提供了能够改善发光特性的发光元件和显示装置。在每个像素中设置多个阳极电极(11)。像素隔离绝缘膜(12)具有将多个阳极电极(11)中的每个暴露于外部的开口(120)，并在开口(120)中在内壁的厚度方向的中间位置具有檐部(123B)。有机层(13)包括由像素隔离绝缘膜(12)的檐部(123B)切断的CGL(132)，并覆盖开口(120)。阴极电极(14)设置在有机层(13)的位于阳极电极(11)的相对侧的表面上。阳极电极(11)的相对侧的表面上。阳极电极(11)的相对侧的表面上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和显示装置
[0001]本专利技术涉及发光元件和显示装置。
技术介绍
[0002]当在未应用像素印刷的有源有机发光二极管(OLED)面板中使用具有低电阻的有机材料时，存在一些已知的问题：有机层泄漏(其是经由有机材料在像素之间的电流泄漏)以及来自有机涂层有缺陷的部分的器件泄漏。如果发生这种电流泄漏，则当特定的像素被照亮时，电流流入相邻的像素，并且导致非预期的像素发光。因此，可能出现诸如色域劣化、颜色配准误差、发光效率劣化和对比度不足等缺陷。
[0003]作为这些问题的对策，已知一种结构，其中以切断像素之间的低电阻有机材料的方式设置像素隔离绝缘膜，使得像素彼此绝缘和隔离。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：JP 2013
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112694A
技术实现思路
[0007]技术问题
[0008]然而，在其中布置像素隔离绝缘膜的传统技术中，有机膜、阴极电极膜和保护膜的覆盖可能变得劣化并且导致发光特性的劣化。
[0009]因此，本公开提供一种能够改善发光性能的发光元件和显示装置。
[0010]问题的解决方案
[0011]根据本公开，多个第一电极被提供用于相应的像素。绝缘层具有将多个第一电极中的相应第一电极暴露至外部的开口，并且在开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部。有机层覆盖开口，并且包括通过绝缘层的檐部切断的电荷产生层。第二电极被设置在有机层的位于所述第一电极的相对侧的表面上。
附图说明
[0012]图1是根据第一实施例的发光元件的截面图。
[0013]图2是根据第一实施例的发光元件的一个示例的示意图。
[0014]图3是具有连续CGL的发光元件的截面图。
[0015]图4为说明CGL中漏电流影响的示意图。
[0016]图5是示意地示出根据第一实施例的第一变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
[0017]图6是示出根据第一实施例的第二变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
[0018]图7是示出根据第一实施例的第三变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
[0019]图8是根据第二实施例的像素隔离绝缘膜的截面图。
[0020]图9是示意地表示根据第二实施例的变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
[0021]图10是根据第三实施例的像素隔离绝缘膜的截面图。
[0022]图11是根据第四实施例的像素隔离绝缘膜的截面图。
[0023]图12是根据第五实施例的发光元件的截面图。
[0024]图13是根据第六实施例的发光元件的截面图。
[0025]图14是根据第七实施例的发光元件的截面图。
具体实施方式
[0026]现在将参考一些附图详细说明根据本公开的一些实施例。在下面的实施例中，相同的部分被给予相同的附图标记，并且将省略冗余的解释。
[0027](第一实施例)
[0028]由于有源OLED高清晰，很难应用像素打印。因此，在有机气相沉积中进行区域膜形成。采用该方法，在空穴迁移率高的部分中，来自相邻像素之间的电流泄漏成为有机层中的问题。电流泄漏的主要原因包括在有机层中具有高空穴电子迁移率的层中横跨像素的水平方向上的泄漏，以及由于有机涂层性质的劣化导致层变薄的部分中的电压降引起的垂直方向上的泄漏。
[0029]作为对该问题的对策，实践公开了通过切断像素之间的低电阻有机材料的方式设置像素隔离绝缘膜。此外，通过在设置在像素之间的像素隔离绝缘膜的阳极部分设置锥形，并增大锥角，从而减小空穴迁移率高的层的厚度以及由此减小迁移率，来抑制泄漏。第一层HIL/HTL等中的电流泄漏也被其阻挡。
[0030]然而，利用该技术，当有机层具有包括多个叠层的有机结构时，难以对第二叠层和其后的叠层采取措施。在具有两个或更多个叠层的有机结构中，即使阻断第一层中的HIL/HTL等中的电流泄漏，也难以阻断具有高空穴电子迁移率的层中的电流泄漏。此外，即使当有机层具有一层有机结构时，也会对具有高空穴迁移率的层的膜厚度的设计值施加一些限制，因此，可能变得难以充分地减小有机层的厚度。当是这种情况时，在具有高空穴迁移率的有机层中变得难以抑制电流泄漏，并且电性能、发光性能、可靠性等可能劣化。
[0031][根据第一实施例的发光元件的构造][0032]图1是根据第一实施例的发光元件的截面图。如图1所示，根据本实施例的发光元件1包括阳极电极11、像素隔离绝缘膜12和有机层13。
[0033]阳极电极11以像素为单位电隔离的方式设置，并且还用作反射层，因此，从提高发光效率的观点来看，优选具有尽可能高的反射率。因为阳极电极11被用作阳极，所以阳极电极优选地由具有高空穴注入性质的材料制成。
[0034]阳极电极11在层叠方向上的厚度(在下文中，简称为厚度)例如等于或大于30nm并且等于或小于1000nm。例如，阳极电极11的间距(相邻的阳极电极11之间的间隔)为200nm至1000nm左右。阳极电极11的材料的示例包括诸如铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、银(Ag)、以及铝(Al)的金属元素中的一种或者合金。也可以在阳极电极11的表面上提供透明导电膜，例如由氧化铟锡(ITO)制成的透明导电膜。阳极电极11的厚度基于布线电阻和反射率(表面粗糙度)之间的平衡适当地设置。对于所谓的底部发射元件(底面发射元件)，阳极电极11被设置为透明导电膜。
[0035]像素隔离绝缘膜12将像素之间的阳极电极11电隔离，并保证阳极电极11和与有机层13接触的阴极电极14之间的绝缘。像素隔离绝缘膜12通过层叠下绝缘层121、中间绝缘层122和上绝缘层123形成。像素隔离绝缘膜12对应于“绝缘层”的示例。
[0036]下绝缘层121具有开口，阳极电极11的顶面(面向阴极电极14的表面)通过该开口暴露至外部，并且以横跨顶面至侧面(端面)而覆盖阳极电极11的周缘的方式设置下绝缘层121。下绝缘层121的开口具有在从面向阴极电极14的表面朝向阳极电极11的方向上延伸的锥形内壁121A，该锥形内壁121A被锥形化为使得开口朝向阳极电极11变得越来越小。
[0037]中间绝缘层122层叠在下绝缘层121的表面上，该表面是面向阴极电极14的表面。中间绝缘层122被设置为与沿着下绝缘层121的开口的外周的每个点隔开一定距离。换言之，中间绝缘层122具有开口，开口的外周缘定位成远离下绝缘层121的开口一定距离。根据本实施例的中间绝缘层122的开口的内壁122A具有在厚度方向上与阳极电极11垂直的表面。
[0038]上绝缘层123层叠在中间绝缘层122的表面上，该表面是面向阴极电极14的表面。上绝缘层123具有开口，该开口的内壁123A是锥形的。阳极电极11侧由内壁123A界定的上绝缘层123的开口的外周具有从中间绝缘层122的开口的外周向内侧缩回本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：多个第一电极，每个第一电极被提供用于对应的像素；绝缘层，具有将所述多个第一电极中的对应的一个第一电极暴露于外部的开口，并且在所述开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部；有机层，覆盖所述开口并且包括由所述绝缘层的所述檐部切断的电荷产生层；以及第二电极，设置在所述有机层的表面上，所述表面是在所述第一电极的相对侧上的表面。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部具有锥形形状。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述檐部的最大厚度比所述内壁的厚度薄，或者所述檐部的锥角等于或小于预定角度。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘层包括多个所述檐部，并且所述电荷产生层设置为数量与所述檐部的数量相同，并且每个所述电荷产生层由相应的一个所述檐部切断。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述绝缘层包括通过所述内壁的倾斜而切断的所述电荷产生层。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部的位于所述开口一侧的端部与所述绝缘层的定位成比所述檐部更靠近所述第一电极的端部在远离所述开口的中心的方向上隔开预定距离，所述绝缘层的所述端部是在所述开口的一侧的端部。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部的位于所述开口的一侧的端部和所述绝缘层的定位成比所述檐部更靠近所述第一电极的端部与所述开口的中心相距相同的距离，所述绝缘层的所述端部为所述开口的一侧的端部。8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：西川智孝，引地邦彦，境祐贵，岛山努，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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