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本发明提供了一种量子点发光二极管及制作方法，量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构，在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层，增加光路调整层不仅可以...
该专利属于华北电力大学所有，仅供学习研究参考，未经过华北电力大学授权不得商用。

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