本申请提供了一种清除光刻设备上的污染物的方法与装置。该方法包括：获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，分布情况包括晶圆表面是否有污染物和/或晶圆表面的污染物的厚度；至少根据分布情况确定光刻设备是否被污染。本方案根据光刻工艺中的多个晶圆表面的污染物的分布情况，实现了对光刻设备是否被污染的确定，解决了现有技术中的无法确定光刻设备是否被污染的问题。只有在确定光刻设备被污染的情况下，才对光刻设备进行清洗，而不仅仅是在一片或者几片晶圆被污染的情况下，就对光刻设备进行清洗操作，节约了能源，且提高了生产效率。且提高了生产效率。且提高了生产效率。
【技术实现步骤摘要】
清除光刻设备上的污染物的方法与装置
[0001]本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种清除光刻设备上的污染物的方法、装置、计算机可读存储介质和处理器。
技术介绍
[0002]随着3D NAND的技术发展，其工艺会变得越来越复杂，加工周期也会变得越来越长，因此，光刻工艺中的光刻设备更加容易受到晶圆在光刻前的工艺的污染，所以精确确定光刻设备是否被污染以及污染的时间点就至关重要。
[0003]现有的方案仅仅能确定晶圆是否被污染，无法确定光刻设备是否被污染。
技术实现思路
[0004]本申请的主要目的在于提供一种清除光刻设备上的污染物的方法、装置、计算机可读存储介质和处理器，以解决现有的方案无法确定光刻设备是否被污染的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种清除光刻设备上的污染物的方法，包括：获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，所述分布情况包括所述晶圆表面是否有所述污染物、所述晶圆表面的污染物的厚度和所述晶圆表面的污染物的厚度的标准差中的至少之一；至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染。
[0006]进一步地，多个所述晶圆是规格相同的晶圆，各所述晶圆包括多个晶片，获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，包括：获取各所述晶圆上的多个所述晶片上的污染物的分布情况。
[0007]进一步地，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：获取被污染的所述晶圆的数量，被污染的所述晶圆是指所述晶圆表面有所述污染物；在被污染的所述晶圆的数量大于第一预定数量，且多个所述晶圆中的至少部分所述晶圆的同一位置上的所述晶片表面有所述污染物的情况下，确定所述光刻设备被污染。
[0008]进一步地，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：获取所述晶圆的数量；在所述晶圆的数量小于第二预定数量，且时间在先的多个所述晶圆表面有所述污染物，时间在后的多个所述晶圆表面没有所述污染物的情况下，确定所述光刻设备没有被污染。
[0009]进一步地，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：在所述连续时间段内的多个所述晶圆中的至少一个目标晶圆的表面的污染物的厚度大于厚度阈值，且所述目标晶圆的数量小于预定值的情况下，确定所述目标晶圆被污染，且确定所述光刻设备未被污染。
[0010]进一步地，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：在所述连续时间段内的多个所述晶圆表面均存在所述污染物，且按照时间先后顺序多个所述晶圆表面的所述污染物的厚度逐渐递增的情况下，发出提示信息，所述提示信息用于提示所述光刻设
备被污染。
[0011]进一步地，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：在连续多个所述晶圆表面的所述污染物的厚度逐渐递减的情况下，获取时间在后的所述晶圆表面的污染物的厚度的变化趋势；根据时间在后的晶圆表面的污染物的厚度的变化趋势，确定所述光刻设备是否被污染。
[0012]进一步地，根据时间在后的晶圆表面的污染物的厚度的变化趋势，确定所述光刻设备是否被污染，包括：在时间在后的多个所述晶圆表面的污染物的厚度递增的情况下，确定所述光刻设备被污染；否则，确定所述光刻设备未被污染。
[0013]进一步地，在至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染之后，所述方法还包括：在确定所述光刻设备被污染的情况下，清除所述光刻设备上的污染物。
[0014]进一步地，所述方法还包括：根据所述分布情况确定所述光刻设备被污染的时间点。
[0015]进一步地，根据所述分布情况确定所述光刻设备被污染的时间点，包括：在所述连续时间段内的连续多个所述晶圆被污染的情况下，确定对第一个被污染的所述晶圆进行光刻的初始时刻为所述光刻设备被污染的时间点。
[0016]根据本申请的另一个方面，提供了一种清除光刻设备上的污染物的装置，包括：获取单元，用于获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，所述分布情况包括所述晶圆表面是否有所述污染物、所述晶圆表面的污染物的厚度和所述晶圆表面的污染物的厚度的标准差中的至少之一；第一确定单元，用于至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染。
[0017]根据本申请的又一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行任意一种所述的方法。
[0018]根据本申请的再一个方面，提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
[0019]应用本申请的技术方案，首先获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，然后，至少根据污染物的分布情况确定光刻设备是否被污染。即本方案根据光刻工艺中的多个晶圆表面的污染物的分布情况，实现了对光刻设备是否被污染的确定，解决了现有的方案的无法确定光刻设备是否被污染的问题。只有在确定光刻设备被污染的情况下，才对光刻设备进行清洗，而不仅仅是在一片或者几片晶圆被污染的情况下，就对光刻设备进行清洗操作，节约了能源，且提高了生产效率，降低产品不良率带来的损失。
附图说明
[0020]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0021]图1示出了根据本申请的实施例的清除光刻设备上的污染物的方法流程图；
[0022]图2示出了根据本申请的实施例的晶圆示意图；
[0023]图3示出了根据本申请的实施例的晶圆表面的污染物的分布情况；
[0024]图4示出了根据本申请的实施例的清除光刻设备上的污染物的装置示意图。
[0025]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0026]10、晶圆；20、晶片；30、污染物。
具体实施方式
[0027]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0028]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0029]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清除光刻设备上的污染物的方法，其特征在于，包括：获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，所述分布情况包括所述晶圆表面是否有所述污染物、所述晶圆表面的污染物的厚度和所述晶圆表面的污染物的厚度的标准差中的至少之一；至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个所述晶圆是规格相同的晶圆，各所述晶圆包括多个晶片，获取光刻工艺中连续时间段内的多个晶圆表面的污染物的分布情况，包括：获取各所述晶圆上的多个所述晶片上的污染物的分布情况。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：获取被污染的所述晶圆的数量，被污染的所述晶圆是指所述晶圆表面有所述污染物；在被污染的所述晶圆的数量大于第一预定数量，且多个所述晶圆中的至少部分所述晶圆的同一位置上的所述晶片表面有所述污染物的情况下，确定所述光刻设备被污染。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：获取所述晶圆的数量；在所述晶圆的数量小于第二预定数量，且时间在先的多个所述晶圆表面有所述污染物，时间在后的多个所述晶圆表面没有所述污染物的情况下，确定所述光刻设备没有被污染。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：在所述连续时间段内的多个所述晶圆中的至少一个目标晶圆的表面的污染物的厚度大于厚度阈值，且所述目标晶圆的数量小于预定值的情况下，确定所述目标晶圆被污染，且确定所述光刻设备未被污染。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少根据所述分布情况确定光刻设备是否被污染，包括：在所述连续时间段内的多个所述晶圆表面均存在所述污染物，且按照时间先后顺序多个所述晶圆表面的所述污染物的厚度逐渐递增的情况下，发出提示信息，所述提示信息用于提示所述光刻设备被污染。7.根据权利要求1所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘晓东，万星星，孙健强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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