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公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：多个栅电极，其位于衬底上，以在竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，其穿过多个栅电极并且在竖直方向上延伸；串分离绝缘层，其穿过最上面的两个栅电极，并且在第一水平方向上延伸；多个位线接触件，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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