电路基板的制造方法技术

本发明专利技术的课题是提供可在抑制镀层烧焦的同时形成微细布线的新的电路基板的制造方法。本发明专利技术的解决手段是一种电路基板的制造方法，其中，包括：(X)在绝缘层表面形成镀覆种子层的工序；镀覆种子层的厚度为250 nm以下，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为100 nm以下。nm以下。

【技术实现步骤摘要】
电路基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及电路基板的制造方法。

技术介绍

[0002]晶圆级封装(WLP)和面板级封装(PLP)等电路基板的制造中，再布线层一般如下形成：将感光性材料通过旋涂法设置于晶片或面板基板上并使其固化而形成绝缘层后，通过溅射法等形成导体层，重复该工序而多层化。
[0003]随着电子设备的高性能化，对电路基板要求进一步的微细布线化。但是，感光性材料存在绝缘性和热膨胀系数等物性比热固性材料更差的倾向，绝缘层的进一步薄型化困难，进一步的微细布线化(布线的微细化、高密度化)产生极限。因此，期待使用绝缘性和热膨胀系数等物性优异的热固性材料形成绝缘层(例如，专利文献1)。
[0004]现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2019
‑
016647号公报。

技术实现思路

[0005]专利技术所要解决的技术问题实现进一步的微细布线化时，既需要导体层的薄型化，也需要形成导体层时作为基底的镀覆种子层的薄型化。此外，使用热固性材料形成绝缘层的情况下，需要采用激光等的开孔加工以及除去因开孔加工而产生的树脂残渣(沾污)的去沾污(desmear)处理。
[0006]去沾污处理中，绝缘层的表面也被粗糙化。此时，若绝缘层表面的粗糙度升高，则形成于其上的镀覆种子层的厚度因绝缘层表面的凹凸而变得不均。并且，本专利技术人等发现镀覆种子层的较薄部分的电阻值升高，因此在之后的电解镀覆工序中，镀层的生长慢，导体层的形成不充分，产生难以形成均匀的导体层的问题。所述问题是在为了实现进一步的微细布线化而尝试形成薄的镀覆种子层的情况下首次发现的课题。
[0007]此外，在通过溅射法形成镀覆种子层的情况下，作为镀覆种子层的材料的导体对于绝缘层表面从上方附着，因此因绝缘层表面的凹凸结构而产生难以使导体附着的部分，一部分难以形成镀覆种子层。由此，产生均匀的导体层的形成变得更加困难的问题。
[0008]本专利技术人等发现，像这样为了实现进一步的微细布线化而使用热固性材料形成绝缘层、并在其表面形成薄型的导体层的情况下，发生所形成的导体层不均匀的所谓镀层烧焦(plating burn)这样的现象。
[0009]本专利技术的课题是提供可在抑制镀层烧焦的同时形成微细布线的新的电路基板的制造方法。
[0010]解决技术问题所采用的技术方案本专利技术人等为解决上述课题进行了认真研究，结果发现，如果采用具有下述构成的电路基板的制造方法可解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0011]即，本专利技术包括以下的内容；[1] 一种电路基板的制造方法，其中，包括：(X)在绝缘层的表面形成镀覆种子层的工序；镀覆种子层的厚度为250 nm以下，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为100 nm以下；[2] 根据[1]所述的方法，其中，将镀覆种子层的厚度设为D
s
(nm)、并将绝缘层表面的Ra设为Ra
i
(nm)时，满足1≤D
s
/Ra
i
；[3] 根据[1]或[2]所述的方法，其中，在工序(X)中，通过溅射法形成镀覆种子层；[4] 根据[1]～[3]中任一项所述的方法，其中，包括：通过电解镀覆法在镀覆种子层上形成导体层的工序；[5] 根据[4]所述的方法，其中，导体层的线宽/线距比(L/S)为5/5μm以下；[6] 根据[1]～[5]中任一项所述的方法，其中，在工序(X)之前，包括：(1)将包含支承体和设置于该支承体上的热固性树脂组合物层的树脂片材以该热固性树脂组合物层与基材接合的方式层叠于基材的工序，(2)使热固性树脂组合物层热固化而形成绝缘层的工序，(3)对绝缘层进行开孔加工的工序，以及(4)对绝缘层进行去沾污处理的工序；[7] 根据[6]所述的方法，其中，热固性树脂组合物层包含活性酯类固化剂；[8] 根据[1]～[7]中任一项所述的方法，其中，电路基板为晶圆级封装或面板级封装。
[0012]专利技术的效果根据本专利技术，能够提供可在抑制镀层烧焦的同时形成微细布线的新的电路基板的制造方法。
具体实施方式
[0013]以下，对本专利技术结合其优选实施方式进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于下述实施方式及示例物，可在不脱离本专利技术的权利要求书及其均等范围的范围内任意变更实施。
[0014][电路基板的制造方法]本专利技术的电路基板的制造方法(以下也简称为“本专利技术的制造方法”)的特征在于，包括：(X)在绝缘层的表面形成镀覆种子层的工序；镀覆种子层的厚度为250 nm以下，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为100 nm以下。
[0015]WLP或PLP这样的电路基板中，形成再布线层时，成为导体层的基底的镀覆种子层的厚度一般认为在600 nm～1000 nm左右。形成像这样较厚的镀覆种子层的情况下，在该镀覆种子层上通过电解镀覆法形成导体层时不会产生发生镀层烧焦这样的问题。
[0016]本专利技术人等为了应对近年来的进一步的微细布线化(布线的微细化、高密度化)的需求，尝试在使用热固性材料形成绝缘层的同时，在该绝缘层的表面形成较薄的镀覆种子
层。作为其结果，发现在该镀覆种子层上通过电解镀覆法形成的导体层的厚度产生不均，出现发生镀层烧焦的问题。使用热固性材料形成绝缘层的情况下，由于开孔加工后进行的去沾污处理等而存在绝缘层表面的粗糙度高的倾向。如果在所述绝缘层表面形成薄的镀覆种子层，则镀覆种子层的厚度因绝缘层表面的凹凸而容易变得不均。该情况下，镀覆种子层较薄的部分的电阻值比镀覆种子层较厚的部分更高，如果在其上通过电解镀覆法形成导体层，则镀覆种子层的较薄且电阻值较高的部分与其他部分相比，镀层的生长慢，导体层的形成变得不充分。推测由于这样的镀覆种子层的厚度不均，产生镀层烧焦。
[0017]针对这一点，通过包括在算术平均粗糙度(Ra)为100 nm以下的绝缘层表面形成厚度250 nm以下的镀覆种子层的工序的本专利技术的制造方法，可在显著抑制镀层烧焦的同时，以5/5μm以下的线宽/线距比(L/S)形成薄型的导体层，对于近年来所要求的进一步的微细布线化非常有帮助。
[0018]本专利技术的制造方法中，即使镀覆种子层的厚度更薄，也可抑制镀层烧焦，能够实现所期待的效果。例如，镀覆种子层的厚度可设为较好是240 nm以下、220 nm以下或200 nm以下，更好是180 nm以下、160 nm以下或150 nm以下，进一步更好是140 nm以下、120 nm以下或100 nm以下。对于镀覆种子层，在其上以所期望的图案形成导体层后，除导体层形成部以外的不需要部分可通过蚀刻等被除去。此时，镀覆种子层的厚度越小，则可越容易地除去镀覆种子层的不需要部分，能够将除去不需要部分时的导体图案的侵蚀抑制在最低限度，因此在实现微细布线化方面有利。
[0019]镀覆种子层至少包含导电种子层。导电种子层是电解镀覆法中起到电极的作用的层。作为构成导电种子层的导体材料，只要呈现足够的导电性，就无特别限定，作为优选的例子，可举出铜、钯、金、铂、银、铝及它们的合金。镀覆种子层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路基板的制造方法，其中，包括：(X)在绝缘层表面形成镀覆种子层的工序；镀覆种子层的厚度为250 nm以下，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为100 nm以下。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将镀覆种子层的厚度设为D
s
(nm)、并将绝缘层表面的Ra设为Ra
i
(nm)时，满足1≤D
s
/Ra
i
。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在工序(X)中，通过溅射法形成镀覆种子层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，包括：通过电解镀覆法在镀覆种子层上形成导...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈崎大地，
申请(专利权)人：味之素株式会社，
类型：发明
国别省市：