本实用新型专利技术公开了一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构，改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构包括芯片，在芯片的表面敷设有第一绝缘层，第一绝缘层在芯片的电极位置和输入输出端口位置设置有第一导孔，在第一绝缘层上敷设有金属层，金属层上设置有贯通第一导孔的金属层导孔，在金属层上敷设有第二绝缘层，第二绝缘层上设置有贯通金属层导孔的第二导孔。本实用新型专利技术在芯片外部表面设置叠置的第一绝缘层、金属层和第二绝缘层，金属层连接外部地线或固定电位从而实现散热和屏蔽效果，大幅度提高芯片的散热效率并可以屏蔽所有杂讯干扰，大大降低了导热及屏蔽的成本。低了导热及屏蔽的成本。低了导热及屏蔽的成本。
【技术实现步骤摘要】
一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构
[0001]本技术涉及半导体芯片
，具体涉及一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构。
技术介绍
[0002]芯片的尺寸越小，频率越高，其工作电压就越低，但是抗杂讯干扰能力就降下来了，而且芯片产生的热量也增加了，因此业界不断寻找解决芯片散热和屏蔽噪声的新结构和新方法，在越接近芯片的表面去处理，产生的效果就越好，成本也越低，同时也能减小封装后芯片的整个体积。
技术实现思路
[0003]本技术要解决的技术问题在于，提供一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构，减小封装后芯片的整个体积，降低芯片导热和屏蔽的成本。
[0004]本技术为解决上述技术问题所采用的技术方案为：
[0005]一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构，包括芯片，在所述芯片的表面敷设有第一绝缘层，第一绝缘层在所述芯片的电极位置和输入输出端口位置设置有第一导孔，在第一绝缘层上敷设有金属层，所述金属层上设置有贯通第一导孔的金属层导孔，在所述金属层上敷设有第二绝缘层，第二绝缘层上设置有贯通所述金属层导孔的第二导孔。
[0006]根据本技术的实施例，在第二绝缘层上敷设有导线层，所述导线层的导线分别连接所述芯片的不同电极和不同输入输出端口。
[0007]根据本技术的实施例，第一绝缘层和第二绝缘层的材料可以是氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮化铝、树脂胶、环氧胶、UV胶或油墨。
[0008]根据本技术的实施例，针对氧化铝、氧化硅、氮化硅或者氮化铝采用PECVD、PVD、热蒸、或电子束蒸发敷设第一绝缘层和第二绝缘层，针对树脂胶、环氧胶、UV胶或油墨采用真空旋涂、喷涂或印刷敷设第一绝缘层和第二绝缘层。
[0009]根据本技术的实施例，所述金属层通过真空蒸镀、磁控溅射镀、水电镀或离子束溅射敷设。
[0010]技术的有益效果：本技术在芯片外部表面设置叠置的第一绝缘层、金属层和第二绝缘层，金属层连接外部地线或固定电位从而实现散热和屏蔽效果，大幅度提高芯片的散热效率并可以屏蔽所有杂讯干扰，大大降低了导热及屏蔽的成本。
附图说明
[0011]下面通过参考附图并结合实例具体地描述本技术，本技术的优点和实现方式将会更加明显，其中附图所示内容仅用于对本技术的解释说明，而不构成对本技术的任何意义上的限制，在附图中：
[0012]图1为本技术改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构示意图；
[0013]图2为本技术改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构实施例剖视图。
具体实施方式
[0014]如图1和图2所示，本技术改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构包括芯片11，在芯片11的表面敷设有第一绝缘层12，第一绝缘层12在芯片11的电极位置和输入输出端口位置111设置有第一导孔121，在第一绝缘层12上敷设有金属层13，金属层13上设置有贯通第一导孔121的金属层导孔131，在金属层13上敷设有第二绝缘层14，第二绝缘层14上设置有贯通金属层导孔131的第二导孔141。金属层连接外部地线或固定电位从而实现散热和屏蔽效果，根据本技术的实施例，在第二绝缘层14上敷设有导线层15，导线层15的导线151分别连接芯片11的不同电极和不同输入输出端口。根据本技术的实施例，第一绝缘层12和第二绝缘层14的材料可以是氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮化铝、树脂胶、环氧胶、UV胶或油墨。针对氧化铝、氧化硅、氮化硅或者氮化铝采用PECVD、PVD、热蒸、或电子束蒸发敷设第一绝缘层12和第二绝缘层14，针对树脂胶、环氧胶、UV胶或油墨采用真空旋涂、喷涂或印刷敷设第一绝缘层12和第二绝缘层14。金属层13通过真空蒸镀、磁控溅射镀、水电镀或离子束溅射敷设。
[0015]本技术改善芯片散热和屏蔽噪声的封装方法，包括步骤：
[0016]A1、在芯片11的表面沉积第一绝缘层12，第一绝缘层12在芯片11的电极位置和输入输出端口位置111开挖第一导孔121；
[0017]A2、第一绝缘层12上沉积金属层13，金属层13上开挖贯通第一导孔121的金属层导孔131；
[0018]A3、金属层13上沉积第二绝缘层14，第二绝缘层14上开挖贯通金属层导孔131的第二导孔141。
[0019]根据本技术的实施例，还包括步骤A4：在第二绝缘层14上敷设导线层15，导线层15的导线分别连接芯片11的不同电极和不同输入输出端口。
[0020]根据本技术的实施例，第一绝缘层12和第二绝缘层14的材料可以是氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮化铝、树脂胶、环氧胶、UV胶或油墨。针对氧化铝、氧化硅、氮化硅或者氮化铝采用PECVD、PVD、热蒸、或电子束蒸发敷设第一绝缘层12和第二绝缘层14，针对树脂胶、环氧胶、UV胶或油墨采用真空旋涂、喷涂或印刷敷设第一绝缘层12和第二绝缘层14。
[0021]根据本技术的实施例，金属层13通过真空蒸镀、磁控溅射镀、水电镀或离子束溅射敷设。
[0022]本领域技术人员不脱离本技术的实质和精神，可以有多种变形方案实现本技术，以上所述仅为本技术较佳可行的实施例而已，并非因此局限本技术的权利范围，凡运用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变化，均包含于本技术的权利范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构，包括芯片，其特征在于：在所述芯片的表面敷设有第一绝缘层，第一绝缘层在所述芯片的电极位置和输入输出端口位置设置有第一导孔，在第一绝缘层上敷设有金属层，所述金属层上设置有贯通第一导孔的金属层导孔，在所述金属层上敷设有第二绝缘层，第二绝缘层上设置有贯通所述金属层导孔的第二导孔。2.根据权利要求1所述的改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构，其特征在于：在第二绝缘层上敷设有导线层，所述导线层的导线分别连接所述芯片的不同电极和不同输入输出端口。3.根据权利要求2所述的改善...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜学庆，朱昆，姚飞，钱锋，廖运华，谢杰志，郑香奕，李维龙，涂波，
申请(专利权)人：深圳市洁简达创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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