一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法技术方案

本发明专利技术涉及一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法，系统包括缓冲罐、用于向缓冲罐输送气体的通气机构、用于定量抽取缓冲罐内气体的真空泵、用于检测缓冲罐内的真空值的真空检测部件以及控制器，缓冲罐与通气机构、真空泵、晶体硅反应炉均连通，真空检测部件至少部分设置在缓冲罐内；控制器与通气机构、真空检测部件、真空泵均连接，控制器用于控制真空泵抽取缓冲罐内气体，并用于根据真空检测部件的检测结果控制通气机构向缓冲罐内输送预设流量的气体，使缓冲罐内的真空值达到设定真空值。本发明专利技术提供的晶体硅反应炉真空控制系统，可精确调节控制晶体硅反应炉真空度，快速达到指定反应条件所需的真空压力，且确保压力调节的稳定，大大节省成本。大大节省成本。大大节省成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法


[0001]本专利技术属于晶体硅反应炉领域，具体涉及一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法。

技术介绍

[0002]随着环境问题及能源问题的日益严峻，人类对于清洁再生能源的关注达到了新的高度。太阳能作为最具潜力的可再生能源之一，太阳能发电池技术日趋成熟，不断发展，高效电池的效率记录不断刷新，各种不同技术路线的高效电池百花齐放。
[0003]在N型电池整个工艺流程中，PN结制备的质量是决定电池效率的关键步骤。目前，N型的PN结制备技术即掺杂硼技术主要有四种：管式BBr3扩散，旋涂硼源+扩散，APCVD硼源+扩散，离子注入+退火，其中管式BBr3扩散由于工艺难度低，性价比高，能有效避免金属离子污染，少子寿命高等特点而成为主流的硼掺杂技术，但常压的BBr3扩散炉在工艺生产过程中有很多问题仍需要解决。常压硼扩散预沉积过程中，由于反应产物B2O3的沸点在1600℃以上，扩散过程中始终处于液态，只能以大量氮气稀释分散分布到硅片表面，扩散均匀性难于控制。反应产物B与B2O3对石英器件的腐蚀严重，在恒温区外快速冷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的系统包括缓冲罐、用于向所述的缓冲罐输送气体的通气机构、用于定量抽取所述的缓冲罐内气体的真空泵、用于检测所述的缓冲罐内的真空值的真空检测部件以及控制器，所述的缓冲罐与所述的通气机构、真空泵、晶体硅反应炉的尾气出端均连通，所述的真空检测部件至少部分设置在所述的缓冲罐内；所述的控制器与所述的通气机构、所述的真空检测部件、所述的真空泵均连接，所述的控制器用于控制所述的真空泵抽取所述的缓冲罐内气体，并用于根据所述的真空检测部件的检测结果控制所述的通气机构向所述的缓冲罐内输送预设流量的气体，使所述的缓冲罐内的真空值达到设定真空值。2.根据权利要求1所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：当所述的缓冲罐内的真空值小于设定真空值时，所述的控制器控制所述的通气机构向所述的缓冲罐内输送气体，使所述的缓冲罐内的实际真空值达到设定真空值。3.根据权利要求1所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的系统还包括用于检测输送至所述的缓冲罐内的气体流量的流量检测部件。4.根据权利要求3所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的通气机构输送至所述的缓冲罐内的气体流量通过以下公式获得：CV＝Kp
×
E+Ki
×
∫(0,1)E
×
dt+KddE/dt+BPA＝PID
‑
CVE＝PV
‑
SP其中，SP为输入设定点值，B为输出偏置，Kp为比...

【专利技术属性】
技术研发人员：金鑫，任俊江，薇儿妮卡，
申请(专利权)人：赛姆柯苏州智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：