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本发明提供一种垂直MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤S22：在沟槽的侧壁上形成侧墙，并以侧墙为掩模对沟槽的底壁进行离子注入；步骤S23：在沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙；步骤S24：在沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层。本发明...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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