【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底支撑单元以及使用衬底支撑单元沉积层的设备和方法
[0001]本专利技术涉及衬底支撑单元和使用该衬底支撑单元沉积薄膜的设备和方法，并且更具体地，涉及被配置为支撑多个衬底的衬底支撑单元以及用于使用该衬底支撑单元在衬底上沉积薄膜的设备和方法。
技术介绍
[0002]通常，半导体器件通过各种工艺制造，诸如例如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和清洗工艺。在这些工艺中，执行沉积工艺以在衬底上形成材料层。沉积工艺包括例如物理气相沉积（PVD）工艺、化学气相沉积（CVD）工艺、原子层沉积（ALD）工艺等。
[0003]例如，US 2012/0145080公开了一种衬底支撑单元，具有旋转板和可旋转地安装在旋转板上的多个衬底载体，其中单个驱动器驱动旋转板的旋转和衬底载体在旋转板上的旋转。此类概念很复杂，并且因此需要大量维护。由于所有衬底载体彼此刚性耦合，因此调节独立的衬底载体是非常复杂且耗时的，尤其是当只有一个衬底载体需要更换时。
技术实现思路
[0004]因此，在本专利技术中，要解决的任务是提供一种台架支撑件，该台架支...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种衬底支撑单元，包括：转台（2），其是可围绕第一轴线（A1）旋转的并由第一驱动器（22）驱动，多个衬底载体单元（3），其与所述第一轴线（A1）同心地布置在所述转台（2）上，每个衬底载体单元包括衬底载体（34），所述衬底载体（34）是可围绕对应的第二轴线（A2）旋转的并且由第二驱动器（31）驱动，其中，所有第二轴线（A2）均平行于所述第一轴线（A1）。2.根据权利要求1所述的衬底支撑单元，其中，所述第二驱动器（31）适用于真空。3.根据权利要求1或2所述的衬底支撑单元，其中，所述第一驱动器（22）和/或所述第二驱动器（31）是步进电机。4.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑单元，其中，所述转台（2）包括盘形上台板（20），所述盘形上台板（20）具有用于接纳一个衬底载体单元（3）的多个孔（200），其中，所有孔（200）均与所述第一轴线（A1）同心地布置在共同直径上。5.根据权利要求4所述的衬底支撑单元，其中，每个衬底载体单元（3）包括壳体（30），其中所述第二驱动器（31）接纳在所述壳体中并且每个衬底载体单元（3）用所述壳体布置在所述转台（2）的对应孔（200）中。6.根据权利要求5所述的衬底支撑单元，其中，安装法兰（32）沿所述第二轴线（A2）可滑动地布置在所述第二驱动器（31）的第一轴（310）上，其中，所述第一轴（310）伸出所述壳体（30）的顶表面，其中，所述壳体（30）的所述顶表面垂直于所述第一轴（310）延伸并且与所述上台板（20）的顶表面基本上齐平。7.根据权利要求6所述的衬底支撑单元，其中，绝缘体（33）布置在所述安装法兰（32）和所述衬底载体（34）之间。8.根据权利要求6或7所述的衬底支撑单元，其中，位置检测系统（35；36）布置在与所述第一轴（310）相对的一侧的所述第二驱动器（31）上，其中，位置标志（35）布置在所述第二驱动器（31）的第二轴（311）上，其中，所述第二轴（311）与所述第一轴（310）共线并在其与所述第一轴（310）相对的一侧离开所述第二驱动器（31），其中，所述位置标志（35）是盘形的，延伸超过所述第二驱动器（31）的宽度并且包括至少一个开口，所述开口在所述盘的延伸超过所述第二驱动器（31）的宽度的那部分的圆周的一部分上延伸，以及其中，反射器（36）布置在与所述第二驱动器（31）相邻的所述衬底载体单元（3）的所述壳体（30）中，所述反射器（36）基本上垂直于所述第一轴线（A1）和对应的第二轴线（A2）的连接线布置，平行于所述第二轴线（A2）定向并面向所述位置标志（35）。9.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑单元，其中，上护罩（23）围绕所述衬底载体（34）布置，覆盖所述转台（2）的顶表面，其中，所述上护罩（23）的顶表面与所述衬底载体（34）的顶表面基本上齐平。10.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑单元，其中，下台板（24）布置在所述第二驱动器（31）下方，在所述转台（2）的整个圆周...
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