一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法技术

本发明专利技术公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明专利技术使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，能够显著改善铸造单晶硅片的位错缺陷及多晶占比，从而改善铸造单晶硅片质量。硅片质量。硅片质量。

【技术实现步骤摘要】
一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法


[0001]本专利技术涉及领域，尤其涉及一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法。

技术介绍

[0002]在当前太阳能市场中，晶硅电池占据着绝对优势，晶体硅太阳能产品主要包含单晶硅及多晶硅，其中单晶硅电池中杂质及缺陷含量低，转换效率高，制备工艺复杂，对原料的纯度要求高，生产成本高，多晶硅电池内部存在大量的晶界、高密度的位错及杂质，其转换效率比单晶硅电池低2％以上。
[0003]而铸造单晶硅是一种同时具有单晶硅转换效率高及多晶硅高性价比的产品。铸造单晶硅具有一定的晶体取向、晶界少、位错密度较低，其电池采用碱制绒，从清洗制绒开始，电池工艺和单晶电池一样，转换效率比多晶硅电池明显提高，甚至接近单晶硅电池，其生产成本明显低于单晶硅，具有重要的商业价值。
[0004]目前生产铸造单晶的一般步骤为：在坩埚底部铺设一层单晶籽晶，在单晶籽晶上面装正常铸锭的头料、尾料、边皮和原生多晶硅料，采用半融工艺得到铸造单晶。其中单晶籽晶的铺设与硅锭生产过程中的位错缺陷、多晶面积占比紧密联系，所以籽晶拼接过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：S1、直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；S2、垂直晶硅生长方向将所述单晶方棒切割成大籽晶块；S3、将所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；S4、将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，其中大籽晶块铺设在坩埚中间区域，小籽晶块铺设在坩埚四周边缘，形成完整的籽晶层；S5、在所述籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；S6、将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；S7、将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；S8、将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。2.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S2中所述大籽晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：许志，
申请(专利权)人：福建新峰二维材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：