温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种铁电半导体器件的制备方法，包括：利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备HZO铁电层，以形成铁电半导体器件，解决了现有技术中采用原子层沉积方法生长铁电层时，造成生长效率低，且铁电层质量无法保障...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。