溅射靶部件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积I

【技术实现步骤摘要】
溅射靶部件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种Ga－Sn－O系溅射靶部件及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，作为薄膜晶体管(TFT)的通道层所使用的半导体层，使用多晶硅膜以及非晶硅膜等硅系材料。然而，硅系材料在可见光区域发生吸收，因此存在光入射导致载体产生从而薄膜晶体管发生误操作的问题。虽然设置了金属等的光阻挡层作为预防对策，但是存在开口率降低的问题。另外，为了保证画面亮度而需要背光灯的高亮度化，有消耗电力增大等缺点。
[0003]因此，近年，代替硅系材料，进行了使用透明氧化物半导体的薄膜晶体管的开发。作为其代表，有In－Ga－Zn－O系(IGZO)材料(专利文献1)。然而，由于IGZO是多成分系，因此各原料粉的性质和状态、成分的配比以及烧结条件的最优化难以进行。因此，IGZO的性质容易变化，溅射时产生结瘤以及异常放电成问题。另外，IGZO含有稀有金属，故而成为成本上升的主要原因，另外，存在未来供应不足之虞。
[0004]基于这样的背景，对构成元素少的Ga－Sn－O系(GTO)的氧化物靶进行了研究(专利文献2～3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射靶部件，仅仅由Ga、Sn、O以及不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.4≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积I
Sn
与整体峰面积I之比(I
Sn
/I)为0.1以上，体积电阻率为56,400Ω
·
cm以下，相对密度为94％以上。2.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积I
Sn
与整体峰面积I之比(I
Sn
/I)为0.2以上。3.如权利要求1或2所述的溅射靶部件，其中，粉末X射线衍射测量中的Ga4SnO8相的峰面积I
GaSn
与整体峰面积I之比(I
GaSn
/I)为0.3以下。4.权利要求1或2所述的溅射靶部件，其中，粉末X射线衍射测量中的Ga4SnO8相的峰面积I
GaSn
与整体峰面积I之比(I
Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：水藤耕介，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：