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本发明公开一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构,属于集成电路封装领域。首先IC晶圆需经过种子层的沉积、电镀工艺形成芯片铜柱凸块,再分割成单颗裸芯片;采用face up工艺装载、粘合于圆片预设计位置;多层芯片间通过机械切割、多重布线、铜柱凸...该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。
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本发明公开一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构,属于集成电路封装领域。首先IC晶圆需经过种子层的沉积、电镀工艺形成芯片铜柱凸块,再分割成单颗裸芯片;采用face up工艺装载、粘合于圆片预设计位置;多层芯片间通过机械切割、多重布线、铜柱凸...