半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：栅极层叠结构；沟道层，该沟道层在垂直方向上穿过栅极层叠结构；存储器层，该存储器层设置在沟道层和栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，该虚设层叠结构朝向栅极层叠结构延伸；第一虚设图案，该第一虚设图案在垂直方向上穿过虚设层叠结构；以及间隙，该间隙布置在第一虚设图案中。虚设图案中。虚设图案中。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法


[0001]各种实施方式可以总体涉及一种半导体存储器装置和一种半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置和一种三维半导体存储器装置的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器装置可以包括存储数据的多个存储器单元。已经提出了将存储器单元三维地布置在基板上的三维半导体存储器装置，以增加半导体存储器装置的集成密度。可以通过增加层叠在彼此之上的存储器单元的数量来提高三维半导体存储器装置的集成密度。

技术实现思路

[0003]根据一个实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：栅极层叠结构；沟道层，该沟道层在垂直方向上穿过栅极层叠结构；存储器层，该存储器层设置在沟道层和栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，该虚设层叠结构朝向栅极层叠结构延伸；第一虚设图案，该第一虚设图案在垂直方向上穿过虚设层叠结构；以及间隙，该间隙布置在第一虚设图案中。
[0004]根据一个实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：基板，该基板包括芯片区域和划片区域；栅极层叠结构，该栅极层叠结构包括在芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：栅极层叠结构；沟道层，所述沟道层在垂直方向上穿过所述栅极层叠结构；存储器层，所述存储器层设置在所述沟道层和所述栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，所述虚设层叠结构朝向所述栅极层叠结构延伸；第一虚设图案，所述第一虚设图案在所述垂直方向上穿过所述虚设层叠结构；以及间隙，所述间隙布置在所述第一虚设图案中。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括芯片保护图案，所述芯片保护图案在所述垂直方向上穿过所述虚设层叠结构，并且被布置成比所述第一虚设图案更靠近所述栅极层叠结构。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述芯片保护图案和所述第一虚设图案在与所述沟道层相交的方向上延伸。4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第一虚设图案的宽度大于所述芯片保护图案的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一虚设图案包括：绝缘层，所述绝缘层围绕所述间隙；以及金属层，所述金属层位于所述绝缘层和所述虚设层叠结构之间。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述间隙在所述垂直方向上延伸。7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述虚设层叠结构包括在所述垂直方向上彼此交替层叠的第一材料层和第二材料层，并且所述栅极层叠结构包括在所述垂直方向上彼此交替层叠的层间绝缘层和导电图案。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括第二虚设图案，所述第二虚设图案被布置成比所述第一虚设图案更远离所述栅极层叠结构，并且在所述垂直方向上延伸，其中，所述第二虚设图案沿所述虚设层叠结构的侧壁延伸。9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第二虚设图案包括：金属层，所述金属层形成在所述虚设层叠结构的所述侧壁上；以及绝缘层，所述绝缘层形成在所述金属层的侧壁上。10.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基板，所述基板包括芯片区域和划片区域；栅极层叠结构，所述栅极层叠结构包括在所述芯片区域中在所述基板上交替层叠的层间绝缘层和导电图案；沟道层，所述沟道层穿过所述栅极层叠结构；存储器层，所述存储器层设置在所述沟道层和所述栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，所述虚设层叠结构包括在所述划片区域中在所述基板上交替层叠的第一材料层和第二材料层；虚设图案，所述虚设图案穿过所述虚设层叠结构；以及间隙，所述间隙布置在所述虚设图案中。11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述虚设层叠结构朝向所述栅极
层叠结构延伸到所述芯片区域。12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括芯片保护图案，所述芯片保护图案在所述芯片区域中设置在所述基板上，并且穿过所述虚设层叠结构。13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述虚设图案的宽度大于所述芯片保护图案的宽度。14.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述虚设...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：