一种半导体封装结构及其形成方法技术

本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法，其中，所述半导体封装结构包括：第一半导体芯片；所述第一半导体芯片的表面形成有多个第一接触垫；介质层，位于所述第一半导体芯片上；所述介质层内形成有多个第二接触垫；第二半导体芯片堆叠结构，位于所述介质层上；所述第二半导体芯片堆叠结构包括依次堆叠的多层第二半导体芯片；第一层第二半导体芯片的表面形成有多个第三接触垫；所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接触垫、所述第二接触垫和所述第三接触垫一一对应相互键合；其中，每一个所述第二接触垫的宽度与其相对应的第一接触垫，和/或，第三接触垫的宽度不一致。触垫的宽度不一致。触垫的宽度不一致。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构及其形成方法


[0001]本公开涉及三维制程
，尤其涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化发展，封装也向着高密度、高集成化的方向发展，集成电路产品也从二维向三维发展。然而在芯片键合的过程中，接触垫之间可能会出现未对准的问题，影响器件的性能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体封装结构及其形成方法。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：
[0005]第一半导体芯片；所述第一半导体芯片的表面形成有多个第一接触垫；
[0006]介质层，位于所述第一半导体芯片上；所述介质层内形成有多个第二接触垫；
[0007]第二半导体芯片堆叠结构，位于所述介质层上；所述第二半导体芯片堆叠结构包括依次堆叠的多层第二半导体芯片；第一层第二半导体芯片的表面形成有多个第三接触垫；
[0008]所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接触垫、所述第二接触垫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体芯片；所述第一半导体芯片的表面形成有多个第一接触垫；介质层，位于所述第一半导体芯片上；所述介质层内形成有多个第二接触垫；第二半导体芯片堆叠结构，位于所述介质层上；所述第二半导体芯片堆叠结构包括依次堆叠的多层第二半导体芯片；第一层第二半导体芯片的表面形成有多个第三接触垫；所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接触垫、所述第二接触垫和所述第三接触垫一一对应相互键合；其中，每一个所述第二接触垫的宽度与其相对应的第一接触垫，和/或，第三接触垫的宽度不一致。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，每一个所述第一接触垫与其相对应的所述第三接触垫的宽度一致。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一接触垫形成在所述第一半导体芯片的有源面，所述第三接触垫形成在所述第一层第二半导体芯片的有源面，所述第一半导体芯片的有源面与所述第一层第二半导体芯片的有源面键合；其中，所述有源面为芯片形成器件层的一面。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个第一接触垫的宽度不一致；所述多个第二接触垫的宽度不一致；所述多个第三接触垫的宽度不一致。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一接触垫包括第一个第一接触垫和第二个第一接触垫；所述第二接触垫包括第一个第二接触垫和第二个第二接触垫，所述第一个第二接触垫的宽度大于所述第二个第二接触垫的宽度；所述第三接触垫包括第一个第三接触垫和第二个第三接触垫；其中，所述第一个第二接触垫的宽度大于与其相对应的第一个第一接触垫，和/或，第一个第三接触垫的宽度；所述第二个第二接触垫的宽度小于与其相对应的第二个第一接触垫，和/或，第二个第三接触垫的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述介质层的材料包括含硅化合物。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：位于所述第一层第二半导体芯片以上的多层第二半导体芯片内的第四接触垫；相邻两层第二半导体芯片之间相对应的第四接触垫的宽度不一...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：