与所述第一介电体的所述第二侧接触。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第二介电体进一步与所述第一介电体的所述第一侧和所述裸片的所述第一表面接触。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第二介电体进一步与所述互连组件和所述第一介电体的第三侧接触。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括在所述互连组件与所述第二介电体之间的衬垫，其中所述衬垫的顶部表面与所述第一介电体的所述第二侧横向对齐。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括在所述互连组件与所述第二介电体之间的衬垫，其中所述衬垫的顶部表面与所述第二介电体与所述第一介电体的所述第二侧接触的部分共面。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一表面是所述裸片的背侧。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃建文，洪子晴，杨昌儒，鲍德，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：