一种用于制造光电子半导体芯片的方法技术

本发明专利技术提供一种用于制造光电子半导体芯片的方法，涉及半导体芯片制造技术领域。该光电子半导体芯片，包括芯片基板，所述芯片基板的上表面设置有第一叠层体，所述第一叠层体的上表面设置有连接体，所述连接体的上表面设置有第二叠层体，所述芯片基板的上表面且位于第一叠层体、第二叠层体的外部设置有模制体。通过在第一导导电基板和第二导电基板之间设置连接体，该连接体为Sn、Ag、Cu、Ag

【技术实现步骤摘要】
一种用于制造光电子半导体芯片的方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造
，具体为一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，英特尔等美国企业在动态随机存取内存（D
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RAM）市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D
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RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。
[0003]现有的半导体芯片在制造过程中，仍存在缺陷，在导电基板与导电基板之间通过连接线进行连接，一方面造成配线的难度较大，另一方面造成延迟时间的提高，不利于使用，所以现在需要一种能够解决以上问题的用于制造光电子半导体芯片的方法。

技术实现思路

[0004]（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种用于制造光电子半导体芯片的方法，解决了配线难度大和延迟高的问题。
[0005]（二）技术方案为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种光电子半导体芯片，包括芯片基板，所述芯片基板的上表面设置有第一叠层体，所述第一叠层体的上表面设置有连接体，所述连接体的上表面设置有第二叠层体，所述芯片基板的上表面且位于第一叠层体、第二叠层体的外部设置有模制体。
[0006]优选的，所述第一叠层体包括第一导电基板，所述第一导电基板的上表面设置有第一接触板，所述第一接触板的上表面设置有第一导电极板，所述第一导电极板的上表面设置有第一连接板。
[0007]优选的，所述第二叠层体包括第二导电基板，所述第二导电基板的下表面设置有第二接触板，所述第二接触板的下表面设置有第二导电极板，所述第二导电极板的下表面设置有第二连接板。
[0008]优选的，一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：S1：取芯片基板，对其进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，然后去掉光刻胶，清洗；S2：取第一导电基板，在其上表面电镀一层第一接触板，再对第一接触板的上表面进行粗化，去边、钝化后，在其上表面进行电镀一层第一导电极板，在第一导电极板的上表面电镀一层第一连接板，形成第一叠层体；S3：在第一叠层体的上表面电镀连接体；S4：类比S2，取第二导电基板，在其下表面电镀一层第二接触板，再对第二接触板
的下表面进行粗化，去边、钝化后，在其下表面进行电镀一层第二导电极板，在第二导电极板的下表面电镀一层第二连接板，形成第二叠层体；S5：将第二叠层体电镀在连接体的上表面；S6：取模制体，将其覆盖于第一叠层体、第二叠层体的外部，并电镀于芯片基板的上表面。
[0009]优选的，所述第一接触板和第二接触板为Al、Au、Cr中任意一种。
[0010]优选的，所述连接体为Sn、Ag、Cu、Ag
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Cu、Bi、In中任意一种作为构成材料。
[0011]优选的，所述模制体的内部空间有填充材料。
[0012]（三）有益效果本专利技术提供了一种用于制造光电子半导体芯片的方法。具备以下有益效果：1、通过在第一导导电基板和第二导电基板之间设置连接体，该连接体为Sn、Ag、Cu、Ag
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Cu、Bi、In中任意一种作为构成材料，可取代传统的连接线连接方式，可解决配线难的问题，且可有效地降低延迟，利于使用。
[0013]2、通过设置有两组叠层体，可起到提高电性连接稳定性和保护的作用，延长使用寿命。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的整体结构示意图；图2为本专利技术的第一叠层体结构示意图；图3为本专利技术的第二叠层体结构示意图。
[0015]其中，1、芯片基板；2、第一叠层体；3、第二叠层体；4、连接体；5、模制体；21、第一导电基板；22、第一接触板；23、第一导电极板；24、第一连接板；31、第二导电基板；32、第二接触板；33、第二导电极板；34、第二连接板。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]实施例：如图1
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3所示，本专利技术实施例提供一种光电子半导体芯片，包括芯片基板1，芯片基板1的上表面设置有第一叠层体2，第一叠层体2包括第一导电基板21，第一导电基板21的上表面设置有第一接触板22，第一接触板22的上表面设置有第一导电极板23，第一导电极板23的上表面设置有第一连接板24。
[0018]第一叠层体2的上表面设置有连接体4，连接体4的上表面设置有第二叠层体3，第二叠层体3包括第二导电基板31，第二导电基板31的下表面设置有第二接触板32，第二接触板32的下表面设置有第二导电极板33，第二导电极板33的下表面设置有第二连接板34。
[0019]芯片基板1的上表面且位于第一叠层体2、第二叠层体3的外部设置有模制体5。
[0020]一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：
S1：取芯片基板1，其由如硅（Si）半导体芯片、硅（Si）插入件构成，并对其进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，然后去掉光刻胶，清洗；S2：取第一导电基板21，在其上表面电镀一层第一接触板22，第一接触板22为Al、Au、Cr中任意一种，再对第一接触板22的上表面进行粗化，去边、钝化后，在其上表面进行电镀一层第一导电极板23，在第一导电极板23的上表面电镀一层第一连接板24，形成第一叠层体2；S3：在第一叠层体2的上表面电镀连接体4，连接体4为Sn、Ag、Cu、Ag
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Cu、Bi、In中任意一种作为构成材料；S4：类比S2，取第二导电基板31，在其下表面电镀一层第二接触板32，第二接触板32为Al、Au、Cr中任意一种，再对第二接触板32的下表面进行粗化，去边、钝化后，在其下表面进行电镀一层第二导电极板33，在第二导电极板33的下表面电镀一层第二连接板34，形成第二叠层体3；S5：将第二叠层体3电镀在连接体4的上表面；S6：取模制体5，将其覆盖于第一叠层体2、第二叠层体3的外部，并电镀于芯片基板1的上表面，并在模制体5的内部空间加入填充材料。
[0021]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电子半导体芯片，包括芯片基板（1），其特征在于：所述芯片基板（1）的上表面设置有第一叠层体（2），所述第一叠层体（2）的上表面设置有连接体（4），所述连接体（4）的上表面设置有第二叠层体（3），所述芯片基板（1）的上表面且位于第一叠层体（2）、第二叠层体（3）的外部设置有模制体（5）。2.根据权利要求1所述的一种光电子半导体芯片，其特征在于：所述第一叠层体（2）包括第一导电基板（21），所述第一导电基板（21）的上表面设置有第一接触板（22），所述第一接触板（22）的上表面设置有第一导电极板（23），所述第一导电极板（23）的上表面设置有第一连接板（24）。3.根据权利要求1所述的一种光电子半导体芯片，其特征在于：所述第二叠层体（3）包括第二导电基板（31），所述第二导电基板（31）的下表面设置有第二接触板（32），所述第二接触板（32）的下表面设置有第二导电极板（33），所述第二导电极板（33）的下表面设置有第二连接板（34）。4.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：取芯片基板（1），对其进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，然后去掉光刻胶，清洗；S2：取第一导电基板（21），在其上表面电镀一层第一接触板（22），再对第一接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：周武，
申请(专利权)人：广东坤昇半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：