用于电子构件的接触装置以及用于制造电子构件的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于电子构件的接触装置（1），其具有：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子构件的接触装置以及用于制造电子构件的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于电子构件的接触装置。本专利技术此外涉及用于制造电子构件的方法。

技术介绍

[0002]从US 2012/0133052 A1、US 7,164,572 B1、EP 1 560 267 A1以及US 2017/0221814 A1已知用于电接触多层的基底的方法。
[0003]为了接触半导体构件的半导体元件、尤其为了接触功率半导体元件，部分地使用键合带，该键合带相比于键合线具有特别高的导电性能。为了布线基底的彼此间的接触、例如PCB与PCB的接触或者引脚框架之间的接触，也经常使用键合带。这类的键合带具有近似矩形的横截面，并且此外具有明显超过该键合带的厚度的宽度。这类的键合带能够例如借助于激光焊接而与布线基底的、例如PCB的触点连接面相连接。在此，典型地由铜构造而成的在基底上的触点连接面必须相对较厚，以便吸收必需的过程能量并且阻止布线基底的早期损坏。然而，布线基底的较厚的铜层总体上提高了用于布线基底的成本。此外，在厚的铜层的情况下必须设置印刷电路板上的更大的间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 用于电子构件的接触装置（1），其具有
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至少一个键合带（20），该键合带用于与布线基底（2）的触点连接面（8）进行连接，和
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布线基底（2），该布线基底带有上侧面（4）和下侧面（6），其中，至少在所述布线基底（2）的上侧面（4）上设置有用于与所述键合带（20）进行接触的至少一个触点连接面（8），其中，所述触点连接面（8）布置在所述布线基底（2）的体积中的至少一个被金属填充的凹缺（10）上。2.根据权利要求1所述的接触装置（1），其中，所述被金属填充的凹缺（10）在其与所述触点连接面（8）对置的侧面上被电绝缘层遮盖。3.根据权利要求1或者2所述的接触装置（1），其中，所述凹缺（2）逐渐缩小，从而该凹缺尤其在纵向剖视图中锥形地构造，其中，该凹缺的最大的直径紧挨着构造在所述触点连接面（8）下方。4.根据上述权利要求中任一项所述的接触装置（1），其中，所述布线基底（2）多层地构造，并且在所述触点连接面（8）下方将多个彼此上下地布置的、被金属填充的凹缺（10）如此布置在所述布线基底（2）的体积中，从而使得它们彼此连接。5.根据上述权利要求中任一项所述的接触装置（1），其中，在所述触点连接面（8）下方将多个彼此并排地布置的、被金属填充的凹缺（10）如此布置在所述布线基底（2）的体积中，从而使得它们彼此连接。6.根据上述权利要求中任一项所述的接触装置（1），其中，至少一个凹缺（10）的金属填充具有铜或者由铜构成。7.根据上述权利要求中任一项所述的接触装置（1），其中，所述被金属填充的凹缺（10）的上侧面与所述布线基底（2）的包围着所述凹缺的上侧面（4）齐平地构造，并且/或者具有所述触点连接面（8）的金属层至少遮盖所述被金属填充的凹缺（10）的上侧面。8.根据上述权利要求中任一项所述的接触装置（1），其中，所述键合带（20）与所述至少一个触点连接面（8）借助于激光焊接连接进行连接。9.根据上述权利要求中任一项所述的接触装置（1），其中，所述布线基底（...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：纬湃科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：