半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，包括：相对设置的硅基板和透明基板，硅基板面向透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，透明基板面向硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；第一电极与第二电极电连接；转接载板，转接载板在位于硅基板至少一边的远离硅基板区域中设置有引线电极；引线电极与第二电极电连接，并将第二电极的电信号引至转接载板远离硅基板的一侧表面。本发明专利技术引线电极设置在转接载板位于硅基板至少一边的远离硅基板区域中，即引线电极可由硅基板周边的至少一侧引出，再藉由转接载板引至背侧。可支持高密度引线电极多边出线，简洁化制程工艺。同时，将电信号引至背侧，节省了半导体器件的尺寸。节省了半导体器件的尺寸。节省了半导体器件的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法


[0001]本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]LCOS(Liquid Crystal on Silicon)是制作在单晶硅上的LCD新型显示器，是LCD与CMOS集成电路有机结合的新兴技术。LCOS具有高分辨率、反射式成像、低价格的特点。LCOS显示器是一种反射型液晶显示器件，其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面。
[0003]图1为一种LCOS显示器的剖面图。如图1所示，LCOS显示器包括硅基板01，位于所述硅基板01上方的液晶层02、ITO电极层03和玻璃基板04，硅基板01中形成有像素阵列，ITO电极层03用作LCOS显示器的公共电极。
[0004]在LCOS显示器中，硅基板01的右侧与玻璃基板04相比伸出一部分，用于放置引线电极(例如密集的单排焊垫05a)，该引线电极用于与外围电路电连接或作为输入/输出(I/O)电极；在玻璃基板04的左侧与硅基板01相比伸出一部分。上述两个伸出方向是朝相反方向伸出的，占用了不少面积，其只完成连接功能而并不实现显示功能，因此该种结构的LCOS面板的尺寸较大。
[0005]而且随着I/O密度增多，在硅基板01相比玻璃基板04伸出的一侧设置的引线电极数量已不能满足需求，于是如图2所示，在硅基板01相比玻璃基板04伸出的一侧设置更多引线电极(例如密集的双排焊垫05a和05b)，然而这将使集成电路设计难度增加,双排焊垫之间相互影响，双排焊垫各自成为对方的噪声源，增大了LCOS噪声抑制复杂度,而且同样面积内焊垫线宽需更小导致成本增加。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，可支持高密度引线电极多边出线，简洁化制程工艺。同时，将电信号引至背侧，节省了半导体器件的尺寸。
[0007]本专利技术提供一种半导体器件，包括：
[0008]相对设置的硅基板和透明基板，所述硅基板面向所述透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；所述第一电极与所述第二电极电连接；
[0009]转接载板，所述转接载板在位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板的区域中设置有引线电极；所述引线电极与所述第二电极电连接，并将所述第二电极的电信号引至所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面。
[0010]进一步的，所述硅基板呈方形，所述转接载板设置在所述硅基板的至少一组对边的外侧区域。
[0011]进一步的，所述转接载板位于所述硅基板下方的区域中设置有散热金属层。
[0012]进一步的，所述硅基板与所述散热金属层之间设置有散热膏层。
[0013]进一步的，所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面设置有散热鳍片，所述散热鳍片位于所述散热金属层的下方区域。
[0014]进一步的，所述透明基板与所述转接载板的接缝处周圈设置有保护胶或金属密封膜层。
[0015]进一步的，所述转接载板中在所述引线电极远离所述硅基板的一侧设置有虚拟焊垫，所述虚拟焊垫与所述引线电极绝缘，所述金属密封膜层形成在所述虚拟焊垫上。
[0016]进一步的，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面还设置有ITO电极层，所述ITO电极层与所述第二电极电连接，所述ITO电极层与所述硅基板之间设置有液晶层。
[0017]本专利技术还提供一种半导体器件的形成方法，包括：
[0018]提供相对设置的硅基板和透明基板，所述硅基板面向所述透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；所述第一电极与所述第二电极电连接；
[0019]提供转接载板，所述转接载板在位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板的区域中设置有引线电极；所述引线电极与所述第二电极电连接，并将所述第二电极的电信号引至所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面。
[0020]进一步的，所述硅基板为LCOS硅基板时，提供相对设置的硅基板和透明基板具体包括：
[0021]提供硅晶圆，所述硅晶圆的上方形成有液晶层，所述硅晶圆的上表面间隔嵌设有所述第一电极；提供透明基板晶圆，所述透明基板晶圆面向所述硅晶圆的一侧表面形成有电连接的ITO电极层和所述第二电极；
[0022]在所述第二电极与所述第一电极对接处设置导电胶，将所述硅晶圆与所述透明基板晶圆热压合，所述第二电极与所述第一电极通过所述导电胶电连接；
[0023]对所述硅晶圆划片形成沟槽，所述沟槽贯穿硅晶圆和所述导电胶，并暴露出所述第二电极；
[0024]对所述透明基板晶圆划片。
[0025]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0026]本专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：相对设置的硅基板和透明基板，所述硅基板面向所述透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；所述第一电极与所述第二电极电连接；转接载板，所述转接载板在位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板区域中设置有引线电极；所述引线电极与所述第二电极电连接，并将所述第二电极的电信号引至所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面。本专利技术引线电极(例如I/O焊垫)设置在所述转接载板位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板区域中，即引线电极可由硅基板周边的至少一侧引出，再藉由转接载板引至远离所述硅基板的一侧表面(背侧)。可支持高密度引线电极(I/O焊垫)多边出线，简洁化制程工艺设计。同时，将电信号引至背侧，节省了半导体器件的尺寸。
[0027]进一步的，可在所述转接载板位于所述硅基板下方的区域中嵌设有散热金属层。所述硅基板与所述散热金属层之间设置有散热膏层，基于散热膏层使用,使硅基板处于近似悬浮态,有效降低机械应力，实现低应力封装。
[0028]进一步的，所述透明基板与所述转接载板的接缝处周圈设置有保护胶或金属密封膜层，提高了半导体器件的防潮湿和防水气性能。
附图说明
[0029]图1为一种LCOS显示器示意图。
[0030]图2为一种LCOS显示器双排焊垫噪声影响示意图。
[0031]图3a为本专利技术实施例的半导体器件为LCOS显示器且保护胶密封的示意图。
[0032]图3b为图3a的仰视图。
[0033]图4为本专利技术实施例的半导体器件为LCOS显示器且设置有散热鳍片的示意图。
[0034]图5为本专利技术实施例的半导体器件为LCOS显示器且金属密封膜层密封的示意图。
[0035]图6为本专利技术实施例的半导体器件为CIS且设置有散热膏层的示意图。
[0036]图7为本专利技术实施例的半导体器件为CIS不设置散热膏层的示意图。
[0037]图8为本专利技术实施例的半导体器件为CIS且转接载板只在一组对边外侧设置的示意图。
[0038]图9为本专利技术实施例的半导体器件为CIS且第一电极和第二电极以再分布金属层(RDL)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：相对设置的硅基板和透明基板，所述硅基板面向所述透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；所述第一电极与所述第二电极电连接；转接载板，所述转接载板在位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板的区域中设置有引线电极；所述引线电极与所述第二电极电连接，并将所述第二电极的电信号引至所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅基板呈方形，所述转接载板设置在所述硅基板的至少一组对边的外侧区域。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述转接载板位于所述硅基板下方的区域中设置有散热金属层。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述硅基板与所述散热金属层之间设置有散热膏层。5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面设置有散热鳍片，所述散热鳍片位于所述散热金属层的下方区域。6.如权利要求1至5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述透明基板与所述转接载板的接缝处周圈设置有保护胶或金属密封膜层。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述转接载板中在所述引线电极远离所述硅基板的一侧设置有虚拟焊垫，所述虚拟焊垫与所述引线电极绝缘，所述金属密封膜层形成在所述虚拟焊垫上。8.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：范纯圣，林蔚峰，
申请(专利权)人：豪威半导体上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：