MWT光伏组件导电背板制备方法技术

本发明专利技术提供了一种MWT光伏组件导电背板制备方法，取背板材料，在背板表面进行磁控溅射或蒸镀工艺，形成铜膜层或铝膜层，在镀层过程中，通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路，其中，背板材料厚度为铜膜层或铝膜层的3～35倍。该制备方案可有效降低现有导电箔制造成本，提升MWT组件行业竞争力。提升MWT组件行业竞争力。提升MWT组件行业竞争力。

【技术实现步骤摘要】
MWT光伏组件导电背板制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏组件制造领域，具体是一种MWT光伏组件导电背板制备方法。

技术介绍

[0002]MWT电池组件由主要由超白压花钢化玻璃、前EVA/POE、MWT电池、锡膏、EPE绝缘层、导电箔、后EVA/POE和背板在真空条件下，通过一定温度和压力层压形成，主要通过EVA的交联固化形成层压件，后通过安装接线盒及铝边框形成完整的MWT电池组件；而集成背板主要由导电箔、后EVA/POE和背板组成,现有结构层间结构复杂，且现有导电箔基材为铜箔/铜铝箔，厚度在35~70um之间，材料及加工成本较高。因此开发一种低成本MWT导电背板对于降低MWT组件制造成本极为重要。

技术实现思路

[0003]本专利技术为了解决现有技术的问题，提供了一种MWT光伏组件导电背板制备方法, 导电背板包括基层和导电层，该制备方案可有效降低现有导电箔制造成本，提升MWT组件行业竞争力。
[0004]本专利技术包括以下步骤：取背板材料，在背板表面进行磁控溅射或蒸镀工艺，形成铜膜层或铝膜层，在镀层过程中，通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路，其中，背板材料厚度为铜膜层或铝膜层的3～35倍。
[0005]进一步改进，所述的背板为KPF,TPT,FFC,PET中的一种或多种。
[0006]进一步改进，所述的背板厚度0.2～0.35mm。
[0007]进一步改进，所述的铜膜层或铝膜层厚度为10～60um。
[0008]进一步改进，所述的磁控溅射过程通入氩气撞击靶材表面，溅射出铜原子或铝原子，磁控溅射功率为5~30kW，氩气流量为100～500sccm，真空度为3
×
10
ꢀ‑6～10
×
10
‑6Pa。
[0009]进一步改进，所述的蒸镀过程通入氩气夯实电子枪激发出来的铜原子或铝原子，氩气流量为20～100sccm，真空度为5
×
10
‑5～20
×
10
‑5Pa。
[0010]本专利技术有益效果在于：本专利技术制备出的导电背板包括基层和导电层，该制备方案可有效降低现有导电箔制造成本，提升MWT组件行业竞争力。
附图说明
[0011]图1为导电背板截面示意图。
[0012]图2为导电背板平面示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合具体实施方式对本专利技术做进一步说明。
[0014]实施例11、选取厚度为0.2mm的KPF背板。
[0015]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气撞击靶材表面，溅射出铜原子或铝原子，形成厚度为60um的铜膜层或铝膜层，其中，磁控溅射功率为5kW，氩气流量为100sccm，真空度为3
×
10
ꢀ‑6Pa。
[0016]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0017]实施例21、选取厚度为0.2mm的KPF背板。
[0018]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气撞击靶材表面，溅射出铜原子或铝原子，形成厚度为60um铜膜层或铝膜层，其中，磁控溅射功率为30kW，氩气流量为500sccm，真空度为10
×
10
‑6Pa。
[0019]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0020]实施例31、选取厚度为0.2mm的KPF背板。
[0021]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气撞击靶材表面，溅射出铜原子或铝原子，形成厚度为60um铜膜层或铝膜层，其中，磁控溅射功率为20kW，氩气流量为300sccm，真空度为6
×
10
‑6Pa。
[0022]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0023]实施例41、选取厚度为0.35mm的TPT背板。
[0024]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气撞击靶材表面，溅射出铜原子或铝原子，形成厚度为10um铜膜层或铝膜层，其中，磁控溅射功率为20kW，氩气流量为300sccm，真空度为6
×
10
‑6Pa。
[0025]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0026]实施例51、选取厚度为0.25mm的FFC背板。
[0027]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气撞击靶材表面，溅射出铜原子或铝原子，形成厚度为40um铜膜层或铝膜层，其中，磁控溅射功率为20kW，氩气流量为300sccm，真空度为6
×
10
‑6Pa。
[0028]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0029]实施例61、选取厚度为0.25mm的PET背板。
[0030]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气夯实电子枪激发出来的铜原子或铝原子，形成厚度为40um的铜膜层或铝膜层，氩气流量为20sccm，真空度为5
×
10
‑5Pa。
[0031]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0032]实施例71、选取厚度为0.25mm的PET背板。
[0033]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气夯实电子枪激发出来的铜原子或铝原子，形成厚度为40um的铜膜层或铝膜层，氩气流量为100sccm，真空度为20
×
10
‑5Pa。
[0034]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0035]实施例8
1、选取厚度为0.25mm的PET背板。
[0036]2、在背板表面进行磁控溅射工艺，通入氩气夯实电子枪激发出来的铜原子或铝原子，形成厚度为40um的铜膜层或铝膜层，氩气流量为60sccm，真空度为10
×
10
‑5Pa。
[0037]3、通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路。
[0038]采用本专利技术制备出的导电背板截面如图1所示，包括背板1和导电层2。在镀层过程中，背板1和靶材之间设有掩膜工装，通过掩膜工装贴近背板1表面，所涉掩膜工装有预先设计的图形，掩膜工装遮相关区域，从而形成导电回路，如图2所示。
[0039]本专利技术具体应用途径很多，以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进，这些改进也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MWT光伏组件导电背板制备方法，其特征在于包括以下步骤：取背板材料，在背板表面进行磁控溅射或蒸镀工艺，形成铜膜层或铝膜层，在镀层过程中，通过掩膜工装紧贴背板表面形成导电回路，其中，背板材料厚度为铜膜层或铝膜层的3～35倍。2.根据权利要求1所述的MWT光伏组件导电背板制备方法，其特征在于：所述的背板为KPF,TPT,FFC,PET中的一种或多种。3.根据权利要求1或2所述的MWT光伏组件导电背板制备方法，其特征在于：所述的背板厚度0.2～0.35mm。4.根据权利要求1所述的MWT光伏组件导电背板制备方法，其特征在于：所述的铜膜层或铝膜层厚度为10～60um。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：任军锋，逯好峰，吴仕梁，张凤鸣，
申请(专利权)人：江苏日托光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：