半导体装置和包括半导体装置的电子系统制造方法及图纸

公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：多个栅电极，其位于衬底上，以在竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，其穿过多个栅电极并且在竖直方向上延伸；串分离绝缘层，其穿过最上面的两个栅电极，并且在第一水平方向上延伸；多个位线接触件，其位于多个沟道结构上；以及多条位线，其位于多个位线接触件上。多条位线中的每一条包括：第一区段，其在第二水平方向上延伸；第二区段，其在第一水平方向上与第一区段间隔开，并且在第二水平方向上延伸；以及第一弯曲部分，其将第一区段连接至第二区段，并且相对于第二水平方向以约20度至约70度的倾角延伸。度至约70度的倾角延伸。度至约70度的倾角延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和包括半导体装置的电子系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2020年12月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0166968的优先权，该申请的公开内容以引用方式全文并入本文中。


[0003]本公开涉及半导体装置和包括半导体装置的电子系统，并且更具体地，涉及包括竖直沟道的半导体装置以及包括该半导体装置的电子系统。

技术介绍

[0004]要求数据存储的电子系统需要一种能够存储大容量数据的半导体装置。因此，正在对增大半导体装置的数据存储容量的方案进行研究。例如，已经提出了包括三维布置的存储器单元而非二维布置的存储器单元的半导体装置作为增大半导体装置的数据存储容量的方法。

技术实现思路

[0005]本公开通过包括以窄间距布置的沟道结构和连接至沟道结构的位线以具有低电阻来提供了一种具有改进的电气性能的半导体装置。
[0006]本公开提供了一种包括半导体装置的电子系统。
[0007]根据本公开的一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：多个栅电极，其布置在衬底上，以在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每一个穿过所述多个栅电极并且在所述竖直方向上延伸；串分离绝缘层，其穿过所述多个栅电极中的最上面的两个栅电极，并且在平行于所述衬底的上表面的第一水平方向上延伸；多个位线接触件，其布置在所述多个沟道结构上；以及多条位线，其布置在所述多个位线接触件上，所述多条位线中的每一条包括：第一区段，其在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；第二区段，其在所述第一水平方向上与所述第一区段间隔开，并且在所述第二水平方向上延伸；以及第一弯曲部分，其将所述第一区段连接至所述第二区段，并且相对于所述第二水平方向以20度至70度的倾角延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述多个位线接触件中的每一个的底表面与所述多个沟道结构中的对应的沟道结构的上表面接触，所述多个位线接触件在所述第二水平方向上具有第一宽度并且在所述第一水平方向上具有第二宽度，并且所述第二宽度小于所述第一宽度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述多个沟道结构包括：第一沟道结构；以及第二沟道结构，其在所述第二水平方向上与所述第一沟道结构间隔开，并且所述多条位线包括：第一位线，其具有布置在所述第一沟道结构上的所述第一区段；以及第二位线，其具有布置在所述第二沟道结构上的所述第二区段。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在平面图中：所述第一位线的所述第一弯曲部分和所述第二位线的所述第一弯曲部分布置在所述第一沟道结构与所述第二沟道结构之间，所述第一位线的所述第一弯曲部分相对于所述第二水平方向以20度至70度的倾角延伸，并且所述第二位线的所述第一弯曲部分相对于所述第二水平方向以20度至70度的倾角延伸。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一位线的所述第一弯曲部分与所述串分离绝缘层之间的在所述第二水平方向上的第一距离大于所述第二位线的所述第一弯曲部分与所述串分离绝缘层之间的在所述第二水平方向上的第二距离。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：所述多个位线接触件包括：
第一位线接触件，其布置在所述第一沟道结构上；以及第二位线接触件，其布置在所述第二沟道结构上，并且在平面图中：所述第一沟道结构在所述第一水平方向上的中心线与所述第一位线接触件重叠，并且所述第二沟道结构在所述第一水平方向上的中心线与所述第二位线接触件重叠。7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一位线的所述第一弯曲部分与所述串分离绝缘层之间的在所述第二水平方向上的距离实质上等于所述第二位线的所述第一弯曲部分与所述串分离绝缘层之间的在所述第二水平方向上的距离。8.一种半导体装置，包括：多个栅电极，其布置在衬底上，以在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每一个穿过所述多个栅电极并且在所述竖直方向上延伸；串分离绝缘层，其穿过所述多个栅电极中的最上面的两个栅电极，并且在第一水平方向上延伸；以及多条位线，其布置在所述多个沟道结构上，所述多条位线中的每一条包括：第一区段，其在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；第二区段，其在所述第一水平方向上与所述第一区段间隔开，并且在所述第二水平方向上延伸；以及第一弯曲部分，其将所述第一区段连接至所述第二区段。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一弯曲部分相对于所述第二水平方向以20度至70度的倾角延伸。10.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括：多个位线接触件，其分别布置在所述多个沟道结构上，其中：所述多个位线接触件中的每一个的上表面与所述多条位线中的对应的位线的底表面接触，并且所述多个位线接触件中的每一个的底表面与所述多个沟道结构中的对应的沟道结构的上表面接触。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：所述多个位线接触件在所述第一水平方向上具有第一宽度并且在所述第二水平方向上具有第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：所述多个沟道结构包括：第一沟道结构；以及第二沟道结构，其在...

【专利技术属性】
技术研发人员：金俊亨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：