用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构，包括圆盘状的极靴，极靴上方同轴上方设有环状的外磁轭，外磁轭与极靴之间均匀分布有若干个外磁铁；极靴的中心处设有内磁铁，内磁铁的上方设有内磁轭。本发明专利技术解决了现有技术中存在磁控溅射靶阴极结构磁场分布不均匀、靶材利用率低、散热效果不佳的问题。散热效果不佳的问题。散热效果不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】
用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构


[0001]本专利技术属于真空镀膜
，涉及一种用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构。

技术介绍

[0002]磁控溅射已成为工业镀膜的主要技术之一，它能有效地降低靶室的工作压强和靶的工作电压，提高溅射速率和沉积速率，降低基片温度，减小等离子体对膜层的破坏，适合于生产大面积镀膜，在微电子、航空航天领域具有广阔的应用前景，也可用于高阻隔包装薄膜的制备。1842年Grove发现阴极溅射现象，经过此后一百多年的发展，磁控溅射已成为真空镀膜技术中应用最为广泛、发展最为迅速的技术之一，其推动力在于市场对高性能功能薄膜不断增长的需求。生产中需特别关注靶材利用率、沉积速率以及溅射过程稳定性等方面的问题，其根本在于整个系统的优化设计，靶设计则是其中的关键环节。国外在靶分析和设计方面优势明显，已经实现专业化和产业化；国内从事该方面系统研究的还很少，企业也都基本处于购买及仿制阶段，因此相关问题的研究将具有重要的学术和实践价值。为提高靶材利用率、膜层沉积速率和过程稳定性，必须对溅射系统进行整体的优化设计，其中靶(阴极)的设计最为关键。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构，其特征在于：包括圆盘状的极靴，极靴上方同轴上方设有环状的外磁轭，外磁轭与极靴之间均匀分布有若干个外磁铁；极靴的中心处设有内磁铁，内磁铁的上方设有内磁轭。2.根据权利要求1所述的用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构，其特征在于：所述极靴上还开设有圆盘状棱台，棱台的直径小于极靴的直径，外磁铁设置在棱台与极靴之间的区域内。3.根据权利要求2所述的用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构，其特征在于：所述棱台上对称分布有两个进出水法兰孔。4.根据权利要求1所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶伟，李梦飞，杜鹏飞，
申请(专利权)人：陕西理工大学，
类型：发明
国别省市：