一种半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中，柱状沟道的延伸方向垂直于晶圆表面；柱状沟道沿平行于晶圆表面的第一方向和平行于晶圆表面的第二方向阵列分布；在晶体管阵列的各柱状沟道的一侧壁上形成栅极，其中，栅极平行于第一方向且沿第二方向排列；在相邻柱状沟道之间形成金属层，其中，金属层沿第一方向延伸；在晶体管阵列的各柱状沟道的延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极。本申请实施例中源极和漏极分别位于柱状沟道延伸方向的两端，栅极位于柱状沟道的一侧壁，缩小了晶体管阵列的面积。且相邻柱状沟道之间形成有金属层，能够屏蔽字线对相邻柱状沟道产生的干扰。道产生的干扰。道产生的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]晶体管在电子设备中被广泛地用作开关器件或驱动装置。例如，晶体管可以用于动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中，用于控制每一存储单元中的电容，并且由多个晶体管组成的晶体管阵列可以用于半导体存储器件中。
[0003]晶体管阵列主要包括平面晶体管阵列和填埋式沟道晶体管阵列，然而不论是平面晶体管阵列还是填埋式沟道晶体管阵列，都会占用较大面积。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的主要目的在于提供一种半导体器件及其制造方法。
[0005]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括晶体管阵列；所述方法包括：
[0007]在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中，所述柱状沟道的延伸方向垂直于所述晶圆表面；所述柱状沟道沿平行于所述晶圆表面的第一方向和平行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括晶体管阵列；所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中，所述柱状沟道的延伸方向垂直于所述晶圆表面；所述柱状沟道沿平行于所述晶圆表面的第一方向和平行于所述晶圆表面的第二方向阵列分布；在所述晶体管阵列的各柱状沟道的一侧壁上形成栅极，其中，所述栅极平行于所述第一方向且沿所述第二方向排列；在相邻所述柱状沟道之间形成金属层，其中，所述金属层沿所述第一方向延伸；在所述晶体管阵列的各所述柱状沟道的所述延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，同步形成所述栅极和所述金属层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道，包括：从所述晶圆表面刻蚀，形成阵列分布的所述柱状沟道和所述柱状沟道之间的第一凹槽。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，相邻柱状沟道侧壁上的所述栅极位于不同侧。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述同步形成所述栅极和所述金属层，包括：在所述第一凹槽中沉积绝缘材料，形成包围各柱状沟道的绝缘层；刻蚀所述绝缘层，形成暴露各柱状沟道一侧壁的第二凹槽和位于相邻所述柱状沟道之间的第三凹槽；其中，相邻柱状沟道的所述第二凹槽位于不同侧，所述第二凹槽和所述第三凹槽位于所述柱状沟道的不同侧；在所述第二凹槽和所述第三凹槽内填充金属材料，以形成所述栅极和所述金属层。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，相邻柱状沟道侧壁上的所述栅极位于相同侧。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述同步形成所述栅极和所述金属层，包括：在所述第一凹槽中沉积绝缘材料，形成包围各柱状沟道的绝缘层；刻蚀所述绝缘层，形成暴露各柱状沟道一侧壁的第二凹槽和位于相邻所述柱状沟道之间的第三凹槽；其中，相邻柱状沟道的所述第二凹槽位于相同侧，各相邻柱状沟道之间均具有一第二凹槽和一第三凹槽；在所述第二凹槽和所述第三凹槽内填充金属材料，以形成所述栅极和所述金属层。8.根据权利要求5或7所述的方法，其特征在于，在所述第二凹槽和所述第三凹槽内填充金属材料之前，所述方法还包括：通过所述第二凹槽对所述柱状沟道裸露的所述侧壁进行氧化处理，在所述柱状沟道的所述侧壁形成栅极氧化层。9.根据权利要求5或7所述的方法，其特征在于，所述第二凹槽曝露阵列分布的所述柱状沟道中位于同一列的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙超，江宁，刘威，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：