一种淀积设备制造技术

本申请实施例公开了一种淀积设备，该设备包括：反应腔室、磁场产生装置和电场产生装置；磁场产生装置用于在反应腔室内产生交流磁场，电场产生装置用于在反应腔室内产生电场，使得进入反应腔室内的等离子体在该交流磁场和该电场作用下对晶圆进行淀积和溅射；其中，电场产生装置对应晶圆的第二区域产生的电场强度大于其对应晶圆的第一区域产生的电场强度，晶圆的第二区域包围其第一区域，从而通过增强电场产生装置对应晶圆的第二区域产生的电场强度，来增强对晶圆的第二区域对应的等离子体的吸引力，进而提高等离子体对应晶圆的第二区域的溅射能力，改善淀积设备对应晶圆的第二区域的沟槽填充效果。的沟槽填充效果。的沟槽填充效果。

【技术实现步骤摘要】
一种淀积设备


[0001]本申请涉及半导体工艺
，尤其涉及一种淀积设备。

技术介绍

[0002]随着3D NAND(3D闪存)技术的发展，NO(Nitrides/Oxides)堆叠高度不断增加，这对NO堆叠中的沟槽填充提出了更高的要求。由于高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)设备能够同步进行淀积和刻蚀工艺，具有良好的沟槽填充能力，因此，目前主要采用HDP CVD设备对NO堆叠间的沟槽进行填充。
[0003]然而，现有HDP CVD设备在对晶圆进行沟槽填充时，往往对晶圆边缘区域的沟槽填充效果不好，因此，如何提供一种淀积设备，以改善对晶圆边缘区域的沟槽填充效果，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种淀积设备，以改善对晶圆边缘区域的沟槽填充效果。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
[0006]一种淀积设备，包括：
[0007]反应腔室，所述反应腔室具有顶部以及环绕在该顶部四周的侧壁，待处理的晶圆位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种淀积设备，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室具有顶部以及环绕在该顶部四周的侧壁，待处理的晶圆位于所述反应腔室内；磁场产生装置，所述磁场产生装置用于在所述反应腔室内产生交流磁场；电场产生装置，所述电场产生装置用于在所述反应腔室内产生电场；其中，所述电场产生装置对应晶圆的第二区域产生的电场强度大于其对应晶圆的第一区域产生的电场强度，所述晶圆的第二区域包围其第一区域。2.根据权利要求1所述的淀积设备，其特征在于，所述电场产生装置包括设置在所述反应腔室内的电极板，所述电极板包括至少两个部分，所述至少两个部分包括彼此绝缘的第一部分和第二部分，所述第二部分包围所述第一部分，且所述第二部分上所加的功率大于所述第一部分上所加的功率；其中，所述电极板的第一部分对应所述晶圆的第一区域，所述电极板的第二部分对应所述晶圆的第二区域。3.根据权利要求2所述的淀积设备，其特征在于，所述电极板的至少两个部分还包括彼此绝缘的第三部分
…
第N部分，N不...

【专利技术属性】
技术研发人员：张齐，涂飞飞，詹昶，王新胜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：