复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
【技术实现步骤摘要】
复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置
[0001]本专利技术涉及复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，适合应用于例如配置多个小型的LED(Light Emitting Diode：发光二极管)而构成的微型LED方式的显示器装置。
技术介绍
[0002]近年来，作为显示器装置，使用液晶面板的显示器装置已广泛普及，另外，为了提高图像质量等，已开发出使用有机EL(Electro
‑
luminescence：电致发光)方式、微型LED方式等新方式的显示器的显示器装置。
[0003]其中，在微型LED方式的显示器(以下，也称作微型LED显示器)中，例如由红色(Red)、绿色(Green)和蓝色(Blue)这3色的LED元件构成1个像素(也称作像素、点)，在电路基板上将多个LED元件配置成格子状。该微型LED显示器通过单独精细地控制各LED元件的发光程度，能够显示高品质的图像。
[0004]通常，在对电路基板安装微小的LED元件那样的电子部件的情况下，进行倒装芯片安装。在该倒装芯片安装中，电子部件的电极与电路基板上的电极被共晶结合而形成合金，由此被物理地固定并且电连接。
[0005]另外，对于微型LED显示器，制造工序中的不良率的降低即所谓成品率的提高成为一个大的课题。特别是在倒装芯片安装中，在判定为安装于基板的电子部件不良的情况下，若从电路基板去除该电子部件，则会对电极造成很大损伤，因此难以在相同的场所稳定地安装新的电子部件。
[0006]因此，主要以微型LED显示器为对象，提出通过消除不良使得成品率提高的各种方法。例如在专利文献1中提出有如下方法：预先将冗余的LED元件安装在电路基板上，根据检查结果选择性地进行布线。另外，在专利文献2中提出有如下方法：在电路基板上的像素内设置能够安装LED元件的冗余的空间，在被判定为不良的部位附近安装新的LED元件。
[0007]专利文献1：美国专利申请公开第2018/0174932号说明书
[0008]专利文献2：美国专利申请公开第2017/0186740号说明书
[0009]然而，在上述方法中，虽然会使得成品率提高，但是由于在电路基板上需要用于安装冗余的LED元件的空间，因此存在如下问题：无法提高显示像素(所谓的像素)的集成度即安装密度或像素密度，从而难以实现显示的高精细化。
技术实现思路
[0010]本专利技术正是考虑以上方面而完成的，其目的在于提出一种能够容易地消除不良并且能够提高安装密度的复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置。
[0011]为了解决上述课题，在本专利技术的复合集成膜中设置有：基材薄膜；1个以上的贯通部，它们在基材薄膜中贯通相互对置的基材第一面和基材第二面；1个以上的电极，它们经由基材薄膜的贯通部在基材第一面与基材第二面之间形成电路径，在该基材第二面侧具有
平面状的电极面；以及1个以上的元件，它们设置于基材薄膜的基材第一面，与电极电连接，电极面与基材第二面形成同一平面。
[0012]另外，在本专利技术的复合集成膜供给晶片中设置有：晶片；以及多个上述复合集成膜，复合集成膜使基材第二面和电极面中的至少一方与晶片的正面抵接。
[0013]并且，本专利技术的半导体复合装置是具有电路基板和多个上述复合集成膜的半导体复合装置，其中，在电路基板上设置有：驱动电路，其选择性地驱动多个元件；多个第一方向布线；多个第二方向布线；以及多个连接盘，它们与第一方向布线和第二方向布线中的任意布线电连接，复合集成膜的电极面通过分子间力与电路基板的连接盘接合，复合集成膜中的基材第二面的至少一部分通过分子间力与电路基板的正面接合。
[0014]并且，本专利技术的半导体复合装置是具有电路基板和多个上述复合集成膜的半导体复合装置，其中，在电路基板上设置有：驱动电路，其选择性地驱动多个元件；多个第一方向布线；多个第二方向布线；以及多个连接盘，它们与第一方向布线和第二方向布线中的任意布线电连接，复合集成膜的电极面与电路基板的连接盘共晶接合，复合集成膜中的基材第二面的至少一部分通过分子间力与电路基板的正面接合。
[0015]在本专利技术中，由于复合集成膜的电极面与基材第二面形成有同一平面，因此，在将连接盘贴附到形成为平面状的电路基板时，能够利用分子间力使复合集成膜的电极面及其周围的基材第二面与该连接盘结合，并且通过分子间力使基材第二面与电路基板的正面接合。由此，本专利技术能够在使复合集成膜相对于电路基板稳定的状态下，使该电路基板的第一方向布线和第二方向布线与该复合集成膜的元件电连接，并进行工作状态下的检查。并且，本专利技术在该检查中存在异常部位的情况下，能够几乎不损伤电路基板地剥离该异常部位的复合集成膜，并更换成新的复合集成膜，因此不需要设置冗余的电路、元件。
[0016]根据本专利技术，可实现能够容易地消除不良并且能够提高安装密度的复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置。
附图说明
[0017]图1是表示复合集成膜的结构的概略图。
[0018]图2是表示复合集成膜制造过程的流程图。
[0019]图3是表示复合集成膜的制造的概略图。
[0020]图4是表示晶片上的复合集成膜的配置的概略图。
[0021]图5是表示晶片上的复合集成膜的配置的概略图。
[0022]图6是表示LED显示器装置的结构的概略立体图。
[0023]图7是表示复合集成膜相对于电路基板的贴附的概略立体图。
[0024]图8是表示复合集成膜相对于电路基板的贴附的概略图。
[0025]图9是表示电路基板的制造的概略图。
[0026]图10是表示LED显示器装置制造过程的流程图。
[0027]图11是表示LED显示器装置的制造的概略图。
[0028]图12是表示其他实施方式的复合集成膜的结构的概略图。
[0029]图13是表示其他实施方式的复合集成膜的结构的概略图。
[0030]图14是表示其他实施方式的复合集成膜的结构的概略图。
[0031]图15是表示其他实施方式的复合集成膜相对于电路基板的贴附的概略立体图。
[0032]图16是表示其他实施方式的复合集成膜相对于电路基板的贴附的概略图。
[0033]标号说明
[0034]1：复合集成膜；1B：膜反面；2：基材薄膜；2A：基材正面；2B：基材反面；2V、2V1、2V2、2V3、2V4：基材贯通孔；10：发光元件组；11：红色发光元件；12：绿色发光元件；13：蓝色发光元件；11A、12A、13A：阳极端子面；11K、12K、13K：阴极端子面；20、21、22、23、24：连接电极；20B、21B、22B、23B、24B：电极反面；40：布线材料组、41、42、43：阳极布线材料；44、45、46：阴极布线材料；50：制造装置；51：形成基板；52：形成正面；53：薄膜层；60：LED显示器装置；61：LED显示器显示部；66：显本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合集成膜，其特征在于，该复合集成膜具有：基材薄膜；1个以上的贯通部，其在所述基材薄膜中贯通相互对置的基材第一面和基材第二面；1个以上的电极，其经由所述基材薄膜的所述贯通部在所述基材第一面与所述基材第二面之间形成电路径，在该基材第二面侧具有平面状的电极面；以及1个以上的元件，其设置于所述基材薄膜的所述基材第一面，与所述电极电连接，所述电极面与所述基材第二面形成同一平面。2.根据权利要求1所述的复合集成膜，其特征在于，所述基材第二面和所述电极面的表面粗糙度为10[nm]以下。3.根据权利要求1或2所述的复合集成膜，其特征在于，膜阶梯差为所述基材薄膜的外形中的最短边的1/1000以下，所述膜阶梯差是所述基材第二面的法线方向上的该基材第二面与所述电极面之间的距离。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的复合集成膜，其特征在于，所述贯通部是在所述基材薄膜的内侧贯通所述基材第一面和所述基材第二面的贯通孔、或从所述基材薄膜的外周向内侧切出的缺口部。5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的复合集成膜，其特征在于，所述元件是由互不相同的2种以上的材料分别构成的多个发光元件。6.一种复合集成膜供给晶片，其特征在于，该复合集成膜供给晶片具有：晶片；以及多个权利要求1～5中的任意一项所述的复合集成膜，所述复合集成膜使所述基材第二面和所述电极面中的至少一方与所述晶片的正面抵接。7.根据权利要求6所述的复合集成膜供给晶片，其特征在于，所述晶片的正面的表面粗糙度为10[nm]以下。8.一种半导体复合装置，该半导体复合装置具有电路基板和多个权利要求1～5中的任意一项所述的复合集成膜，其特征在于，所述电路基板具有：驱动电路，其选择性地驱动多个所述元件；多个第一方向布线；多个第二方向布线；以及多个连接盘，它们与所述第一方向布线和所述第二方向布线中的任意布线...
【专利技术属性】
技术研发人员：石川琢磨，铃木贵人，谷川兼一，古田裕典，小酒达，中井佑亮，十文字伸哉，松尾元一郎，高桥千优，川田宽人，篠原悠贵，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。