一种多芯片正装重置晶圆级封装结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片正装重置晶圆级封装结构及方法，包括以下步骤：多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片1放置在贴有临时键合膜11的基板12上，芯片正面向上，背面贴合在基板上的临时键合膜上；芯片正面含有电极、关键功能区；第一层绝缘层制作，利用涂布、喷涂和层压工艺在基板12的有芯片面做上第一层绝缘层15，利用光刻等工艺进行图案化处理，暴露出芯片的部分电极和所有的关键功能区；最后，完成再布线工艺后主要封装工艺完成，后续按每组芯片尺寸切割成单个芯片进行后续PCB板焊接。所述多芯片封装工艺属于多个芯片一次封装，简化了多个芯片封装流程，提高了封装效率。装效率。装效率。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片正装重置晶圆级封装结构及方法


[0001]本专利技术属于半导体领域，具体为滤波器晶圆不同种类芯片重置、多芯片封装技术，涉及一种滤波器晶圆级封装结构及方法。

技术介绍

[0002]当前封装工艺采用倒装覆膜形成空腔，对芯片间隙有一定要求，倒装基板也需要预设对应图形，工艺复杂，申请号为201621225249.3的专利，该专利公开了一种包括薄膜体声波器件裸芯片在内的多芯片模组封装结构，包括基板和裸芯片，所述裸芯片包括薄膜体声波器件裸芯片和其他功能裸芯片，基板和所有裸芯片上设有对应的电极，其特征在于：所有裸芯片电极通过倒装焊由金球与基板电极对应连接，在基板表面粘接固定有膜层，所述膜层紧贴于基板表面并同时包裹住所有裸芯片，所有裸芯片间隔设置并通过膜层分开，在所有裸芯片和基板之间形成真空腔。本专利技术直接采用裸芯片封装，比原来的二次封装大大减小了体积；申请号202020151459.2的专利，该专利公开一种模组化封装结构包含有：一基板，该基板形成有第一焊垫、第二焊垫及至少一防溢组件；至少一第一电子组件，表面形成有多个第一导电接点，借由该些第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片正装重置晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片1放置在贴有临时键合膜11的基板12上，芯片正面向上，背面贴合在基板上的临时键合膜上；芯片正面含有电极、关键功能区；步骤2，第一层绝缘层制作，利用涂布、喷涂和层压工艺在基板12的有芯片面做上第一层绝缘层15，利用光刻等工艺进行图案化处理，暴露出芯片的部分电极和所有的关键功能区；步骤3，第一层绝缘层上基板制作，采用临时键合工艺在芯片正面的第一层绝缘层上贴上临时键合膜11和基板12，然后拆掉芯片背面的临时键合膜和基板；步骤4，芯片背面整体塑层161制作保护，采用晶圆级注塑工艺将芯片背面和侧壁整体包封一层塑封层16保护好芯片；步骤5，拆掉芯片正面第一绝缘层15上的基板12和临时键合膜11，暴露出芯片10的电极和关键功能区；步骤6，第二层绝缘层17制作，利用层压工艺在第一层绝缘层15上贴上第二层绝缘层17，利用光刻工艺暴露出切割道和部分电极区域，关键功能区不暴露和第一层绝缘层形成密封空腔结构保护关键功能区；步骤7，金属互联线18制作，使用PVD、电镀、光刻、刻蚀工艺在电极上面，即第一层绝缘层15和第二层绝缘层17形成的通孔内制作金属互联线18，金属互联线的高度高出第二层绝缘层的表面；步骤8，芯片正面塑封层162制作，利用晶圆级注塑工艺在芯片正面进行塑封层162制作，塑封层162包封住电极、第二层绝缘层17的表面和侧壁；并且在切割道与背面的塑封层161联通；步骤9，金属互联线18露头工艺，采用研磨工艺减薄芯片正面的塑封层162漏出被包封的金属互联线18，此时金属互联线18与塑封层162的上表面在同一平面；步骤10，金属互联线再布线层19制作，利用PVD、电镀、光刻和刻蚀工艺在塑封层162和金属互联线18上进行再布线工艺重新定义金属互联线位置的再布线层19；步骤11，完成再布线工艺后...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱其壮，陈振国，倪飞龙，金科，吕军，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：