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本公开涉及一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：栅极层叠结构；沟道层，该沟道层在垂直方向上穿过栅极层叠结构；存储器层，该存储器层设置在沟道层和栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，该虚设层叠结构朝向栅极层叠结...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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