一种量子点发光二极管及制作方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管及制作方法，量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构，在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层，增加光路调整层不仅可以增加量子点发光二极管发出的光的出射截面面积，而且该光路调整层还可以对量子点发光二极管发出的光进行折射，从而对光进行光路调整，光路的调整可以提高光的出射几率并且可以提高器件各个角度的出光均匀性。增加光的出射面积、提高光的出射几率以及提高器件各个角度的出光均匀性可以让该量子点发光二极管的光提取效率得到了明显提升。取效率得到了明显提升。取效率得到了明显提升。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地说，涉及一种量子点发光二极管及制作方法。

技术介绍

[0002]随着科研机构和企业的不断探索和研究，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)器件在显示领域取得了重大突破。虽然QLED的结构与有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diodes，OLED)非常相似，但是OLED的发光材料采用有机材料，寿命是有机材料本身不可逾越的致命伤；而QLED的发光材料则采用无机物，其材料特性更稳定，寿命更长，成本也更低。并且QLED色彩表现更加完美，色域可轻易达到最严苛的色彩标准BT2020的90％以上。QLED可以结合量子点优异的光学和电学特性，成为下一代显示技术的强有力竞争者。
[0003]现有的QLED包括底发射量子点发光二极管以及顶发射量子点发光二极管，但是，不论是底发射量子点发光二极管还是顶发射量子点发光二极管，都存在光提取效率低的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种量子点发光二极管及制作方法，技术方案如下：
[0005]一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：
[0006]衬底；
[0007]位于所述衬底一侧的量子点发光层；
[0008]位于所述量子点发光层背离所述衬底一侧或者位于所述衬底背离所述量子点发光层一侧的光路调整层；
[0009]其中，所述光路调整层用于对所述量子点发光二极管发出的光进行光路调整。
[0010]可选的，在上述量子点发光二极管中，所述光路调整层的材料为X(ACB1)4配合物材料，其中，X为第三副族金属元素。
[0011]可选的，在上述量子点发光二极管中，所述X(ACB1)4配合物材料为乙酰丙酮铪(Hf(ACB1)4)配合物材料或乙酰丙酮锆(Zr(ACB1)4)配合物材料。
[0012]可选的，在上述量子点发光二极管中，所述X(ACB1)4配合物材料的溶液浓度为1mg/ml
‑
10mg/ml。
[0013]可选的，在上述量子点发光二极管中，所述光路调整层包括多个光路调整结构，任一所述光路调整结构背离所述衬底的一端为弧面，所述弧面朝向背离所述衬底的方向凸起。
[0014]可选的，在上述量子点发光二极管中，所述量子点发光二极管还包括：
[0015]位于所述衬底与所述量子点发光层之间，且在第一方向上依次堆叠设置的第一电极、空穴注入层以及空穴传输层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述量
子点发光层；
[0016]位于所述量子点发光层背离所述衬底一侧电子传输层；
[0017]位于所述电子传输层背离所述衬底一侧的第二电极；
[0018]其中，所述光路调整层位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者位于所述衬底背离所述第二电极一侧。
[0019]一种量子点发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：
[0020]提供一衬底；
[0021]在所述衬底一侧形成量子点发光层；
[0022]在所述量子点发光层背离所述衬底一侧或者在所述衬底背离所述量子点发光层一侧形成光路调整层；其中，所述光路调整层用于对所述量子点发光二极管发出的光进行光路调整。
[0023]可选的，在上述量子点发光二极管的制作方法中，所述光路调整层的材料为X(ACB1)4配合物材料，其中，X为第三副族金属元素。
[0024]可选的，在上述量子点发光二极管的制作方法中，所述X(ACB1)4配合物材料为乙酰丙酮铪(Hf(ACB1)4)配合物材料或乙酰丙酮锆(Zr(ACB1)4)配合物材料。
[0025]可选的，在上述量子点发光二极管的制作方法中，所述X(ACB1)4配合物材料的溶液浓度为1mg/ml
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10mg/ml。
[0026]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
[0027]本专利技术提供的一种量子点发光二极管包括衬底；位于衬底一侧的量子点发光层；位于量子点发光层背离衬底一侧或者位于衬底背离量子点发光层一侧的光路调整层；其中，光路调整层用于对所述量子点发光层发出的光做光路调整。量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构，在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层，增加光路调整层不仅可以增加量子点发光二极管发出的光的出射截面面积，而且该光路调整层还可以对量子点发光二极管发出的光进行折射，从而对光进行光路调整，光路的调整可以提高光的出射几率并且可以提高器件各个角度的出光均匀性。增加光的出射面积、提高光的出射几率以及提高器件各个角度的出光均匀性可以让该量子点发光二极管的光提取效率得到了明显提升。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的另一种量子点发光二极管的结构示意图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的又一种量子点发光二极管的结构示意图；
[0032]图4为本专利技术实施例提供的一种光路调整层材料的示意图；
[0033]图5为本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的制作方法的流程图；
[0034]图6为本专利技术实施例提供的顶发射量子点发光二极管的电流密度
‑
电压曲线示意图；
[0035]图7为本专利技术实施例提供的顶发射量子点发光二极管的亮度
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电压曲线示意图；
[0036]图8为本专利技术实施例提供的顶发射量子点发光二极管的电流效率
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电压曲线示意图；
[0037]图9为本专利技术实施例提供的顶发射量子点发光二极管的电致发光光谱示意图；
[0038]图10为本专利技术实施例提供的底发射量子点发光二极管的电流密度
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电压曲线示意图；
[0039]图11为本专利技术实施例提供的底发射量子点发光二极管的亮度
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电压曲线示意图；
[0040]图12为本专利技术实施例提供的底发射量子点发光二极管的电流效率
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电压曲线示意图。
具体实施方式
[0041]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：衬底；位于所述衬底一侧的量子点发光层；位于所述量子点发光层背离所述衬底一侧或者位于所述衬底背离所述量子点发光层一侧的光路调整层；其中，所述光路调整层用于对所述量子点发光二极管发出的光进行光路调整。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述光路调整层的材料为X(ACB1)4配合物材料，其中，X为第三副族金属元素。3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述X(ACB1)4配合物材料为乙酰丙酮铪(Hf(ACB1)4)配合物材料或乙酰丙酮锆(Zr(ACB1)4)配合物材料。4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述X(ACB1)4配合物材料的溶液浓度为1mg/ml
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10mg/ml。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述光路调整层包括多个光路调整结构，任一所述光路调整结构背离所述衬底的一端为弧面，所述弧面朝向背离所述衬底的方向凸起。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：位于所述衬底与所述量子点发光层之间，且在第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王福芝，刘怡娜，朱晓东，王洋，李美成，白一鸣，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：