一种散热型碳化硅二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种散热型碳化硅二极管，包括上壳体与下壳体，所述上壳体与下壳体之间通过衔接机构相连接，所述下壳体顶面通过安装机构连接有散热机构，且所述安装机构对称设置于下壳体顶面两侧，相邻的两个所述散热机构之间挖设有凹槽，所述凹槽内设置有碳化硅芯片本体，所述凹槽右侧对称挖设有延伸槽，所述延伸槽内腔设置有引脚，且所述引脚对称设置于碳化硅芯片本体右侧，采用卡合的安装方式，使得安装更加的便捷，同时采用吸热片作为热量吸取的部件，并通过陶瓷式散热片作为散热的部件，在散热的同时，还具有很好的绝缘性，有效的避免长时间过热造成损坏的问题。避免长时间过热造成损坏的问题。避免长时间过热造成损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种散热型碳化硅二极管


[0001]本技术涉及一种散热型碳化硅二极管，属于二极管


技术介绍

[0002]碳化硅肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种金属
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半导体器件，碳化硅肖特基二极管是一种高压电力电子器件，由于其反向恢复时间短，耐高压，广泛应用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中，在碳化硅二极管长时间使用过程中，会出现散热性能差的情况，导致长时间过热造成损坏的问题。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题克服现有的缺陷，提供一种散热型碳化硅二极管，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：包括上壳体与下壳体，所述上壳体与下壳体之间通过衔接机构相连接，所述下壳体顶面通过安装机构连接有散热机构，且所述安装机构对称设置于下壳体顶面两侧，相邻的两个所述散热机构之间挖设有凹槽，所述凹槽内设置有碳化硅芯片本体，所述凹槽右侧对称挖设有延伸槽，所述延伸槽内腔设置有引脚，且所述引脚对称设置于碳化硅芯片本体右侧。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种散热型碳化硅二极管，包括上壳体（1）与下壳体（2），其特征在于：所述上壳体（1）与下壳体（2）之间通过衔接机构（3）相连接，所述下壳体（2）顶面通过安装机构（4）连接有散热机构（5），且所述安装机构（4）对称设置于下壳体（2）顶面两侧，相邻的两个所述散热机构（5）之间挖设有凹槽（6），所述凹槽（6）内设置有碳化硅芯片本体（7），所述凹槽（6）右侧对称挖设有延伸槽（8），所述延伸槽（8）内腔设置有引脚（9），且所述引脚（9）对称设置于碳化硅芯片本体（7）右侧。2.根据权利要求1所述的一种散热型碳化硅二极管，其特征在于：所述衔接机构（3）包括衔接块（10）与衔接槽（11），所述衔接块（10）设置于下壳体（2）顶面左侧，所述衔接槽（11）挖设于上壳体（1）底面左侧，并与衔接块（10）之间为卡合连接。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱淑丹，
申请(专利权)人：深圳市堃联技术有限公司，
类型：新型
国别省市：