一种实现功率器件超薄的工艺方法技术

本发明专利技术提供的一种实现功率器件超薄的工艺方法，通过先包封再进行减薄芯片，能够采用通用设备来完成，节约成本，在装片工艺中，芯片厚度能够在常规工艺要求的厚度下进行，如150~250um的厚度下进行，从而降低裂片分风险，芯片背面电镀时，芯片有第一封装体进行保护，能够在芯片处于超薄的状态下进行完成，如在芯片厚度处于50um或者小于50um的状态下进行，且无裂片现象发生。片现象发生。

【技术实现步骤摘要】
一种实现功率器件超薄的工艺方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种实现功率器件超薄的工艺方法。

技术介绍

[0002]随着功率器件的功耗要求越来越高，要求器件内阻越来越小，而功率芯片的内阻中，随着性能不断提升，芯片衬底内阻的影响越来越大，因此要求芯片越来越薄，芯片厚度需要达到50um，甚至更薄的状态。
[0003]现有技术中，为了降低芯片内阻，需要把芯片减薄到50um，传统工艺是采取TaiKo的方式，即将晶圆固定在一个特殊的保护机构上，进行减薄到50um，在进行晶圆背金和切割时，整个特殊的保护机构都必须存在，以保护芯片不破裂，因此成本会很高，在装片过程中，超薄芯片裂片的风险也很大。

技术实现思路

[0004]本专利技术正是针对现有技术存在的不足，提供了一种实现功率器件超薄的工艺方法。
[0005]为解决上述问题，本专利技术所采取的技术方案如下：
[0006]一种实现功率器件超薄的工艺方法，包括如下步骤：
[0007]步骤一：提供一晶圆，将所述晶圆的厚度减薄至150um～250um。
[0008]步骤二：提供一蓝膜，将所述晶圆贴在所述蓝膜上，并进行切割，形成颗粒状芯片。
[0009]步骤三：提供一载体，将所述颗粒状芯片的背面装载到所述载体上。
[0010]步骤四：进行第一次封装，在所述载体上对所述颗粒状芯片进行全面覆盖封装，形成第一封装体，所述颗粒状芯片均处于所述第一封装体内，所述第一封装体的厚度大于颗粒状芯片的厚度。/>[0011]步骤五：分离所述载体，将所述载体从所述第一封装体上剥离开，所述颗粒状芯片嵌入在第一封装体内，且颗粒状芯片的背面裸露在外，与颗粒状芯片的背面齐平的第一封装体的面为第一封装体的背面。
[0012]步骤六：对所述第一封装体的背面和颗粒状芯片的背面同时进行研磨减薄，直至颗粒状芯片的厚度达到目标值停止，此时第一封装体的背面和颗粒状芯片的背面仍然齐平。
[0013]步骤七：在所述第一封装体上，对颗粒状芯片进行溅射或者蒸镀一层导电金属层，同时，所述第一封装体的背面也溅射或者蒸镀有所述导电金属层。
[0014]步骤八：在所述导电金属层上进行曝光，形成所需要的电路图形，并且通过电镀的方式在第一封装体的背面形成器件焊接管脚。
[0015]步骤九：在第一封装体的背面进行第二次封装，形成第二封装体，所述第二封装体与所述第一封装体紧密结合，且第二封装体包封所述颗粒状芯片的背面和焊接管脚，在第二封装体上的远离所述第一封装体的一面进行研磨，直至裸露出颗粒状芯片的背面和焊接
管脚为止。
[0016]步骤十：在第一封装体的正面上进行激光钻孔的方式将颗粒状芯片的正面上的I/O和所述焊接管脚裸露出来，再通过电镀的方式，将所述颗粒状芯片正面上的I/O与所述焊接管脚进行电连接。
[0017]步骤十一：在第一封装体的正面上进行第三次包封，形成第三封装体，所述第三封装体与所述第一封装体紧密结合，且第三封装体包封所述颗粒状芯片正面的I/O和焊接管脚，以及连接所述I/O和焊接管脚的电镀金属。
[0018]步骤十二：对所述第一封装体、第二封装体和第三封装体形成的整体进行切割，将内部每个颗粒状芯片切割独立出来，形成单独的且可使用的芯片封装体。
[0019]本申请提供的一种实现功率器件超薄的工艺方法，通过先包封再进行减薄芯片，能够采用通用设备来完成，节约成本，在装片工艺中，芯片厚度能够在常规工艺要求的厚度下进行，如150～250um的厚度下进行，从而降低裂片分风险，芯片背面电镀时，芯片有第一封装体进行保护，能够在芯片处于超薄的状态下进行完成，且无裂片现象发生。
具体实施方式
[0020]下面将结合具体的实施方式来说明本专利技术的内容。
[0021]本专利技术所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、正面、背面、侧面等，仅是描述的实施方式及使用的方向用语，是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。此外，本专利技术提供的各种特定的工艺和材料的例子，都是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0022]一种实现功率器件超薄的工艺方法，包括如下步骤：
[0023]步骤一：提供一晶圆，将所述晶圆的厚度减薄至150um～250um，优选的，减薄至150um。
[0024]步骤二：提供一蓝膜，将所述晶圆贴在所述蓝膜上，并进行切割，形成颗粒状芯片。
[0025]步骤三：提供一载体，将所述颗粒状芯片的背面装载到所述载体上。
[0026]步骤四：进行第一次封装，在所述载体上对所述颗粒状芯片进行全面覆盖封装，形成第一封装体，所述颗粒状芯片均处于所述第一封装体内，所述第一封装体的厚度大于颗粒状芯片的厚度。
[0027]步骤五：分离所述载体，将所述载体从所述第一封装体上剥离开，所述颗粒状芯片嵌入在第一封装体内，且颗粒状芯片的背面裸露在外，与颗粒状芯片的背面齐平的第一封装体的面为第一封装体的背面。
[0028]步骤六：对所述第一封装体的背面和颗粒状芯片的背面同时进行研磨减薄，直至颗粒状芯片的厚度达到目标值停止，此时第一封装体的背面和颗粒状芯片的背面仍然齐平。
[0029]步骤七：在所述第一封装体上，对颗粒状芯片进行溅射或者蒸镀一层导电金属层，同时，所述第一封装体的背面也溅射或者蒸镀有所述导电金属层。
[0030]步骤八：在所述导电金属层上进行曝光，形成所需要的电路图形，并且通过电镀的方式在第一封装体的背面形成器件焊接管脚。
[0031]步骤九：在第一封装体的背面进行第二次封装，形成第二封装体，所述第二封装体
与所述第一封装体紧密结合，且第二封装体包封所述颗粒状芯片的背面和焊接管脚，在第二封装体上的远离所述第一封装体的一面进行研磨，直至裸露出颗粒状芯片的背面和焊接管脚为止。
[0032]步骤十：在第一封装体的正面上进行激光钻孔的方式将颗粒状芯片的正面上的I/O和所述焊接管脚裸露出来，再通过电镀的方式，将所述颗粒状芯片正面上的I/O与所述焊接管脚进行电连接。
[0033]步骤十一：在第一封装体的正面上进行第三次包封，形成第三封装体，所述第三封装体与所述第一封装体紧密结合，且第三封装体包封所述颗粒状芯片正面的I/O和焊接管脚，以及连接所述I/O和焊接管脚的电镀金属。
[0034]步骤十二：对所述第一封装体、第二封装体和第三封装体形成的整体进行切割，将内部每个颗粒状芯片切割独立出来，形成单独的且可使用的芯片封装体。
[0035]本专利技术提供的一种实现功率器件超薄的工艺方法，通过先包封再进行减薄芯片，能够采用通用设备来完成，节约成本，在装片工艺中，芯片厚度能够在常规工艺要求的厚度下进行，如150um的厚度下进行，从而降低裂片分风险，芯片背面电镀时，芯片有第一封装体进行保护，能够在芯片处于超薄的状态下进行完成，如在芯片厚度处于50um或者小于50um的状态下进行，且无裂片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现功率器件超薄的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：提供一晶圆，将所述晶圆的厚度减薄至150um~250um；步骤二：提供一蓝膜，将所述晶圆贴在所述蓝膜上，并进行切割，形成颗粒状芯片；步骤三：提供一载体，将所述颗粒状芯片的背面装载到所述载体上；步骤四：进行第一次封装，在所述载体上对所述颗粒状芯片进行全面覆盖封装，形成第一封装体，所述颗粒状芯片均处于所述第一封装体内，所述第一封装体的厚度大于颗粒状芯片的厚度；步骤五：分离所述载体，将所述载体从所述第一封装体上剥离开，所述颗粒状芯片嵌入在第一封装体内，且颗粒状芯片的背面裸露在外，与颗粒状芯片的背面齐平的第一封装体的面为第一封装体的背面；步骤六：对所述第一封装体的背面和颗粒状芯片的背面同时进行研磨减薄，直至颗粒状芯片的厚度达到目标值停止，此时第一封装体的背面和颗粒状芯片的背面仍然齐平；步骤七：在所述第一封装体上，对颗粒状芯片进行溅射或者蒸镀一层导电金属层，同时，所述第一封装体的背面也溅射或者蒸镀有所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭建军，
申请(专利权)人：上海彭瑞微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：