一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构技术

本发明专利技术公开一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构，属于集成电路封装领域。首先IC晶圆需经过种子层的沉积、电镀工艺形成芯片铜柱凸块，再分割成单颗裸芯片；采用face up工艺装载、粘合于圆片预设计位置；多层芯片间通过机械切割、多重布线、铜柱凸块、塑封及研磨工艺实现Z轴方向的引线互联；最后再进行多重布线及凸点制程等，完成三维扇出型封装。本发明专利技术通过多重布线和机械切割方式实现Z轴方向的引线互联；工艺技术简单、流程短、制备成本低，适宜大规模量产。大规模量产。大规模量产。

【技术实现步骤摘要】
一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构


[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构。

技术介绍

[0002]三维堆叠技术可以有效缩短信号链路的传输时间，推动组件物理尺寸和重量下降，为系统集成创造更多的物理空间。通过对关键技术的突破，在性能上实现芯片、电路间的垂直电气互连，在减小互连电阻的同时，提升组件的信号完整性与频率特性。与此同时，在结构上实现器件间的高可靠、高密度三维堆叠，可以提高走线密度，使得芯片、模块外形尺寸最小，在三维方向堆叠密度最大，从而提高了立体集成电路的集成度。
[0003]一般来说，要实现三维集成，就需要通孔技术，包括硅通孔(TSV)和穿塑孔(TMV)。TSV工艺主要包括深硅蚀刻形成微孔，绝缘层/阻挡层/种子层的沉积，深孔填充，化学机械抛光，减薄、PAD的制备及再分布线制备等工艺技术；TMV工艺主要包括塑封，减薄，激光烧灼形成微孔，阻挡层/种子层的沉积，深孔填充，PAD的制备及再分布线制备等工艺技术。无论是TSV还是TMV技术，深孔的形成及填充是三维集成的关键技术，也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，包括：步骤一、提供IC晶圆，在芯片的引脚位置制作芯片铜柱凸块，将其分割成单颗裸芯片；步骤二、提供玻璃载板，其表面涂有临时键合激光反应层和及临时键合胶，将裸芯片的背面通过临时键合胶装载固定于玻璃载板上；步骤三、通过塑封料包覆该裸芯片，研磨减薄塑封料至芯片铜柱凸块露出；步骤四、在正面制作钝化层、金属引线和线路铜柱凸块；步骤五、重新提供裸芯片，将其通过DAF膜或者印胶装载、粘合于钝化层上，并通过塑封料包覆该裸芯片，研磨减薄塑封料至芯片铜柱凸块露出；步骤六、通过机械切割在顶部形成trench槽，使trench槽底部的线路铜柱凸块露出；步骤七、通过多重布线实现芯片互联并制作新的线路铜柱凸块，使用树脂塑封料完全包覆新制作的线路铜柱凸块，再通过研磨减薄至新的线路铜柱凸块露出；步骤八、进行多重布线并制作阻焊层；解键合，移除玻璃载板并清洗干净临时键合胶；步骤九、依次完成凸点制作、晶圆切割，形成单个封装体。2.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾峰光，郁澄宇，王成迁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：