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本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中，柱状沟道的延伸方向垂直于晶圆表面；柱状沟道沿平行于晶圆表面的第一方向和平行于晶圆表面的第二方向阵列分布；在晶体管阵列的各柱状沟道的一侧壁上...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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