一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及硅晶制造技术领域，且公开了一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置，包括壳体、固定轴、转盘、转轴、伸缩杆、挡板，所述壳体侧壁的内部开设有通槽，所述固定轴顶部的侧面固定连接有固定板，所述转盘的内部开设有安装腔。本发明专利技术通过设计活动腔、凸轮、压板、通槽、转盘、安装腔、输气槽和挡气板，通过转轴的转动带动凸轮转动，进而促使压板将活动腔内部的气体挤压进入通槽内部并最终经输气槽传输至安装腔内，促使安装腔内部的气压增大从而顶动挡气板移动并带动转盘转动，利用转盘带动石英坩埚转动，从而促使石英坩埚内部的硅晶溶液更加的均匀，使得拉制硅晶棒的直径偏差减小，避免硅晶棒的直径偏差较大导致硅晶棒的质量不佳。不佳。不佳。

【技术实现步骤摘要】
一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置


[0001]本专利技术涉及硅晶制造
，具体为一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置。

技术介绍

[0002]硅晶是一种良好的半导体材料，广泛应用于大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等，是人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件电子信息的基础材料。
[0003]硅晶的主要应用形态为片装，但硅晶片是由硅晶棒切片而来，其主要制作方式通过将硅晶原料进行熔化，然后将籽晶浸入硅晶溶液内进行拉制，从而冷却后得到硅晶棒，在硅晶棒的拉制过程中由于硅晶棒的下端仍处于熔融状态，使得拉制成型的同一根硅晶棒上极易出现直径大小不一的现象，使得拉制成型的硅晶棒质量不佳，影响其正常使用，且在拉制过程中由于单晶炉内部的温度较高，使得拉制的硅晶棒难以成型，容易出现上侧未凝结的硅晶溶液顺着硅晶棒流淌的现象，从而导致成型后的硅晶棒品相不佳，甚至造成硅晶棒的结晶不均匀，影响后期制成硅晶片的导电性等。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中提出的现有拉晶装置在使用过程中存在的不足，本专利技术提供了一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置，具备防止硅晶棒出现直径大小不一和结晶不均匀、加速拉制硅晶棒的降温的优点，解决了上述
技术介绍
中提出的技术问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置，包括壳体、固定轴、转盘、转轴、伸缩杆、挡板，所述壳体侧壁的内部开设有通槽，所述固定轴顶部的侧面固定连接有固定板，所述转盘的内部开设有安装腔，所述转盘内部位于安装腔的外侧开设有输气槽，所述安装腔的侧壁固定连接有挡气板，所述壳体上侧壁内部位于转轴处开设有活动腔，所述转轴位于活动腔内部一段的外侧固定套接有凸轮，所述活动腔两侧的端面均固定连接有弹簧，所述弹簧的顶端固定连接有压板，所述压板的内部开设有进气槽，所述伸缩杆顶端的内部固定设有磁块，所述挡板两侧的内部均开设有储气腔，所述储气腔的底端固定连接有压簧，所述压簧的顶端固定连接有活塞板，所述活塞板位于压簧一侧的中部固定连接有顶杆，所述顶杆的顶端固定连接有挡块，所述活塞板的内部开设有出气槽，所述挡板的内部位于储气腔的外侧固定设有电磁铁，所述挡板的内部位于储气腔的上侧固定设有磁敏电阻，所述挡板的内部位于磁敏电阻的外侧固定设有电容，所述挡板位于储气腔靠近伸缩杆的一侧开设有排气槽。
[0006]优选的，所述固定板位于安装腔的内部，且固定板与安装腔的侧壁接触，所述挡气板的侧壁与固定轴的侧壁接触，所述固定板与挡气板之间通过拉簧连接，所述转盘的侧面开设有供输气槽和通槽连通用的槽。
[0007]优选的，所述壳体顶部位于活动腔的上侧开设有供活动腔进气的孔，且压板在活
动腔内的最小行程时进气槽与活动腔的上侧开设的孔连通，所述压板与凸轮的侧面接触。
[0008]优选的，所述通槽将输气槽和储气腔连通，所述通槽与储气腔连通的交叉处设为梯形开口且开口大的一侧朝向储气腔，所述挡块的截面直径值是梯形开口截面处大直径值与小直径值之间。
[0009]优选的，所述活塞板设置为带有磁性，所述活塞板的磁性与电磁铁的磁性相反，所述电磁铁通过导线与磁敏电阻和电容连接，所述磁敏电阻设置为磁场感应强度越大阻值越小。
[0010]优选的，所述活塞板位于储气腔内部的最大行程时出气槽与排气槽连通，所述挡板的中部开设有供伸缩杆和籽晶穿过的孔，且排气槽的另一端开设于所述孔的侧壁中部。
[0011]本专利技术具备以下有益效果：
[0012]1、本专利技术通过设计活动腔、凸轮、压板、通槽、转盘、安装腔、输气槽和挡气板，通过转轴的转动带动凸轮转动，进而促使压板将活动腔内部的气体挤压进入通槽内部并最终经输气槽传输至安装腔内，促使安装腔内部的气压增大从而顶动挡气板移动并带动转盘转动，利用转盘带动石英坩埚转动，从而促使石英坩埚内部的硅晶溶液更加的均匀，使得拉制硅晶棒的直径偏差减小，避免硅晶棒的直径偏差较大导致硅晶棒的质量不佳。
[0013]2、本专利技术通过设计通槽、挡板、储气腔、压簧、活塞板、顶杆、挡块和出气槽，通过伸缩杆带动籽晶上移至挡板处时，由于磁块所受热量减小，促使磁块恢复磁力，进而促使磁敏电阻所感应的磁场强度增大，从而使得电容内所储存的电流传输至电磁铁处，令电磁铁的磁力增大并对活塞板进行吸附，使得活塞板利用顶杆带动挡块移动，使得通槽内部的气体进入储气腔内，最终经出气槽和排气槽排出，促进硅晶棒的散热和降温，避免硅晶棒上侧仍有部分处于熔融状态，从而导致硅晶棒成型后结晶不均匀，影响硅晶的使用。
[0014]3、本专利技术通过设计通槽、活塞板、顶杆、挡块、安装腔、输气槽和挡气板，通过伸缩杆带动籽晶浸入硅晶溶液时，利用活塞板受压簧的作用复位，使得顶杆顶动挡板处于通槽与储气腔的连接处，使得气体经输气槽进入安装腔内部，并通过凸轮转动时的往复运动，使得两侧通槽进入安装腔内部的气体出现压差，从而使得转盘处于往复转动，且方向根据气压的作用不断调整，进而使得转盘带动石英坩埚不断来回转动，从而使得石英坩埚内部发的硅晶溶液被摇晃均匀，增加硅晶棒结晶的均匀度。
附图说明
[0015]图1为本专利技术结构示意图；
[0016]图2为本专利技术籽晶收回状态结构示意图；
[0017]图3为本专利技术籽晶位于挡板处状态结构示意图；
[0018]图4为本专利技术转盘内部结构示意图；
[0019]图5为本专利技术图1中A处放大结构示意图；
[0020]图6为本专利技术图1中B处放大结构示意图。
[0021]图中：1、壳体；11、通槽；2、固定轴；21、固定板；3、转盘；31、安装腔；32、输气槽；33、挡气板；4、石英坩埚；5、转轴；51、活动腔；52、凸轮；53、弹簧；54、压板；55、进气槽；6、伸缩杆；61、磁块；7、籽晶；8、挡板；81、储气腔；82、压簧；83、活塞板；84、顶杆；85、挡块；86、出气槽；87、电磁铁；871、磁敏电阻；872、电容；88、排气槽。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]请参阅图1、图2、图3和图4，一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置，包括壳体1，壳体1内腔底侧的中部固定连接有固定轴2，固定轴2的顶端活动套接有转盘3，转盘3的上端固定连接有石英坩埚4，壳体1顶端的中部活动套接有转轴5，转轴5伸入壳体1内腔的一端通过联轴器连接有伸缩杆6，伸缩杆6的顶端固定连接有籽晶7，壳体1内腔的中部固定连接有挡板8。
[0024]请参阅图1、图2、图3、图4、图5和图6，壳体1侧壁的内部开设有通槽11，固定轴2顶部的侧面固定连接有固定板21，转盘3的内部开设有安装腔31，转盘3内部位于安装腔31的外侧开设有输气槽3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置，包括壳体(1)、固定轴(2)、转盘(3)、转轴(5)、伸缩杆(6)、挡板(8)，其特征在于：所述壳体(1)侧壁的内部开设有通槽(11)，所述固定轴(2)顶部的侧面固定连接有固定板(21)，所述转盘(3)的内部开设有安装腔(31)，所述转盘(3)内部位于安装腔(31)的外侧开设有输气槽(32)，所述安装腔(31)的侧壁固定连接有挡气板(33)，所述壳体(1)上侧壁内部位于转轴(5)处开设有活动腔(51)，所述转轴(5)位于活动腔(51)内部一段的外侧固定套接有凸轮(52)，所述活动腔(51)两侧的端面均固定连接有弹簧(53)，所述弹簧(53)的顶端固定连接有压板(54)，所述压板(54)的内部开设有进气槽(55)，所述伸缩杆(6)顶端的内部固定设有磁块(61)，所述挡板(8)两侧的内部均开设有储气腔(81)，所述储气腔(81)的底端固定连接有压簧(82)，所述压簧(82)的顶端固定连接有活塞板(83)，所述活塞板(83)位于压簧(82)一侧的中部固定连接有顶杆(84)，所述顶杆(84)的顶端固定连接有挡块(85)，所述活塞板(83)的内部开设有出气槽(86)，所述挡板(8)的内部位于储气腔(81)的外侧固定设有电磁铁(87)，所述挡板(8)的内部位于储气腔(81)的上侧固定设有磁敏电阻(871)，所述挡板(8)的内部位于磁敏电阻(871)的外侧固定设有电容(872)，所述挡板(8)位于储气腔(81)靠近伸缩杆(6)的一侧开设有排气槽(88)。2.根据权利要求1所述的一种机器人中控操作系统承载的硅晶拉制装置，其特征在于：所述固定板(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梦杨，陶发展，付主木，温歌，
申请(专利权)人：洛阳师范学院，
类型：发明
国别省市：