一种铁电半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种铁电半导体器件的制备方法，包括：利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备HZO铁电层，以形成铁电半导体器件，解决了现有技术中采用原子层沉积方法生长铁电层时，造成生长效率低，且铁电层质量无法保障，影响铁电半导体的可靠性的技术问题，进而采用Hf单质靶材和Zr单质靶材进行溅射，形成HZO铁电层，提高了铁电层的质量，提高了铁电半导体器件的可靠性。提高了铁电半导体器件的可靠性。提高了铁电半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种铁电半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种铁电半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技的不断进步，人们对存储器的容量、体积、功耗和价格都有了更高的要求，其中，非易失性存储器中的闪存器件在不断缩小尺寸的基础之后，可靠性的需求也来越高。
[0003]目前采用的铁电半导体器件虽然具有高速、低功耗等优势，但是在生长该铁电层时需要采用原子沉积法进行沉积生长，采用这样的生长方式不仅效率较低，而且形成的铁电层质量无法得到保障，具体地，原子层沉积方法生长的铁电层质量会更好，只是会引入C、H等杂质，进而影响存储器的可靠性。
[0004]因此，如何提高铁电半导体器件的可靠性是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的铁电半导体器件的制作方法。
[0006]本专利技术提供了一种铁电半导体器件的制备方法，包括：
[0007]利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备H本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁电半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备HZO铁电层，以形成铁电半导体器件。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射工艺具体为如下任意一种：磁控溅射工艺、离子束溅射工艺、直流溅射工艺和反应溅射工艺。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在采用磁控溅射工艺时，所述利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备HZO铁电层，以形成所述铁电半导体器件，包括：将所述Hf单质靶材和所述Zr单质靶材放置于磁控溅射镀膜设备上，对所述磁控溅射镀膜设备通入交流电源，使得所述Hf单质靶材的溅射功率和所述Zr单质靶材的溅射功率均设定在6w～100w之间，并通入第一预设流量的氩气、第二预设流量的氧气以及第三预设流量的氮气，制备HZO铁电层，以形成所述铁电半导体器件器件。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HZO铁电层的厚度为3～70nm。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铁电半导体器件器件具体为铁电电容器或铁电场效应晶体管。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述铁电半导体器件器件为所述铁电电容器时，利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备HZO铁电层，以形成所述铁电半导体器件器件，包括：在第一衬底上形成下电极层；在所述下电极层上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗庆，王渊，姜鹏飞，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：