半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。将半导体装置的高度抑制得较低。半导体装置包括：冷却器，其具有底板、配置于底板上多个散热片以及覆盖多个散热片且具有隔着多个散热片而与底板相对的散热面的盖构件，利用由底板、多个散热片以及盖构件围起来的空间形成有冷却水的流路；半导体元件，其经由绝缘基板配置于盖构件的与散热面相反的那一侧的第一面；以及绝缘构件，其配置于冷却器上，密封绝缘基板和半导体元件。盖构件形成有向覆盖多个散热片的部分的外方延伸的板状部，板状部与底板接合。板状部具有第二面。绝缘构件被接合在第二面上。在自底板朝向散热面去的高度方向上，第二面成为高度位置低于第一面的高度位置的面。置低于第一面的高度位置的面。置低于第一面的高度位置的面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体装置具有设有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等半导体元件的基板，并被用于转换器装置等。
[0003]公知有一种这种半导体模块与冷却器成为一体而成的半导体装置。例如在专利文献1中记载有其具体的结构。
[0004]专利文献1所述的半导体装置在冷却器上经由基底板配置有半导体元件。伴随半导体模块的动作产生的热经由在冷却器的内部循环的制冷剂被散热。由此，半导体模块被冷却。
[0005]专利文献1：日本特开2012－49167号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]当包含半导体元件在内的半导体模块的内部构造暴露时，其内部构造可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，该半导体装置包括：冷却器，其具有底板、配置于所述底板上的多个散热片以及覆盖所述多个散热片且具有隔着所述多个散热片而与所述底板相对的散热面的盖构件，利用由所述底板、所述多个散热片以及所述盖构件围起来的空间形成有冷却水的流路；半导体元件，其经由绝缘基板配置于所述盖构件的与所述散热面相反的那一侧的第一面；以及绝缘构件，其配置于所述冷却器上，密封所述绝缘基板和所述半导体元件，所述盖构件形成有向覆盖所述多个散热片的部分的外方延伸的板状部，所述板状部与所述底板接合，所述板状部具有第二面，所述绝缘构件被接合在所述第二面上，在自所述底板朝向所述散热面去的高度方向上，所述第二面成为高度位置低于所述第一面的高度位置的面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该半导体装置还包括设于所述绝缘构件的端子，所述端子的一端在密封于所述绝缘构件的同时与所述半导体元件电连接，另一端自所述绝缘构件的上表面或侧面向外部伸出。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该半导体装置还包括设于所述绝缘构件的端子，所述端子成为一端在密封于所述绝缘构件的同时与所述半导体元件电连接，另一端自所述绝缘构件的上表面向外部伸出并到达所述绝缘构件的侧面的形状。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该半导体装置还包括设于所述绝缘构件的端子，所述端子成为一端在密封于所述绝缘构件的同时与所述半导体元件电连接，另一端自所述绝缘构件的侧面向外部伸出，并呈直线状自所述一端延伸到所述另一端的形状。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，所述底板的板厚厚于所述盖构件的板厚。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述底板的板厚为2mm以上。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，所述盖构件的板厚为0.5mm以上且小于2mm。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一面的高度位置与所述第二面的高度位置之差为3mm以上且20mm以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，所述绝缘构件的下表面与所述盖构件的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：安达新一郎，榎本一雄，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：