半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本揭示的课题涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本揭示的目的在于简化半导体装置的制造步骤。本揭示的半导体装置具备：有机膜40，形成着在z方向贯通的贯通孔43且具有电绝缘性；导电层31，形成在有机膜40上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层32，形成在导电层31上；半导体元件20，安装在Cu布线层32上；密封树脂50，将半导体元件20密封；及外装端子60，连接到导电层31。导电层31具有从有机膜40的贯通孔43露出的露出导电部31a。外装端子60与露出导电部31a相接。导电部31a相接。导电部31a相接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本揭示涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，包含半导体元件的电子零件具备搭载着半导体元件的衬底、与覆盖半导体元件的密封树脂。例如，专利文献1揭示了一种半导体装置，具备：布线，在一面具备外装端子，在另一面搭载半导体元件；及密封树脂，以密封半导体元件的方式形成在布线的另一面。
[0003][
技术介绍
文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2013
‑
197263号公报

技术实现思路

[0006][专利技术所要解决的问题][0007]然而，在这种半导体装置中，期望削减半导体装置的制造步骤的步骤数或简化利用已有制造装置等的制造步骤。
[0008]本揭示的目的在于提供一种能够简化制造步骤的半导体装置及半导体装置的制造方法。
[0009][解决问题的技术手段][0010]解决所述问题的半导体装置具备：有机膜，形成着在厚度方向贯通的贯通孔且具有电绝缘性；导电层，形成在所述有机膜上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层，形成在所述导电层上；半导体元件，安装在所述Cu布线层上；密封树脂，密封所述半导体元件；及外装端子，连接于所述导电层；且所述导电层具有通过进入所述贯通孔内而从所述有机膜露出的露出导电部，所述外装端子与所述露出导电部相接。
[0011]根据所述构成，在包含Ti的牺牲膜上形成有机膜之后，在有机膜上形成导电层的情况下，因为导电层未包含Ti，所以在从有机膜去除牺牲膜时，能够抑制将导电层与牺牲膜一起被削去。因此，无需为了不在去除牺牲膜时也将导电层去除，而在牺牲膜与导电层之间设置介存物。由此，因为能够省略形成介存物的步骤，所以能够将半导体制造装置的制造步骤简化。
[0012]解决所述问题的半导体装置的制造方法具备：准备步骤，在支撑衬底上形成临时固定层，在所述临时固定层上形成包含Ti的牺牲膜；有机膜形成步骤，在所述牺牲膜上，形成有机膜，所述有机膜形成着在厚度方向贯通的贯通孔且具有电绝缘性；导电层形成步骤，在所述有机膜上、及从所述贯通孔露出的所述牺牲膜上中的各者，形成包含不含Ti的Cu系合金的导电层；布线层形成步骤，在所述导电层上形成Cu布线层；元件安装步骤，将半导体元件电连接到所述Cu布线层；树脂层形成步骤，形成密封所述半导体元件的树脂层；第1削除步骤，削除所述支撑衬底及所述临时固定层；及第2削除步骤，削除所述牺牲膜；且在所述
导电层形成步骤中，所述导电层进入所述贯通孔内，与所述牺牲膜相接。
[0013]根据所述构成，在包含Ti的牺牲膜上形成有机膜之后，在有机膜上形成导电层的情况下，因为导电层不包含Ti，所以在从有机膜去除牺牲膜时，能够抑制将导电层与牺牲膜一起削去。因此，无需为了不在去除牺牲膜时也将导电层去除，而在牺牲膜与导电层之间设置介存物。由此，因为能够省略形成介存物的步骤，所以能够简化半导体装置的制造步骤。
[0014][专利技术的效果][0015]根据所述半导体装置及半导体装置的制造方法，能够简化制造步骤。
附图说明
[0016]图1是表示一实施方式的半导体装置的剖面构造的剖视图。
[0017]图2是一实施方式的半导体装置的背视图。
[0018]图3是图1的半导体装置的一部分的放大图。
[0019]图4是关于一实施方式的半导体装置的制造方法，表示制造步骤的一例的说明图。
[0020]图5是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0021]图6是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0022]图7是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0023]图8是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0024]图9是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0025]图10是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0026]图11是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0027]图12是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0028]图13是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0029]图14是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0030]图15是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0031]图16是表示半导体装置的制造方法的制造步骤的一例的说明图。
[0032]图17是将比较例的半导体装置的剖面构造的一部分放大的剖视图。
具体实施方式
[0033]以下，参考附图对半导体装置的实施方式进行说明。以下所示的实施方式例示用于将技术性思想具体化的构成或方法，各构成零件的材质、形状、构造、配置、尺寸等不限定于以下所述者。以下的实施方式能够施加各种变更。
[0034](半导体装置的构成)
[0035]参考图1～图3，对一实施方式的半导体装置10的构成进行说明。
[0036]半导体装置10是表面安装在各种电子机器的布线衬底的装置。这里，为方便说明，将半导体装置10的厚度方向设为z方向，将相对于厚度方向z正交且沿半导体装置10的一边的方向设为x方向，将相对于x方向及z方向这两个正交的方向设为y方向。
[0037]如图1及图2所示，半导体装置10为z方向的长度短于x方向及y方向的长度的矩形板状。在本实施方式中，从z方向观察的半导体装置10的形状为正方形。半导体装置10具有：装置主面11及装置背面12，在z方向上相互朝向相反侧；4个装置侧面13，在装置主面11与装
置背面12的z方向之间，朝向x方向或y方向。
[0038]半导体装置10具备：半导体元件20；布线30，连接于半导体元件20；有机膜40，支撑布线30；密封树脂50，将半导体元件20及布线30密封；及外装端子60，连接于布线30。半导体装置10是称在晶圆状态下完成封装的芯片尺寸封装，也就是在比半导体元件20更外侧配置着外装端子60的称为FOWLP(Fan Out Wafer Level Package：扇出晶圆级封装)的封装格式的半导体装置。
[0039]有机膜40构成装置背面12、与在各装置侧面13的z方向的两端部中接近装置背面12的端部。有机膜40包含例如感光性有机膜，在本实施方式中，包含PI(聚酰亚胺)。有机膜40不限于PI，也可使用酚醛树脂或PBO(聚苯并恶唑)。
[0040]有机膜40具有在所述厚度方向(z方向)上相互朝向相反侧的膜主面41及膜背面42。在本实施方式中，z方向也可以说是有机膜40的厚度方向。膜主面41朝向与装置主面11相同侧，膜背面42朝向与装置背面12相同侧。在本实施方式中，膜背面42构成装置背面12。
[0041]有机膜40具有在所述厚度方向(z方向)上贯通有机膜40的多个贯通孔43。各贯通孔43在x方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：有机膜，形成着在厚度方向贯通的贯通孔且具有电绝缘性；导电层，形成在所述有机膜上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层，形成在所述导电层上；半导体元件，安装在所述Cu布线层上；密封树脂，将所述半导体元件密封；及外装端子，连接在所述导电层；且所述导电层具有通过进入所述贯通孔内而从所述有机膜露出的露出导电部，所述外部端子与所述露出导电部相接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述有机膜具有形成所述导电层的膜主表面、与在所述厚度方向上朝向与所述膜主表面为相反侧的膜背面，所述露出导电部通过进入所述贯通孔而从所述膜背面露出。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述导电层包含以Cu为主成分，包含Al、Mg及Mn中的任一个的合金。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述半导体元件具有在所述厚度方向上与所述Cu布线层面对面的元件主表面、与形成在所述元件主表面的1个或多个元件电极，所述元件电极通过导电性接合材料接合在所述Cu布线层，在与所述厚度方向正交的方向上，所述露出导电部配置在比所述半导体元件更外侧。5.一种半导体装置的制造方法，具备：准备步骤，在支撑衬底上形成临...

【专利技术属性】
技术研发人员：荫山聡，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：