一种单晶硅生产用增加投料量的装置及其使用方法制造方法及图纸

技术编号:33374090 阅读:29 留言:0更新日期:2022-05-11 22:41
本发明专利技术公开了一种单晶硅生产用增加投料量的装置及其使用方法,涉及单晶硅制造技术领域。本发明专利技术包括埚邦组件、埚拖组件和石英埚,埚邦组件安装在埚拖组件的上方,埚邦组件包括有埚邦主体、埚底和第一连接卡条,埚邦主体内侧的底端固定有埚底,埚底的中部开设有连接孔,且埚底的横切面形状为下凹的弧形,埚底的底端固定有若干组第一连接卡条。本发明专利技术通过对结构的设计,可根据不同规格的埚邦主体选取对应规格的加高支撑环,将加高支撑环与埚邦主体安装,能够增加装置整体的高度,进而增加装置的投料量,且成本更低,对热场影响小,受生长参数制约小,且能够方便将埚邦组件整体从埚拖组件上取下,能够便于埚邦组件整体的快速拆装。能够便于埚邦组件整体的快速拆装。能够便于埚邦组件整体的快速拆装。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅生产用增加投料量的装置及其使用方法


[0001]本专利技术属于单晶硅制造
,特别是涉及一种单晶硅生产用增加投料量的装置及其使用方法。

技术介绍

[0002]单晶硅主要用于光伏发电,是目前全世界公认和大力发展的清洁能源,但是由于单晶硅制造工艺条件要求苛刻且能耗大、成本很高,在一定程度上阻碍了光伏发电的大力推广,因此在满足单晶硅生长条件的同时,降低能耗和降低生产成本是当前急需解决的问题,但是现有的增加单晶硅投料量的方法是制作容量更大的坩埚,成本较高,且对热场影响较大,受生长参数制约大。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种单晶硅生产用增加投料量的装置及其使用方法,以解决现有的问题:现有的增加单晶硅投料量的方法是制作容量更大的坩埚,成本较高,且对热场影响较大,受生长参数制约大。
[0004]为解决上述技术问题,本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种单晶硅生产用增加投料量的装置,包括埚邦组件、埚拖组件和石英埚,所述埚邦组件安装在埚拖组件的上方,所述埚邦组件包括有埚邦主体,所述埚邦主体的顶端装配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅生产用增加投料量的装置,其特征在于:包括埚邦组件(1)、埚拖组件(2)和石英埚(4),所述埚邦组件(1)安装在埚拖组件(2)的上方,所述埚邦组件(1)包括有埚邦主体(5),所述埚邦主体(5)的顶端装配有加高支撑环(3),所述石英埚(4)位于埚邦组件(1)的内部。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产用增加投料量的装置,其特征在于:所述埚邦组件(1)还包括有埚底(6)和第一连接卡条(7),所述埚邦主体(5)内侧的底端固定有埚底(6),所述埚底(6)的中部开设有连接孔,且所述埚底(6)的横切面形状为下凹的弧形,所述埚底(6)的底端固定有若干组第一连接卡条(7)。3.根据权利要求2所述的一种单晶硅生产用增加投料量的装置,其特征在于:所述埚拖组件(2)包括有埚拖板(8)、连接底座(9)和第二连接卡条(10),所述埚拖板(8)顶端的中部固定有连接底座(9),所述连接底座(9)的上表面的横切面形状为下凹的弧形,所述埚拖板(8)的上表面还固定有若干组第二连接卡条(10)。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产用增加投料量的装置,其特征在于:所述加高支撑环(3...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨昊李江峰杨阳李向宇
申请(专利权)人:弘元新材料包头有限公司
类型:发明
国别省市:

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