本申请涉及显示技术领域，本申请实施例提供了一种封装方法、封装结构及显示装置。通过采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆待封装器件的第一无机层，得到第一无机层与待封装器件之间优良的结合界面，不仅可以在弯折时防止第一无机层断裂或者从待封装器件上剥落，而且提高了阻水氧能力，随后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层上沉积第二无机层，此时，不仅可以保护待封装器件不被等离子体损伤，还可以减少第一无机层的成膜时间。如此，提高了封装结构的使用寿命以及可靠性。靠性。靠性。
【技术实现步骤摘要】
封装方法、封装结构及显示装置
[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种封装方法、封装结构及显示装置。
技术介绍
[0002]相关技术中，对显示器件进行封装后，进行弯折时，容易产生封装结构中的无机层断裂或者无机层从显示器件上剥落的情形，造成封装结构的失效。
技术实现思路
[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种封装方法、封装结构及显示装置，以改善封装结构的可拉伸性和耐弯折性的力学性能，提高封装结构的可靠性。
[0004]根据本申请的一个方面，本申请实施例提供了一种封装方法，包括以下步骤：
[0005]采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层；
[0006]采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一无机层上沉积第二无机层；
[0007]在所述第二无机层上形成有机层；
[0008]重复上述形成所述第二无机层、形成所述有机层的步骤，以形成包括所述第一无机层、多层所述第二无机层和至少一层所述有机层的封装结构。
[0009]在其中一个实施例中，所述采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层具体包括：
[0010]采用原子层沉积工艺在所述待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的金属氧化层；
[0011]采用原子层沉积工艺在所述金属氧化层上形成含硅层，以形成包括所述金属氧化层、所述含硅层的所述第一无机层。
[0012]在其中一个实施例中，所述金属氧化层的厚度为1纳米至5纳米；和/或
[0013]所述含硅层的厚度为5纳米至50纳米。
[0014]在其中一个实施例中，所述金属氧化层包括三氧化二铝、氧化镁或者氧化钛中的一种或几种。
[0015]在其中一个实施例中，所述含硅层包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种。
[0016]在其中一个实施例中，所述在所述第二无机层上形成有机层具体包括：
[0017]采用喷墨列印工艺在所述第二无机层上喷涂有机溶液；
[0018]采用热固化工艺和/或光固化工艺固化位于所述第二无机层上的所述有机溶液，形成所述有机层。
[0019]在其中一个实施例中，所述在所述第二无机层上形成有机层之前包括：
[0020]采用第一预设工艺对所述第二无机层背离所述待封装器件的一侧表面进行图案化处理，以形成第一结构。
[0021]在其中一个实施例中，所述第一预设工艺包括镭射工艺。
[0022]在其中一个实施例中，所述第一结构包括水波纹结构、多边形结构中的一种或几种。
[0023]在其中一个实施例中，所述第一结构中的凹陷部分在第一方向上的宽度为50微米至200微米。
[0024]在其中一个实施例中，所述在所述第二无机层上形成有机层之后包括：
[0025]采用第二预设工艺对所述有机层背离所述待封装器件的一侧表面进行粗糙处理，以形成第二结构。
[0026]在其中一个实施例中，所述第二预设工艺包括光刻工艺或镭射工艺。
[0027]在其中一个实施例中，所述第二结构包括凹坑状结构、网格状结构、棱形结构中的一种或几种。
[0028]在其中一个实施例中，所述第二结构中的凹陷部分在第一方向上的宽度为30微米至80微米。
[0029]在其中一个实施例中，所述第二无机层的材料包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种。
[0030]在其中一个实施例中，所述第二无机层的厚度为800纳米至1200纳米。
[0031]在其中一个实施例中，所述有机层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯。
[0032]在其中一个实施例中，所述有机层的厚度为1000纳米至15000纳米。
[0033]根据本申请的另一个方面，本申请实施例提供了一种封装结构，采用如上述所述的封装方法制作得到。
[0034]根据本申请的又一个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括显示器件和上述所述的封装结构；
[0035]其中，所述显示器件包括有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。
[0036]基于本申请实施例的封装方法、封装结构及显示装置，通过采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆待封装器件的第一无机层，得到第一无机层与待封装器件之间优良的结合界面，不仅可以在弯折时防止第一无机层断裂或者从待封装器件上剥落，而且提高了阻水氧能力，随后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层上沉积第二无机层，此时，不仅可以保护待封装器件不被等离子体损伤，还可以减少第一无机层的成膜时间。如此，提高了封装结构的使用寿命以及可靠性。
[0037]本申请实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请实施例的实践了解到。
附图说明
[0038]图1为相关技术一实施例中封装结构的结构示意图；
[0039]图2为相关技术一实施例中封装结构的膜层示意图；
[0040]图3为本申请一实施例中封装结构的结构示意图；
[0041]图4为本申请一实施例中封装方法的流程示意图；
[0042]图5为本申请一实施例中第一无机层和第二无机层结合在一起的局部放大示意图；
[0043]图6为本申请一实施例中第一无机层和第二无机层的沉膜结界放大示意图；
[0044]图7为水氧入侵本申请一实施例中的封装结构的示意图；
[0045]图8为水氧入侵本申请另一实施例中的封装结构的示意图；
[0046]图9为本申请另一实施例中封装方法的流程示意图；
[0047]图10为本申请一实施例中第一结构的结构示意图；
[0048]图11为本申请又一实施例中第一结构的结构示意图；
[0049]图12为本申请又一实施例中封装方法的流程示意图；
[0050]元件符号简单说明：
[0051]10：玻璃基板
[0052]20：显示器件
[0053]30：无机阻挡层
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31：第一子无机层
[0054]32：第二子无机层
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33：第三子无机层
[0055]34：第四子无机层
[0056]40：有机缓冲层
[0057]100：基板
[0058]101：待封装器件
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102：阴极层
[0059]200：第一无机层
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210：金属氧化层
[0060]220：含硅层
[0061]300：第二无机层
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310：第一结构
[0062]400：有机层
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410：第二结构
[0063]A：凹陷
[0064]p1：第一路径
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p2：第二路径
[0065本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括以下步骤：采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层；采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一无机层上沉积第二无机层；在所述第二无机层上形成有机层；重复上述形成所述第二无机层、形成所述有机层的步骤，以形成包括所述第一无机层、多层所述第二无机层和至少一层所述有机层的封装结构。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层具体包括：采用原子层沉积工艺在所述待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的金属氧化层；采用原子层沉积工艺在所述金属氧化层上形成含硅层，以形成包括所述金属氧化层、所述含硅层的所述第一无机层。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述金属氧化层的厚度为1纳米至5纳米；和/或所述含硅层的厚度为5纳米至50纳米。4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述金属氧化层包括三氧化二铝、氧化镁或者氧化钛中的一种或几种。5.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述含硅层包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种。6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第二无机层上形成有机层具体包括：采用喷墨列印工艺在所述第二无机层上喷涂有机溶液；采用热固化工艺和/或光固化工艺固化位于所述第二无机层上的所述有机溶液，形成所述有机层。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第二无机层上形成有机层之前包括：采用第一预设工艺对所述第二无机层背离所述待封装器件的一侧表面进行图案化处理，以形成第一结构。8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第一预设工艺包括镭射工艺。9.根据权利要求7所述的封装方...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐欣原，
申请(专利权)人：业泓科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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