闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存器件及其制造方法，其中，所述闪存器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层，所述浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层上形成有暴露所述衬底的第一开口；在所述第一开口的侧壁及底部形成第一侧墙；沿所述第一开口向下刻蚀所述第一开口底部的所述第一侧墙和部分所述衬底形成第二开口，使所述第二开口的底部低于所述衬底的表面一设定距离；以及，在所述第二开口的侧壁及底部形成第二侧墙，并在所述第二开口内形成字线。本发明专利技术通过刻蚀部分衬底使后续形成的字线的底部低于衬底表面，从而增加所述字线的有效长度，减小了闪存器件的短沟道效应，提高了闪存器件的写入效率。的写入效率。的写入效率。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种闪存器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]闪存器件作为一种非易失性存储器，具有便捷、存储密度高、可靠性强等特点，应用广泛。现有的闪存器件的结构通常包括分栅结构、叠栅结构或其组合，其中，分栅式闪存器件具有编程效率高的特点。
[0003]随着先进半导体制造工艺的发展，NOR闪存的容量需求逐渐增大。为了在增大容量的同时缩小面积，通常需要进一步缩小闪存器件的最小尺寸。然而，随着闪存器件的面积缩小，所述闪存器件的短沟道效应也越发突出，成为制约闪存器件写入效率的关键因素。同时，所述闪存器件的容量增大也使得所述闪存器件的读干扰(Read Disturb)问题越发严重。
[0004]鉴于此，需要一种方法在闪存器件的面积缩小及容量增大的过程中改善闪存器件的短沟道效应及读干扰问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种闪存器件及其制造方法，增加了字线的有效长度，减小了闪存器件的短沟道效应，提高写入效率。
>[0006]为了达本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层，所述浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层上形成有暴露所述衬底的第一开口；在所述第一开口的侧壁及底部形成第一侧墙；沿所述第一开口向下刻蚀所述第一开口底部的所述第一侧墙和部分所述衬底形成第二开口，使所述第二开口的底部低于所述衬底的表面一设定距离；以及，在所述第二开口的侧壁及底部形成第二侧墙，并在所述第二开口内形成字线。2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述设定距离为3.如权利要求1或2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成于所述字线与所述衬底之间的所述第二侧墙的厚度范围为4.如权利要求1或2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度小于所述第一侧墙的厚度。5.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一开口的过程包括：刻蚀所述硬掩模层，形成暴露所述控制栅材料层的第三开口，并在所述第三开口的侧壁形成第三侧墙；沿所述第三开口向下刻蚀所述控制栅材料层，形成暴露所述浮栅材料层的第四开口，并在所述第四开口的侧壁上形成第四侧墙；以及，沿所述第四开口向下刻蚀所述浮栅材料层，形成所述第一开口。6.如权利要求5所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第四侧墙覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：于涛易，江红，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：