【技术实现步骤摘要】
复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置
[0001]本专利技术涉及复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置,适合应用于例如配置多个小型的LED(Light Emitting Diode:发光二极管)而构成的微型LED方式的显示器装置。
技术介绍
[0002]近年来,作为显示器装置,使用液晶面板的显示器装置已广泛普及,另外,为了提高图像质量等,已开发出使用有机EL(Electro
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luminescence:电致发光)方式、微型LED方式等新方式的显示器的显示器装置。
[0003]其中,在微型LED方式的显示器(以下,也称作微型LED显示器)中,例如由红色(Red)、绿色(Green)和蓝色(Blue)这3色的LED元件构成1个像素(也称作像素、点),在电路基板上将多个LED元件配置成格子状。该微型LED显示器通过单独精细地控制各LED元件的发光程度,能够显示高品质的图像。
[0004]通常,在对电路基板安装微小的LED元件那样的电子部件的情况下,进行倒装芯片安装。在该倒装芯 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合集成膜,其特征在于,该复合集成膜具有:基材薄膜;1个以上的贯通部,其在所述基材薄膜中贯通相互对置的基材第一面和基材第二面;1个以上的电极,其经由所述基材薄膜的所述贯通部在所述基材第一面与所述基材第二面之间形成电路径,在该基材第二面侧具有平面状的电极面;以及1个以上的元件,其设置于所述基材薄膜的所述基材第一面,与所述电极电连接,所述电极面与所述基材第二面形成同一平面。2.根据权利要求1所述的复合集成膜,其特征在于,所述基材第二面和所述电极面的表面粗糙度为10[nm]以下。3.根据权利要求1或2所述的复合集成膜,其特征在于,膜阶梯差为所述基材薄膜的外形中的最短边的1/1000以下,所述膜阶梯差是所述基材第二面的法线方向上的该基材第二面与所述电极面之间的距离。4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的复合集成膜,其特征在于,所述贯通部是在所述基材薄膜的内侧贯通所述基材第一面和所述基材第二面的贯通孔、或从所述基材薄膜的外周向内侧切出的缺口部。5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的复合集成膜,其特征在于,所述元件是由互不相同的2种以上的材料分别构成的多个发光元件。6.一种复合集成膜供给晶片,其特征在于,该复合集成膜供给晶片具有:晶片;以及多个权利要求1~5中的任意一项所述的复合集成膜,所述复合集成膜使所述基材第二面和所述电极面中的至少一方与所述晶片的正面抵接。7.根据权利要求6所述的复合集成膜供给晶片,其特征在于,所述晶片的正面的表面粗糙度为10[nm]以下。8.一种半导体复合装置,该半导体复合装置具有电路基板和多个权利要求1~5中的任意一项所述的复合集成膜,其特征在于,所述电路基板具有:驱动电路,其选择性地驱动多个所述元件;多个第一方向布线;多个第二方向布线;以及多个连接盘,它们与所述第一方向布线和所述第二方向布线中的任意布线...
【专利技术属性】
技术研发人员:石川琢磨,铃木贵人,谷川兼一,古田裕典,小酒达,中井佑亮,十文字伸哉,松尾元一郎,高桥千优,川田宽人,篠原悠贵,
申请(专利权)人:冲电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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