一种磁控溅射用工艺供气分布系统技术方案

本发明专利技术属于磁控溅射镀膜技术领域，具体公开了一种磁控溅射用工艺供气分布系统，包括气管固定槽、辅助供气方管以及主供气方管；气管固定槽的一侧固接有气管承载板，辅助供气方管以及主供气方管并排固定在气管承载板和气管固定槽的内顶壁之间；主供气方管的内部设有主供气圆管，主供气圆管的顶部开设有第一出气孔，主供气方管的底部开设有第二出气孔；辅助供气方管的内部通过隔板上下分为两腔室，隔板上竖直贯穿有隔片，隔片的上下端均与辅助供气方管的内壁固接，隔板上开设有第三出气孔，辅助供气方管的底部开设有第四出气孔；气管固定槽的顶部安装有辅助供气机构，气管固定槽的顶部固接有气管固定槽板，气管固定槽板的顶部与辅助供气机构连接。辅助供气机构连接。辅助供气机构连接。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射用工艺供气分布系统


[0001]本专利技术涉及磁控溅射镀膜
，具体为一种磁控溅射用工艺供气分布系统。

技术介绍

[0002]在国内外，如今真空镀膜在机械、电子、能源、信息等领域已经得到了广泛应用，而在真空镀膜中，生产效率及质量非常受人关注。真空镀膜技术又称为气相沉积技术，主要包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。物理气相沉积是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子、或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法，物理气相沉积本身分为三种：真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜，近十年来发展相当快，已经成为当今最先进的表面处理方式之一。
[0003]在真空溅射镀膜、真空离子镀膜和真空化学气相沉积等镀膜设备上都设有供气分布系统，现有的磁控溅射用工艺供气分布系统设计不合理，不能得到均匀的膜层。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种磁控溅射用工艺供气分布系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种磁控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于，包括气管固定槽(1)、辅助供气方管(2)以及主供气方管(3)；所述气管固定槽(1)的一侧固接有气管承载板(7)，且所述辅助供气方管(2)以及主供气方管(3)并排固定在气管承载板(7)和气管固定槽(1)的内顶壁之间；所述辅助供气方管(2)以及主供气方管(3)的两端均安装有端盖(6)，所述主供气方管(3)的内部设有主供气圆管(4)，主供气圆管(4)的顶部开设有第一出气孔(10)，所述主供气方管(3)的底部开设有第二出气孔(11)；所述主供气方管(3)的前端端盖(6)上安装有直通接头(12)，且直通接头(12)与主供气圆管(4)连通；所述辅助供气方管(2)的内部通过隔板(8)上下分为两腔室，所述隔板(8)上竖直贯穿有隔片(9)，且隔片(9)的上下端均与辅助供气方管(2)的内壁固接，所述隔板(8)上开设有第三出气孔(13)，辅助供气方管(2)的底部开设有第四出气孔(14)；所述气管固定槽(1)的顶部安装有辅助供气机构，所述气管固定槽(1)的顶部固接有气管固定槽板(5)，且气管固定槽板(5)的顶部与辅助供气机构连接。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述气管固定槽(1)呈“Z”型结构。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述气管承载板(7)设有若干个，且若干个气管承载板(7)等间隔设置。4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊峰，赵子东，王栋权，魏庆瑄，
申请(专利权)人：上海子创镀膜技术有限公司，
类型：发明
国别省市：