一种垂直MOS晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种垂直MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤S22：在沟槽的侧壁上形成侧墙，并以侧墙为掩模对沟槽的底壁进行离子注入；步骤S23：在沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙；步骤S24：在沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层。本发明专利技术通过增加步骤S22和步骤S23，来增加沟槽底壁上的绝缘层的厚度，也就是增加了第一绝缘膜层的厚度，还提高垂直MOS晶体管的击穿电压，以避免在沟槽的底角处发生介电层击穿，还可以降低垂直MOS晶体管的寄生电容，从而提高了器件的响应速度。从而提高了器件的响应速度。从而提高了器件的响应速度。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直MOS晶体管的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片
，特别涉及一种垂直MOS晶体管的制 备方法。

技术介绍

[0002]在半导体
中，随着半导体器件制造技术的不断发展，垂直 MOS晶体管(Vertical MOSFET，简称VMOS)由于其自身的优良器件性 能而具备越来越广阔的应用前景。
[0003]垂直MOS晶体管包括U型沟槽MOS晶体管和SGT MOS晶体管，如 图1a
‑
1d所示，U型沟槽MOS晶体管具有三角形的电场分布，且在沟槽的 底角处C具有最高的电场强度，该区域很容易发生介电层击穿，即U型沟 槽MOS晶体管的击穿电压较低。如图2a
‑
2c所示，SGT MOS晶体管具有 梯形形状的电场分布，且在沟槽的底角处C具有最高的电场强度，该区域 很容易发生介电层击穿，同样的，SGT MOS晶体管的击穿电压较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种垂直MOS晶体管的制备方法，可以提高 垂直MOS晶体管的击穿电压，以避免在沟槽的底角处发生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S21：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽具有圆角轮廓；步骤S22：在所述沟槽的侧壁上形成侧墙，并以所述侧墙为掩模对所述沟槽的底壁进行离子注入；步骤S23：在所述沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙；步骤S24：在所述沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S21包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括基底和外延层；经过刻蚀工艺在所述外延层中形成沟槽，所述沟槽的深度小于所述外延层的厚度；以及通过圆化处理所述沟槽的底角，以使得所述沟槽形成圆角轮廓。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S21之后还包括：在所述沟槽的内壁上沉积牺牲氧化层；以及并去除所述牺牲氧化层。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S22包括：在所述半导体衬底上沉积一膜层结构，所述膜层结构覆盖所述沟槽的内壁；通过刻蚀工艺去除所述半导体衬底表面以及所述沟槽底壁上的膜层结构，仅保留所述沟槽的部分侧壁上的膜层结构；以所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冲，邹永金，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：