多层涂层制造技术

本发明专利技术涉及用于对基材(40)进行涂覆的方法、执行所述方法的涂覆系统和经涂覆体。在第一方法步骤(62)中，将基材(40)在离子蚀刻过程中进行预处理。在第二方法步骤(64)中，通过PVD过程在基材(40)上沉积厚度为0.1μm至6μm的第一涂覆层(56a)。为了实现特别高品质且耐用的涂层(50)，在第三方法步骤(66)中，通过离子蚀刻过程对第一涂覆层(56a)的表面进行处理，以及在第四方法步骤(68)中，通过PVD过程在第一涂覆层(56a)上沉积厚度为0.1μm至6μm的另外的涂覆层(56b)。所述经涂覆体包括在基材(40)上的至少两个厚度为0.1μm至6μm的涂覆层(56a、56b、56c、56d)，其中通过离子蚀刻形成的界面区域布置在涂覆层(56a、56b、56c、56d)之间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层涂层
[0001]本专利技术涉及用于对基材进行涂覆的方法、用于执行所述方法的涂覆系统和经涂覆体。
[0002]已知向物体或物体的一部分提供表面涂层以改善其特性。特别是对于刀具，已知向功能表面提供硬材料涂层。
[0003]用于施加硬材料涂层的一类已知方法为PVD(物理气相沉积)法的已知方法，例如，其包括阴极溅射和电弧溅射。在这些方法中，将包含溅射的靶材料的涂层沉积在基材上。
[0004]在该方面中，特别地，已知在施加涂层之前对基材进行预处理以实现良好的涂层粘合性。除了化学预处理步骤和机械预处理步骤之外，离子蚀刻步骤—其中离子通过加速电压朝向基材加速，从而在基材表面上产生蚀刻效果—适合于对基材例如硬金属基材或钢基材进行预处理。
[0005]WO 2009/132822 A2描述了用于通过磁控管溅射对物体进行预处理和涂覆的装置和方法。该装置包括具有金属室壁的真空室和其中布置有溅射靶的磁控管。磁控管中的至少一者为用于根据高功率脉冲磁控管溅射(HPPMS，也称为HIPIMS)的运行而提供。将电脉冲馈送至HPPMS磁控管，其中电容元件通过开关元件与溅射靶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于对基材(40)进行涂覆的方法，其中
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在第一方法步骤(62)中，将所述基材在离子蚀刻过程中进行预处理，
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在第二方法步骤(64)中，通过PVD过程在所述基材(40、52)上沉积厚度为0.1μm至6μm的第一涂覆层(56a)，
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在第三方法步骤(66)中，通过离子蚀刻过程对所述第一涂覆层(56a)的表面进行处理，
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在第四方法步骤(68)中，通过PVD过程在所述第一涂覆层(56a)上沉积厚度为0.1μm至6μm的另外的涂覆层(56b)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于
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继所述第四方法步骤(68)之后，一次或多次地
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首先，通过离子蚀刻过程对最上面的涂覆层(56b、56c)的表面进行处理，
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随后，通过所述PVD过程在下面的涂覆层(56b、56c)上沉积另外的涂覆层(56c、56d)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于
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至少所述第二方法步骤(64)、所述第三方法步骤(66)和所述第四方法步骤(68)在未中断真空的情况下进行。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于
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在所述第一方法步骤、所述第二方法步骤和所述第三方法步骤中的每种情况下，向所述基材施加偏压，
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其中与所述第一方法步骤和所述第二方法步骤中相比，所述第二方法步骤中的所述偏压更高。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于
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在彼此之上沉积的涂覆层(56a、56b、56c、56d)的厚度总计为0.5μm至30μm。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于
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在所述离子蚀刻过程期间产生金属离子，并且通过偏压使所述金属离子朝向所述基材表面加速。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于
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所述第二方法步骤(64)、所述第四方法步骤(68)和/或一个或更多个另外的方法步骤中的沉积通过阴极溅射法进行。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于
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所述阴极溅射法为HIPIMS涂覆方法。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于
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在向所述基材施加偏压的同时，进行所述HIPIMS涂覆方法，
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其中以偏压脉冲施加所述偏压，
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以及其中所述偏压脉冲与施加至阴极(24a、24b、24c、24d)的HIPIMS脉冲在时间上同步。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于
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涂覆层(56a、56b、56c、56d)中的一者或更多者至少基本上包含选自包括以下的组的组成：Al
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Ti
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【专利技术属性】
技术研发人员：沃纳，
申请(专利权)人：塞梅孔公司，
类型：发明
国别省市：