本发明公开了一种用于真空工艺系统的工艺挡板结构，该工艺挡板结构包括：‑挡板片(1)，所述挡板片具有基本上圆周的外径D<subgt;Do</subgt;、厚度t、第一表面(2)和第二表面(3)，所述片在所述第一表面(2)中在所...

本发明涉及一种用于涂覆至少一个三维

提供一种基板处理设备。该基板处理设备包括：可围绕第一轴线旋转的工作台、以不可旋转或可旋转的方式布置于工作台的第一侧上的第一保持器以及用于在第一基板平面中处理基板并且指向工作台的第一侧的至少一个部件。此外，基板处理设备包括：高温计，其布置...

本发明涉及一种用于测量压电晶体(1)的参数的测量设备(u)，材料薄膜(在真空下)沉积到所述压电晶体(1)上，所述测量设备包括：所述晶体(1)，其具有两个间隔开的电极(2、2')，所述材料膜沉积到所述晶体(1)上；频率发生器(3)，其被适...

本发明涉及生物特征认证系统，其包含：

为了在预定温度下对工件进行真空表面处理，所述预定温度不同于真空表面处理期间表面所暴露的温度，工件在传送方向(W)上沿着一个或多于一个站组(11)传送，所述站组由一个或多于一个调节站(13)和单个处理站(15)组成。于一个调节站(13)和...

用于在基材上溅射沉积材料的设备，所述设备（30）包括：

一种用于PVD源(1)的气环，所述PVD源具有阴极(24)，该阴极具有用于材料沉积的靶(6)。所述气环(2)包括内缘(3)和外缘(4)以及内缘与外缘之间的至少一个法兰(5、5)。气环(2)还包括：

每当基板(7)在真空接收器中围绕公共轴(A1)旋转且连续地输送并通过磁控管溅射源时，围绕中心靶轴旋转的靶(11)由固定磁控管等离子(25)的溅射适应于方位角范围(AE1,AE2,AE3)，基板(7)的径向上间隔不同的区域变得暴露于靶(1...

为了在对基底（5）进行真空处理时沿着这样的基底的表面建立所期望气体分压分布，通过完全沿基底（5）的整个周边（P）分布的开口（13）朝向基底（5）供给气体。在与一组开口（13）排他地连通的气体管线（9）处供给或去除所述气体。连通的气体管线...

一种衬底支撑单元，包括：转台（2），其可围绕第一轴线（A1）旋转并由第一驱动器（22）驱动；多个衬底载体单元（3），其与第一轴线（A1）同心地布置在转台（2）上，每个衬底载体单元包括衬底载体（34），该衬底载体（34）可围绕对应的第二轴...

具有用压电涂层(I)涂覆的表面的基材(S)，所述涂层包含A1‑

一种产生氢气离子的方法包括：生成二极管型3a、3bHF等离子体PL。这允许以改进的方式设置或调节等离子体源输出的离子的能量。置或调节等离子体源输出的离子的能量。置或调节等离子体源输出的离子的能量。

在真空处理接受器（3）中，在第一等离子体电极（111）与第二等离子体电极（112）之间生成等离子体，以便对衬底（9）实行真空等离子体处理。为了最小化两个等离子体电极（111，112）中的至少一个被处理过程中得到的沉积的材料所掩埋，该电极...

通过溅射在至少一个板状衬底上沉积化合物层的真空装置，其包含：具有围绕中心轴线(A)的侧壁的真空腔室(11)，所述腔室包括‑至少一个用于工艺气体的入口(13)；‑至少一个用于惰性气体的入口(14)；‑衬底搬运开口(15)；‑基座(5)，包...

一种用于溅射液体目标（3）的溅射设备，包括用于接收液体目标材料的槽（2），其特征在于设备包括用于搅拌或搅动液体目标材料的装置（25），该装置被配置成使液体目标材料去气或/和使目标的表面（4）上的固体颗粒或岛消散或/和将这种颗粒或岛从有源...

公开了用以沉积包含具有高度取向的微结构的材料的涂层的方法，该材料至少包括以下顺序的处理步骤：将平坦基板提供到第一真空处理腔室中；通过物理气相蚀刻(PVE)来蚀刻该基板的一个表面；在第一金属沉积步骤中，通过溅射将第一金属层(Me1)沉积在...

本发明涉及一种真空处理设备和真空处理衬底的方法。为了进行真空处理，衬底(14)被输送到中空柱形主体(4)的内部空间，并被放置在保持板(28)上，并朝向衬底支撑件(5a)和在衬底支撑件(5a)上被提起。衬底支撑件(5a)的开口与中空柱形主...

在真空接受器(1)内，进行等离子体增强原子层沉积(PEALD)，其中前体气体从前体气体入口(13)进入，且单分子层通过吸附沉积在基体(4)上。随后，反应气体通过反应气体入口(15)进入，且基体(4)上的单分子层反应由UHF等离子体(PL...

一种等离子体蚀刻装置，包括用于至少一个板形基板的真空腔室(2)，真空腔室具有环绕中心轴线(A)的侧壁(18，18’)，该腔室包括基板处理开口(28)；用于还原性气体和惰性气体的至少一个入口(34)；基座(11，11’)，其在腔室(2)的...