一种多芯片倒装重置晶圆级封装结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片倒装重置晶圆级封装结构及方法，包括：多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片10放置在贴有临时键合膜01的基板02上，芯片背面向上，正面贴合在基板上的临时键合膜01上；芯片正面含有电极11、关键功能区12，基板02上规则排布多个组，以排满整个基板02为准；芯片背面保护膜层制作，利用层压覆膜工艺在基板02上的芯片背面做上第一层有机物膜层15，利用有机物膜层15密封住每个芯片，防止后续塑封时材料渗入；最后完成凸点制作后封装工艺完成，后续按每组芯片尺寸切割成单个芯片进行后续PCB板焊接。本发明专利技术的多面包封，即使芯片距离较小的情况下也能实现侧面包封，增强了芯片的可靠性。增强了芯片的可靠性。增强了芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片倒装重置晶圆级封装结构及方法


[0001]本专利技术属于半导体领域，具体为一种滤波器晶圆级封装方法，涉及滤波器晶圆不同种类芯片重置、多芯片封装技术。

技术介绍

[0002]当前封装工艺芯片分别制作凸点后再用倒装工艺贴在基板上，然后覆膜形成空腔；申请号为201621225249.3的专利，公开了一种包括薄膜体声波器件裸芯片在内的多芯片模组封装结构，包括基板和裸芯片，裸芯片包括薄膜体声波器件裸芯片和其他功能裸芯片，基板和所有裸芯片上设有对应的电极，该技术直接采用裸芯片封装，比原来的二次封装大大减小了体积；申请号为202020151459.2的专利，该技术模组化封装结构，通过该至少一防溢组件改善现有技术中成型材料固化前其胶体易向外扩散，影响邻近组件焊接效果的现象；且不须采用额外模具进行封装。上述专利或多或少存在工艺复杂，成本较高的问题；且封装基板上预设防溢组件，导致芯片间距较大，整体封装体积较大。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术的不足，本专利技术提出了一种简化封装流程，提高封装效率和良品率的多芯片倒装重置晶圆级封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片倒装重置晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片10放置在贴有临时键合膜01的基板02上，芯片背面向上，正面贴合在基板上的临时键合膜01上；芯片正面含有电极11、关键功能区12，基板02上规则排布多个组，每个组内包含多个芯片，以排满整个基板02为准；步骤2，芯片背面保护膜层制作，利用层压覆膜工艺在基板02上的芯片背面做上第一层有机物膜层15，利用有机物膜层15密封住每个芯片，防止后续塑封时材料渗入；步骤3，芯片背面整面包封，使用注塑工艺将芯片背面完全用塑封层16包封住；步骤4，拆掉芯片正面的基板02和临时键合膜01，使用临时拆键合工艺拆掉基板02和临时键合01漏出芯片10的正面，暴露出电极11和关键功能区12；步骤5，芯片正面第一层绝缘层17制作，使用涂布、层压覆膜等工艺在芯片正面制作第一层绝缘层17保护层；再利用光刻工艺对第一层绝缘层进行图形化加工，暴露出芯片的电极11和关键功能区12位置；步骤6，第二层绝缘层18制作，利用层压覆膜工艺在第一层绝缘层17上贴上第二层绝缘层18，层压覆膜工艺制作的保护层利用光刻工艺进行图形化处理，暴露出电极11的位置，保护密封住关键功能区12的位置；或者利用键合工艺在第一层绝缘层17上键合第二层绝缘层18，再利用刻蚀或激光穿孔工艺将电极11位置暴露，关键功能区12位置不打开被密封保护；步骤7，金属互联线19制作，使用PVD、电镀、光刻、刻蚀工艺在电极11上面，即第一层绝缘层17和第二层绝缘层18形成的通孔内制作金属互联线19；步骤8，芯片正面凸点20制作，利用印刷、电镀、金属烧结工艺进行芯片金属互联线上的凸点制作；步骤9，完成凸点制作后封装工艺完成，后续按每组芯片尺寸切割成单个芯片进行后续PCB板焊接。2.根据权利要求1所述的一种多芯片倒装重置晶圆级封装方法，其特征在于，关键功能区12包括声表面滤波器的IDT区域、体声波滤波器的谐振腔区域。3.根据权利要求1所述的一种多芯片倒装重置晶圆级封装方法，其特征在于，有机物膜层15厚度大于1um；塑封层16...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱其壮，倪飞龙，朱杉，金科，吕军，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：