【技术实现步骤摘要】
一种提升PECVD镀膜均匀性的装置
[0001]本技术涉及太阳能电池生产领域，特别涉及硅片PECVD镀膜过程保持稳定性领域。
技术介绍
[0002]硅太阳能电池生产过程中，PECVD工艺是不可缺少的一道重要的工艺。
[0003]据测算，光在硅表面的反射损失率高达35%左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而提高转换效率，同时镀膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si
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H、N
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H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。
[0004]光伏太阳能PECVD工艺所需的气体包括硅烷、氨气和氮气等气体。
[0005]目前管式PECVD炉管进气方式为在前炉口内下部，安装一个Y字型的硅烷、氨气和氮气导流进气口，直径较大且仅是单一的通气方式。工艺气体从Y字型进气口进入炉管，工艺反应后，通过炉尾真空泵抽空实现气体的流动。这种工艺气体的进气...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于：该装置安装在PECVD的炉管（7）的口部内侧，包括双层管状结构（1）、加强板（2），双层管状结构（1）的夹层两端面密封，双层管状结构（1）一端夹层密封面上有小孔（3），加强板有3
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4块，每块都加强板（2）处于双层管状结构（1）的外侧周壁上，且所有加强板（2）处于同一个圆的圆周上，每块加强板（2）上有一个贯穿加强板（2）和双层管状结构（1）外壁的带内螺纹的第一通孔（4），PECVD的炉管（7）有与第一通孔（4）配合的带螺纹的第二通孔，进气装置（5）通过连接连接安装在第一通孔（4）和第二通孔上。2.根据权利要求1所述的一种提升PECVD镀膜均匀性的装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：张云鹏，王玉，赵科巍，杨飞飞，梁玲，李雪方，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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